Установка для вакуумного напыления

СПИИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскикСоциалкстмческнлРеспублик и 1402324 К АВТОРСКОМУ СВИЯЕТЕДЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. санд-ву -Ъ (22) Заявлено 19.10.71 (21)1 707616/26-25 (5 ) М, Кл. Н 01( 7/68 с прнсоелнненнем заявки РЙ Гасударственный комитет(23) Приоритет йо делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретен ни Л, М. Панасюк и В. Д. Прилепов Кишиневский ордена Трудового Красного Знаменигосударственный университет им, В. И. Ленина(54) УСТАНОВКА ДЛЯВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к устройствам для получения тонких полупроводниковых слоев испарением в вакууме.Известно устройство, позволяющееБ получать полупроводниковые слои большой протяженности. Исходное полулроводниковое вещество загружается один раз перед откачкой непосредственно в испаритель. При достижении вакуума под кол- паком разогревается испаритель, и полупроводниковый слой напыляется на прозрачную ленту через ограничительную маску. Испарители применяют двух типов: с косвенным разогревом и непосредст- т 5 веиным разогревом.Известное устройство не обеспечивает получение полупроводниковых слоев на длинных лентах с заданными постоянными параметрами ввиду фракционирования бинарных и более сложных полупроводниковых соединений, так как длительное нахождение таких соединений при температуре испарения приводит к изменению состава испаряемого вещества за счет уменьшения во времени концентрации легколетучейкомпоненты.Кроме гого невозможно получать длинные тонкие слои, так как время испарения ограничено размерами испарителя, а увеличивать размеры невозможно, поскольку очень трудно разогревать большие объемы. В известном устройстве по мере уменьшения испаряемого вещества, помещенного в испаритель, меняется температура испарителя, следовательно, меняется скорость испарения.Цель изобретения - создание устройства, обеспечивающего напыление полупроводниковых веществ, однородных по свойствам, на длинные ленты с постоянной заданной толщиной и уменьшение потерь полупроводникового вещества.Это достигается тем, что между дном бункера, имеющим отверстия, и испарителями размещен вращающийся вал с емкостями н направляющие желоба, при этом емкости вращаюшегося вала смеще."1023 24 фполняет ее. При дальнейшем решении вала дозетора ограничитель бункера выравнивает поверхность вещества в лунке, которое затем через подвижный желоб равномерно рассыпается по поверхности соответствующего испарителя. Скорость вращения вала дозатора и скорость испарения вещества подбираются такими, чтобы к моменту поступления новой дозы вещества в испаритель в последнем практическиФ все вещество испарилось. За счет последовательности и цикличности работы системы дозатор - испарители уменьшение испаряемой поверхности вещества в одном из испарителей компенсируется добавкой вещества в другой испаритель, так что суммарная поверхность испарения остается постоянной. Установка для вакуумного напьщечия состоит из бункера 1 с испаряемым веществом, лентопротяжного механизма 2 10 и расположенных под ним испарителей 3. В нижней части бункера выполнены отверстия 4, число которых равно числу испарителей. Через эти отверстия испаряемый материал подается в лунки 5 на И поверхности вращающегося вела б, сообщаемые с испарителями через направлщощие желоба 7. Над испарителями установ лен тепловой экран 8 с нагревательной спиралью 9 по внешней стороне, обеспе чивающий уменьшение потерь исдаряемого вещества и увеличение скорости напыления. Размеры лунок 5 выбраны такими, чтобь 1 исходное вещество, заполняющее эти лунки, при рассыпании движущимися 25 желобами 7 равномерно распределялось по поверхности испарителей 3, длина которых равна ширине напыляемой поверхности, Ограничитель бункера 10 выравнивает поверхность вещества в лунке 5. ЗОРаботает устройство следующим образом.Измельченное полупроводниковое вещество загружают в бункер дозатора, ленту устанавливают в лентопротяжный ме- э 5 канизм. Создают вакуум, вклк 1 чают испарители и устанавливают температуру испарении; задают скорость движения лен. - ты и включают дозатор. При вращении вала дозатора лунка проходит под отверс О тием в бункере, и исходное вещество за 3ны друг относительно друга на МОф/п, где л - число испарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.На чертеже изображена гредлагаемая установка. Формула изобретения Установке для вакуумного напыления полупроводниковых слоев, содержащая лентопротяжный механизм с расположенными под ним испарителями и устройство загрузки испаряемого вапества с бункером, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью получения однородных слоев с постоянными электрофизическими свойствами и толщиной при напылении на ,длинную ленту, в устройстве загрузки между дном бункера, имеющим отверстия по числу испарителей, и испарителжчиразмещен вращающийся вал с емкостями и направляющие желоба, при этом емкости вращающегося вала смещены друг относительно друга на ЪЬбф/Ь, где ив число испарителей, а направляющие желоба снабжены средствами перемещения.-35, Ра нлиал ППП Патент г. Ужгород, ул. Проектная,31/70 ТираВНИИПИ Государспо делам изобре 1 13035, Москва, Ж Подписноекомитета СССРоткритийущская набд, 4/5