Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 552853
Авторы: Епанешникова, Корзо, Черняев
Текст
Союз Советских Социаиистических Респубиик(45) Дата опубликования описания 17,11,77(51) %. Кл. Н 01 С 7/00 Гоа 1 ЛаратаааякЯ аовататОовата Маяаотроо ВОСРао далав язобротаааба отарытяй(72) Авторы изобретения В.Н. Черняев, В.Ф. Корэа и И.К. Епанешникова Московский авиационный технологический институт им. К.Э. Циолковского( 5 4 ) РЕЗИСТИВНЬЙ МАТЕ РИЛЛ Изобретение относится к технологиипроизводства радиоэлектронной аппаратуры, в частности к технике создаииярезистивна-емкостных, реэистинных,совмещенных интегральных и танкопленочных микросхем, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре и вычислительной технике, и может быть использована при изготовлении резисторов.Известен реэистивный материал, содержащий медь и диэлектрик н видеокислов меди и алюминия.Однако у известного материала диапазон значений удельного сопротивления недостаточно широк, а температур" )5ный коэффициент сопротивления (ТКС)высок,Цель изобретения - расширение диапазона значений удельного сопротивления и снижение ТКС. 20Это достигается тем, что предлагаемый резистинный материал содержитисходные компоненты в следующих количествах, нес.а:Медь 15-58 25Окись меди 12-35Окись алюминия Остальное.Такой материал обладает удельнымсапратинлением от 5 10 до 5 10 Ом сми ТКС от + 1 10 до - 5 10 1/град. 30 Изменяя процентное содержание меди, можно изменять удельное сопротивление материала и его ТКС. Реэистивный материал получают в виде тонкой пленки толщиной от 100 да 8000 А при термическом разложении паров металлоорганических соединений, переносимых инертным газом в горячую зону подложки . Источником окиси алюминия является порошок ацетилацетоната алюминия, а источником меди и они си меди - ацетилацетонат меди, Содержание компонентов в пленке регулируется поддержанием определенных температурных режимов в обоих источниках, скоростью патока инертного газа через источники и температурой н зоне подложки.Характеристики полученных пленок приведены в таблице. Как видно из таблицы, величина удельного сопратинления.этого матери. ала значительно превышает ту же велиф чину у известного материала, а температурный коэффициент на порядок нижеИспользование данного материала для высакоамных резисторов позволит555853 5 107,5 10 5.107 48 34 20 32 16 Формула изобретения Реэистивный материал, содержаший медь и диэлектрик в виде окислов меди и алюминия, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивле 15-5812-35Остальное,Составитель П. ЛягинТехред М, Левицкая КоРРектоР С, Шекмар Редактор М, Заика Заказ 4073/43 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государстввниого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент, г, Уарод, ул. Проектная, 4 создавать надежные микроминиатюрные высокоомные резисторы для интегральных и тонкопленочных микросхем.Температурный коэффициент таких резисторов на порядок ниже, чем у известного материала, что позволит ис,польэоьаь резисторы в более широком диапазоне рабочих температур.ния и снижения температурйого коэффициента сопротивления, он содержит исходные компоненты в следуюших количествах, вес.З:МедьОкись медиОкись алюминия
СмотретьЗаявка
2317434, 27.01.1976
МОСКОВСКИЙИАВИАЦИОННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. К. Э. ЦИОЛКОВСКОГО
ЧЕРНЯЕВ В. Н, КОРЗО В. Ф, ЕПАНЕШНИКОВА И. К
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 05.10.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-552853-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Способ изготовления термочувствительных элементов из сплавов системы медь алюминий
Номер патента: 1737014
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Бондарь, Данильченко, Коваль, Неганов
Метки: алюминий, медь, системы, сплавов, термочувствительных, элементов
...лучом участков монокристалла,Воэможность формирования температурочувствительного сигнала основана на явлении изменения селективности отражения видимого света сплавов системы медь - алюминий при мартенситном переходе. В 3 -состоянии поверхность сплава отражает видимый свет преимущественного в желтой области спектра, а в мартенситном состоянии - в красной области. Разница цвета поверхности сплава в указанных состояниях оказывается достаточной для фиксирования их по видимому спектру, например, с помощью спектрометра или визуально, Один температурочувствительный элемент может формировать сигнал о достижении температур начала М и конца М прямого мартенситного превращения (при охлаждении) и начала А и конца А, обратного мартенситного...
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 369502
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 17/06, G01R 27/02
Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного
...чертеже представлена функциональнаясхема описываемого устройства, состоящегоиз четырехзондовой головки 1, стабилизатора 2 б2 постоянного тока, цифрового вольтметра 3,блока управления 4, механизма б перемещения зондовой головки, реостатного датчика б,функционального преобразователя 7, корректирующего звена 8 стабилизатора тока. 30 Через токовые зонды 9 и 10 измерительной головки 1, прижатой к исследуемому образцу П, пропускается постоянный ток от стабилизируемого источника 2. Напряжение, снимае мое с потенциальных зондов 12 и 1 З, подается на вход измерительного прибора (например цифрового вольтметра) т. Блок управления 4 с помощью механизма б отводит и прижимает зондовую головку к образцу и перемещает ее вдоль торца. Перемещение...
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 476525
Опубликовано: 05.07.1975
Автор: Модорский
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного
...фазовращающего сопротивления первого зонда, исследуемого полупроводникового материала и второго зонда, а выход фазометра соединен с измерителем напряже 5 ния.Схема предложенного устройства показанана чертеже.Фстройство для измерения удельного сопротиьления полупроводников содержит гене ратор переменного тока 1, регулятор тока 2,476525 Предмет изобретения Составитель В. Немцев Техред А. Камышникова Редактор Т. Орловская Корректор В. Брыксииа Заказ 298/3 Изд. М 942 Тпрагк 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раупгская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 съемное эталонное фазовращающее сопротивление 3, двухзондовый манипулятор с зондами 4, 5, фазометр 6, имеющий...
Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 896581
Опубликовано: 07.01.1982
МПК: G01R 27/08
Метки: параметров, полупроводникового, сопротивления, статистических, удельного
...предлагаемого способа 5 обеспечивает по сравнению с известными способами определение достоверности значения удельного сопротивления в окрестности выбранной точки; при заданной надежности повышение точности определения;о выделение дисперсии неоднородностиобусловливающую в известных способах дополнительную погрешность и увеличивающую с ростом измеряемого удельного сопротивления, характеристику степени неоднородности полупроводникового материала по направлениям, проходяпцца через выбранную точку.формула изобретенияСпособ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала, заключающийся в том, что на плоскую шлифовальную поверхность неоднородного полупроводника устанавливают систему...
Способ измерения удельного сопротивления порошкового материала
Номер патента: 1083128
Опубликовано: 30.03.1984
МПК: G01R 27/00
Метки: порошкового, сопротивления, удельного
...точности измерений.УПоставленная цель достигается тем, что, согласно способу измерения удельного сопротивления порошкового материала путем заполнения исследуемым порошковым материалом СВЧ резонатора, возбуждения его электромагнитными колебаниями одной частоты, фиксации состояния резонанса, предварительно измеряют фазу волны на выходе незаполненного СВЧ резонатора, после заполнения СВЧ резонатора полностью и возбуждения его электромаг-. нитными колебаниями одной частоты измеряют объемную концентрацию исследуемого порошкового материала путем его уплотнения и досыпки, состояние резонанса Фиксируют по моменту, когда Фаза волны на выходе СВЧ резонатора изменяется на величину, кратную 360 относительно фазы волны на выходе незаполненного...
Предыдущий патент: Способ радиоурографии
Следующий патент: Способ получения бензоперфторциклоаканов
Случайный патент: Способ поверки мерильного механизма