Язенков

Номер патента: 1067930

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Ахмеджанов, Полушкин, Ханин, Язенков

МПК: G01N 21/63

Метки: линии, плазме, ширины, штарковской

...с частотами отфла 3люэ 5 ы - --- до ы + --- , Где В даэ2 2 фнамного превышает ширину исследуемой, линии (не менее, чем в 3-5 раз). В изображенной установке лазеры 1 и 2 установлены так, что формируемые ими1 О потоки излучения распространяются под углом друг к другу (в частном случае лазеры 1 и 2 могут Формиро- . вать параллельные потоки, при этом схема установки несколько иная), а15 излучение лазеров 1 и 2 линзами 3 и 4 соответственно Фокусируются в раз-. ных плоскостях поперечного сечения плазменной камеры 5Расстояние между фокусами Г, и Р линз 3 и 4 определя-20 ет пространственную разрешающую способность установки и ограничивается только дифракционной расходимостью лазерного излучения, Лазер 1 оптически связан с фотоэлектрическим...

Номер патента: 1093228

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Ахмеджанов, Полушкин, Ханин, Язенков

МПК: G01N 21/00, H05H 1/00

Метки: диффузии, заряженных, коэффициента, плазме, частиц

...электронов и молекулярных ионов, в небольшой области плазмы, определяемой поперечным сечением лазерного луча. Используя фокусировку лазерного луча, эту область можно сделать сколь .угодно малой. Это локализованное возмущениелформируется за время Допределяемое длительностью импульса лазерного излучения, а затем начинает расплываться вследствие диффузионных процессов.35Измеряя с помощью любого известного способа изменение концентрации .за-ряженных частиц в какой-либо определенной точке исследуемой плазмы в зависимости от времени и решая затем 40 уравнение диффузии для определенных параметров плазмы и конкретных геометрических условий эксперимента, можно определить коэффициент Р диффуэии заряженных частиц.45На чертеже представлена схема...