Способ измерения электронной температуры плазмы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е (и)766047ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(5 )М. Кл,05 Н 1/00 с присоединением заявки М ваударстаавй квчтат СССР в йаяам завретейвткрытй(72) Авторы изобретения В. И, Аксенов и А. П. Модестов Ордена Трудового Красного Знамениинститут радиотехники и электроники А Н.СССР(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАЗМЫ1Изобретение относичся к способам исследования плазмы, в частности, к способам определения ее термодинамических параметров.Известен способ определения электронной температуры плазмы путем расчетно- графической обработки вольч амперной характеристики электростатического зонда Я.Его недостаток состоит в сложности как вппаратурногообеспечения, твк и процедуры выделения искомой величины. Известен способ измерения электронной температуры плазмы путем подачи нв погруженный.в плазму электрический зонд относительно корпуса аппарата переменного напряжения частоты, много меньшей плазменной частоты электронов, и регистрации нлавающих потенциалов зонда при двух амплитудах переменного напряжения .2,1., Данный способ, наиболее близкий к изобретению, принят за прототип. 2Его недостатком является сложностьаппаратуры, включвкнпей усилитель постоянного тока с высоким входным сопротивлением и стабильными параметрами.Белью изобретения является упроще- .ние аппаратуры измерения.,Поставленная цель достигается тем,что в способе измерения электроннойтемпературы плазмы путем подачи ивпогруженный в плазму электрический эонаотносительно корпуса аппарата переменного напряжения частоты, много меньшейплазменной частоты электронов, при постоянном статическом потенпиале зондаизмеряют два значения активной проводимости промежутка "зонд-корпус при двухразличных амплитудах напряжения невыше уровня ствтическо:о потенциалазонда, а электронную температуруопределяют по формуле3 766 04 где Т - электронная температура,"6 - заряд электрона,постоянная Вольцмана," 3 ИЕ - амплитуды переменного напря 1 г гкения и соответствующие им5.активные проводимости, а также тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного колебательного контура, включенного между зондом и корпусом, а амплитуду напряжения зонда задают величиной связи контура с питающим генератором.Схема устройства для осуществленияданного изобретения представлена на чертеже. Оно состоит из электрического 6 1 1 Г= -где Т - электВ - заряд К - посто И И Цг- амплижения иная температуона,опьцман ек иная туды и со ременного на етс твуюши е активные проводимости. 2, Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного 0 колебательного контура, включенногомежду зондом и корпусом, а амплитуду напряжения зонда задают величиной связи контура с питающим генератором. Источники инфо принятые во вниманиеции и экспертиз Патент США 4-33, 1977 Афонин В. В ения электро Ио 4006 кл. 3 Гдалевинной темп высокоча исследо4 (прот ч Иэм ион зонд т, 1 ературы встотногования, 1973отип).оофере методомзонда 1, закрепленного на стенке корпуса 2 с помощью изолятора 3, колебательного контура, состоящего из индуктивности 4 и переменной емкости 5, питающего генератора 6 и регистратооа 7,Работает .данное устройство следующим образом. После включения аппаратуры подают напряжение на контур генератором 6, подстраивают емкость 5 в резонанс и по прибору 7 контролируют напряжение на контуре, амплитуда которого не должна превосходить уровня плавающего потенциала зонда. фиксируя добротность контура 4-5, определяют проводимость промежутка "зонд-корпус.Меняя связь. генератора 6 с контуром вновь находят проводимость. Формула для определения электронной температуры следует из обшей зависимости проводимости от этого параметра при условии, что амплитуда переменного напряжения не превосходит уровня плавающего потенциала, который нетрудно оценить снизу в начальных стадиях проведения измерений.формула изобретения 1. Способ измерения электронной температуры плазмы путем подачи на 7 фпогруженный в плазму э тектрическийзонд относительно корпуса аппарата переменного напряжения частоты, многоменьшей плазменной частоты электронов,о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, сцелью упроцения измерительной аппаратуры, измеряют при постоянном статическом потенциале зонда два значения активной проводимости промежутка "зондкорпус при двух различных амплитудахнапряжения, не выше уровня статического потенциала зонда, а электронную температуру определяют по Формуле;76604 7 Зак аз 6 5 30/54В аж 885 Подписиенного комитета СССРетений и открытий -35, Раущская наб., д. 4/5 ТИПИ Государствпо делам изоб035, Москва,пиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель В. Рябыйактор С. Суркова Техред С. Мигунова Корректор Г. Ню
СмотретьЗаявка
2734410, 05.03.1979
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
АКСЕНОВ ВИКТОР ИВАНОВИЧ, МОДЕСТОВ АНДРЕЙ ПЛАТОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H05H 1/00
Метки: плазмы, температуры, электронной
Опубликовано: 23.09.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-766047-sposob-izmereniya-ehlektronnojj-temperatury-plazmy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения электронной температуры плазмы</a>
Предыдущий патент: Система контроля и защиты крупнотоннажных судов от электростатической опасности
Следующий патент: Импульсная нейтронная трубка
Случайный патент: Футеровка