Татусь

Номер патента: 1457709

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Иванов, Листратенко, Солоница, Татусь, Чеботарев, Чеканов, Чечельницкий

МПК: H01J 27/00

Метки: имитации, повреждений, реакторных

...источников металла 1 и газа 2, а ионные пучки входят в систему 4 совмещения. Пучок ионов метал"ла, например Вьизвлекается из раз"рядной камеры 1 1, размещенной в магнитном зазоре системы 4 совмещенияи по круговой орбите радиуса К и; про"50ходит в магнитном поле системы совмещения. Полем магнита системы совмещения пучок ионов металла сепарируется и направляется к выходнойщели 9. Одновременно с пучком ионов 55металла пучок ионов газа, напримерНе+ извлекается из источника 2 газовых ионов, Фокусируется линзой 3 и попадает в магнитное поле системы 4совмещения,где он,проходя по круговойорбите радиуса В, также сепарируется и совмещается с пучком ионовметалла на выходе из системы совмещения. Далее полученный смешанныйпучок ионов металла и газа...

Номер патента: 1612968

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Листратенко, Поляшенко, Соолоница, Татусь

МПК: H05H 5/00

Метки: линза, электронная, электростатическая

...ПОтенциала средние кольцалинзы - потенциалотличный От крайних.Линза может работать и как винтовой квадруполь, В этом случае элеи роды, расположенные на одной четверти кольца, должныиметь Одинаковый потенциал, при этом всечетверти колец имеютодинаковые потенциалы пративОположнога знака, а между кбльцаи раЗнос гь ФО надаов равна пулковКомбинижя потеиц 19 лы на э,"г"ктрадах Рин"зы можно пол, ,дть.,:.дед,. известныеСТРУКТУРЫ ЗЛГЧ(ТОПф"татн 1 Е" И" ПОЛЕИ ИСлользуемьВ для трзнсгяргиравания пучкзвзаряженных частиц, В случае, когда разности потенциалов прикладываю ся междуВС 8 ММ СОСЕЛНИМИ ЭЛЕКТДОЦЭМИ, О 88 РИЗУЮТД ,1 МкГОгядП Д.ВЫ 3 Зоа Ндтгряженнос ги и ля, т.е, создав ся новаяличная о изв с 1 нь ис ьзуецх валектрастЭтическик...

Номер патента: 1589900

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Солоница, Татусь, Хоренко, Чеканов

МПК: H01J 27/00

Метки: ионного, многокомпонентного, пучка

...образом.В источник ионов, являющийся модулем системы для получения многокомпонентного ионного пучка, наиболее удаленньп 1 от магнита, через отверстие 20 напускают газ, имеющий минимальное отношение массы к заряду иона, затем подают нсе потенциалы, создающие электрические и магнитные поля, необходимые для получения плазмы в разрядной камере 15, после чего создают разрядность потенциалов между камерой 15 и ионопроводом 13. Включают питание электромагнита и увеличивают магнитное поле до получения максимальной неличины силы тока пучка ионов на детекторе (не похазан), расположенном на оси ионопровада после щели 9. Затеи разность потенциа-,1589900 лов, задаваемую источником 23 питания уменьшают до тех пор, пока силатока пучка. станет равной...

Номер патента: 1387576

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Бибер, Копанец, Татусь, Халин

МПК: F16K 1/38

Метки: запорное

...Запорное устройство, содержащее корпус с крьппкой и коническим седлом, а также закрепленный на штоке привода запорный орган в виде стакана с ответной седлу конической поверхностью, о т. л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения надежности работы, на корпусе соосно .штокужестко закреплена сферическая шайба; а на крышке с помощью регулировочного приспособления соосно штоку установлена повышение надежности работы устройства эа счет исключения перекосов запорного органа. Запорное устройствосодержит корпус 1 с крьппкой, в котором размещены коническое седло 2 изапорный орган 4 с ответной седлу 2конической поверхностью. Нв корпусе1 жестко закреплена опорная сферическая шайба,7, а на крьппке 6 подвижно с помощью юстировочных...

Номер патента: 1296835

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Борисов, Гордеев, Медникова, Неклюдов, Поляшенко, Татусь, Шкилько

МПК: G01B 15/02

Метки: пленки, толщины

...самописцасоединен с входом блока 10 линейного нагрева, Образец может быть установлен на столик 11. Способ осуществляют следующим образом.На столик 11 устанавливают исследуемый образец. Для очистки поверхности от Физически адсорбированных атомов и снятия остаточных напряжений образец предварительно обрабатывают электронами с энергией 500 эВ в течение 20 с и отжигают при 00 К в течение 0,5 ч в вакууме 10 Па, т.е. до тех пор, пока давление остаточных газов по масс-спектрометру не становится равным 10 Па, Затем образец охлаждают до комнатной температуры, после чего его поверхность возбуждают электронами с энергией, которую можно изменять в пределах 50-150 эВ в течение 2 мин, После воз. - буждения с помощью манипулятора сто 35лик 11 с...

Номер патента: 777862

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Зеленский, Курилко, Татусь

МПК: H05H 1/00

Метки: ионов, пучков, ускоренных

...указанных выше процессов вводится вероятность дУ.,ионизации газа, сорта а первичным ионом на отрезке длинои Иу, в окрестнос 60ти точки хо, где концентрация нейтрального газа равна р,. (Х, а энергия первичного иона равна У,",е.:йУ = о ( д- -"У, с (2) 65 Соответствующее приращение тока частиц 1 ионов сорта а (1=сек -) на выходе трубки будет равно с Учитывая, что энергия однократно ионизованного атома сорта а меняется по закону можно получить окончательно спектральнаную плотность тока частиц сорта а на мишени (х= Ц в следующем виде: М 1 " К,1 " (5) Разрешая ф) относительно р,(х), можно получить окончательное выражение Данный способ получения пучка ускоренных ионов может быть реализован в устройстве, схема конструкции которого...