Способ изготовления электролюминесцентногоустройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советова Социалистические Республик,л 89/ОЗ Заявлепо 17.11.1966 ( 1056717/26-2 присоединением заявкиМ 111. Н 011 риоритет Комитет по делам зобретений и открытий ори Совете Министров СССРУДЕ, 621,327.9(088,8) бликовано 09.И,1967. Бюллете Дата опубликования описания 18 ХП.196 Н. Семй)в-".Э. Д, Головкина, В. В, Пасынков, Г, А. Савельев 1 енинградский электротехнический институт им Заявител СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗЛЕКТРОЛЮ 1 т 1 ИНЕУСТРОЙСТВА ОГ 1200 С. Толщина пленки около 15 - 20 мк. Далсе подложке дают остыть до 80 С, и наносят слой моноокисп кремния толщиной 100 -о200 А и металлический электрод.Изготовленные по этой технологии образцыимеют интегральную яркость 30 нт при напряжении 15 - 25 в плотность тока 16 - 20 ма/смз,электрическую прочность я=4 101 в/см, Максимум спектральной интенсивности в случаеиспользования электролюминофора ЭЛ олежит в области 5860 А,Падение яркости в два раза происходит за.500 час, если последовательно включено15 балластное сопротивление 3 - 5 ком (из расчета на 1 смо), Сопротивление может бытьнанесено в виде пленки на готовый электролюминесцентный конденсатор.Питание осуществляется от источника по 20 стоянного тока или монополярными импульсами с положительной полярностью на металлическом электроде. В вакупрогревапри темпЗатем тевпыляют сдо 1300 -400 в 6ки вновьролюмино рт, ст слоем 1 час и нагретой а быть Спосоного ус на подо 30 дящим одлож- элект 1000 -Известен способ изготовления электролюминесцентных устройств путем вакуумного испарения исходных веществ и активирующих примесей с дальнейшей температурной обработкой в вакууме или на воздухе для диффузии. Напыление проводят послойно, чередуя исходное и активирующее вещество, или одновременно из разных лодочек.Особенностью предложенного способа является то, что на подложку с проводящим слоем наносят легирующий высокоомный подслой сернистых соединений легирующих металлов, например сернистой меди, затем электролюминофор и поверх него - пленку с высокой диэлектрической прочностью, например моно- окись кремния.Это позволяет увеличить срок службы и повысить электрическую прочность устройства.Предложенный способ осуществляютпо следующей технологии..ме, близком к 5 Х 10 " ммют подложку с проводящимратуре 300 - 350 С в течение1 пературу снижают до 230 Сернистую медь из лодочки, на1400 С, Толщина слоя должноА После этого температуру пповышают до 300 С и наносятфор с лодочки, нагретой до Предмет изобретени б изготовленияэлектролюмннесценттройства путем вакуумного напыления гретую стеклянную подложку с провослоем электролюмцнофора на основеЗаказ 2152/16 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 сульфида цинка, активированного медью и марганцем, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы и повышения электрической прочности устройства, сначала в качестве легирующего подслоя наносят пленку с электронным типом проводимости (например, сернистую медь), затем наносят электролюминофор, поверх которого наносят пленку с высокой диэлектрической прочностью (на пример, моноокись кремния).
СмотретьЗаявка
1056717
Ленинградский электротехнический институт В. И. Уль нова
Э. Д. Головкина, В. В. Пасынков, Г. А. Савельев, Н. Н. Семе
МПК / Метки
МПК: H05B 33/10
Метки: электролюминесцентногоустройства
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-197757-sposob-izgotovleniya-ehlektrolyuminescentnogoustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления электролюминесцентногоустройства</a>
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку
Номер патента: 1484193
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...
Полимерная композиция для пленки-подложки в электронно микроскопическом исследовании порошкообразных материалов
Номер патента: 975744
Опубликовано: 23.11.1982
Авторы: Левенталь, Литвинов, Масхулия, Персинин, Серебряков, Яровицин
МПК: C08L 33/10, G01N 23/225, G01N 25/14
Метки: исследовании, композиция, микроскопическом, пленки-подложки, полимерная, порошкообразных, электронно
...пленок является то, что при Оработе с большими увеличениями, когда требуется значительная плотностьтока электронного пучка, указанныепленки оказываются недостаточно устойчивыми и, кроме того, под действием дневного света они быстро делаются хрупкими и пребывание их насвету в течение нескольких часовдостаточно, чтобы пленки быстро разрушились в результате электронной р 0бомбардировки. Цель изобретения - улучшение стойкости пленки-подложки к электрон ному облучению и устранение агломерации частиц порошкообразных мате. риалов.Поставленная цель достигается тем, что полимерная композиция для пленки-подложки в электронно-микроскопическом исследовании порошкообразных материалов, включающая полимер и растворитель, в качестве полимера содержит...
Устройство для индукционной сварки трубчатых деталей из многослойной пленки с металлическим слоем
Номер патента: 1053737
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Рудольф, Энгельберт
МПК: B29C 27/04
Метки: индукционной, металлическим, многослойной, пленки, сварки, слоем, трубчатых
...неэлектропроноднам наполнителем устраняет опасность.ного материала н шлиц и предотвращает коробление поверхности боковыхчастей головки тюбика,Выполнение матрицы из двух частейпозноляет снизить производственные З 5затраты и приспособить ее к различным формам трубчатых деталей, анаправляющая гильза с коническимвходным отверстием обеспечиваетлегкое введение и точное центрированне оправки с трубчатой частью иголовкой тюбика относительно катушки.На фиг, 1 изображен пример выполнения устройства с изолирующим элеметом," на фиг, 2 - то же, вид снизу;на фиг, 3 - пример выполнения устройства с подвижными друг оносительно друга частями матрицы.Устройство для индукционной сварки трубчатых деталей из многослойной опленки с металлическим слоем...
Способ отслоения пленки-подложки при изготовлении препаратов для электронной микроскопии
Номер патента: 859862
Опубликовано: 30.08.1981
МПК: G01N 1/36
Метки: изготовлении, микроскопии, отслоения, пленки-подложки, препаратов, электронной
...что значительно усложняет процесс, увеличивает расход формвара и увеличивает брак. Кроме того, необходимо каждый раз готовить свежий раствор формвара, тщательно контролируя и подбирая его концентрацию, при,этом для облегчения отслоения пленки-подложкиЭаказ 7536/64 Тираж 907 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал П 1 П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 приходится спеЦиально испольэовать стекла с неровной поверхностью, что ухудшает качество пленки-подложки.Цель изобретения - упрощение способа и уменьшение брака.Указанная цель достигается тем, что при осуществлении способа отслое. ния пленки-подложки при изготовлении препаратов путем погружения...
Пленка подложка для культивирования животных клеток
Номер патента: 1251528
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Волгин, Гаврилюк, Иваницкий, Лазарев, Николаева
МПК: C12N 5/02
Метки: животных, клеток, культивирования, пленка, подложка
ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА ДЛЯ КУЛЬТИВИРОВАНИЯ ЖИВОТНЫХ КЛЕТОК, содержащая коллаген и связующий агент, отличающаяся тем, что, с целью улучшения пролиферирующих и физико-механических свойств подложки, в качестве связующего агента она содержит латекс натурального каучука, а коллаген используют в кислой форме при следующем соотношении компонентов, %:Коллаген - 10 - 99,5Латекс натурального каучука - 0,5 - 90
Предыдущий патент: Способ получения электролюминесцентныхизделий
Следующий патент: Устройство для программирования намотки рулонных конденсаторов
Случайный патент: Устройство для травления органических объектов