Патенты с меткой «карбиде»
Способ создания диодного источника света на карбиде кремния
Номер патента: 430797
Опубликовано: 05.07.1976
Авторы: Белоусова, Ефимов, Круглов, Павличенко, Рыжиков, Строганова
МПК: H05B 33/10
Метки: диодного, источника, карбиде, кремния, света, создания
...при постыл дисл Недостат сительно не 100 нит при но, вследств тельных акт с участием Целью из производим источников сти по осн вие, весьма та выхода г Поставле зультате ра бора из газ да кремния бочных ком430797 Формула изобретения Составигель Е. Сафонова Техред Т. Зимина"ака 1 бз; 3 Изд. Ъ. 128 Тпрахк 1029 11 одвпсное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 приборов имели однородную электролюминесценцию, яркость которой составляла 150 - 300 нит при плотности тока 0,45 а/см (ток 10 ма) и 250 - 600 нит при плотности тока 0,9 а/ом (ток 20 ма), Необходимо также гпочеркнуть, что на стандартных кристаллах процент выхода...
Способ определения связанного углерода в бериллии и его карбиде
Номер патента: 592749
Опубликовано: 15.02.1978
Авторы: Никольский, Панов, Фаизов
МПК: C01B 31/00
Метки: бериллии, карбиде, связанного, углерода
...связанная с растворимостью метана в водных растворах. Способ длителеч, кроме того, образующийся в процессе разложения навески метан не отделяется от сопутствующих газов и не концен592749 Составитель А, ЖаворонковаТекред И. Рыбкина Корректор И. Симкина Редактор Е. Хорина Заказ 973/27 Изд.194 Тираж 671НПО Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Тип. Харьк, фил. пред. Патент трируется в малом объеме. Это обстоятельство вынуждает анализировать метан не во всем обьеме собранного газа, а в его аликвоте.Целью изобретения является повышение точности и сокращение времени анализа.Поставленная цель достигается предлагаемым способом определения связанного углерода...
Способ определения свободного кремния в карбиде кремния формы
Номер патента: 1781585
Опубликовано: 15.12.1992
МПК: G01N 1/00, G01N 31/00
Метки: карбиде, кремния, свободного, формы
...со свободнымкремнием невелико, что приводит к недопустимо большим случайным относительнымпогрешностям анализа.При Сксго,Сс+ Сэ аналитический, сигнал перестает зависеть от Св, Посколькуслучайная погрешность анализа может составлять 20 отнто Ск сг о должно превышать Сс+ 1,3 Св.Обоснование выбранных параметровподтверждается следующими примерами,Было проведено 10 экспериментов. Длявсех экспериментов изготовили синтетическую смесь 4,80 г измельченного карбидакремния а-формы, не содержащего сажи исвободногокремния, 1,00 г сажи и 1,00 гизмельченного элементного кремния, Массовая доля свободного кремния в смеси -2,000 .Смесь анализировали в различных условиях (см. таблицу) в соответствии со следующим ходом анализа,П р и м е р. Две навески по...