Измеритель мощности ик-излучения

тОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Соцреалистических Республик(45) Дата опубликования описания 03.02.77(51) И, Кл. Н 01 1. 31/14 Государственный комнтет Совета Мнннстров СССР оо делам нэооретеннй н открытнй(72) Лвторы изобретения Ордена Ленина физико-технический институт им. А, ф. Иоффе(54) ИЗМЕРИТЕЛЪ МОЩНОСТИ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к фотоэпектрическим устройствам и может быть испопьзовано в квантовой электронике дпя измерения энергических и временных характеристик излучении пазеров в области длин волн боль-ше 1,8 мкм,Известны неохпаждаемые устройства дпя измерения мощности ИК-изпучения СО -па зеров с длиной волны 10,6 мкм, выпопненные из однородного монокристапча ды рочного германия в виде бруска ипи ципиндра с двумя контактами на боковой поверхности, нанесенными в направпении распространения излучения, При попадании изпучения на торцовую поверхность фотопри емника на его контактах генерируется продопьнвя фото-е,д.с. увеличении, величина которой пропорционвпьна мощности падающего излучения, Однако указанные фотоприемники имеют низкую фоточувствитепь ность и недостаточную точность измерений мощности линейно попяризованного излучения.Бель изобретения- повышение отношения сигнал-шум и увепичение точности измере ния мощности и временных характерис 2тик импульсов излучения измерителей на основе дырочного германия, в также повышение временного разрешения и ослабления влияния импульсных помех нв точность измерений энергетических и временных характеристик световых импульсов этими измерителями.Бель достигается тем, что монокристапп дырочного германия ориентирован и эпектрические контакты нанесены в направлении криствллогрвфической оси ( 111, совпадающей с направлением распространения света в кристалле, и охватывают фотоприемник по всему периметру.Экспериментапьно уствновпено, что при одной и той же длине и площади фотопри емника отношение сигнвп-шум принимает максимальное значение при ориентации кристаппа дырочного германия в нвпрввпе нии оси 111 и имеет минимальную величину дпя ориентации 11001, При этом отношение сигнап-шум дпя фотоприемников с контактами в направлении оси 1 11 Ц воз растает в 2,5 раза, по сравнению с фотоприемниками с контактами в направлении оси475907 Составитепь Г. КорниловаРедактор Г. Яковлева Техред М. Левицкая Корректор Н, Золотовская Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб,: д. 4/5Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 11001 и оказывается больше в 2,2 раза, чем в фотоприемниках из неориентированного дырочного германия, Замена точечных электрических контактов на кольцевые контакты, охватывающие фотоприемник ло всему пери метру снимает ограничение точности измерения мощности излучения на уровне примерно 15% фотоприемника с точечными контактами, которое связано с угловой зависимостью величины измеряемой продольной фо то- э.д.с. увеличения при повороте фотоприеника вокруг луча света, Наряду с угловой зависимостью устранено влияние паразитных фото-э,д.с. и точность измерения мощности изпучения доведена до точности 15 регистрирующего прибора.Измеритель мощности и временных параметров излучения лазеров работает следующим образом.Измеряемое излучение падает на переднюю грань фотоприемника и за счет поглощения излучения свободными носителями на его электрических контактах генерируется фото-э.д.с., величина которой пропорциональна мощности изпучения, а ее форма повторяет форму импульса излученияразрешением, опредепяемым переходнойхарактеристикой усипитепя. Импульс напряжения с усилителя подается на регистрирующее устройство, где фиксируется егоамплитуда и временные параметры. формула изобретения Измеритепь мощности ИК-излучения, выполненный на основе дырочного попупроводника с ионизированными примесными центрами, например германия, энергетические контакты которого расположены на боковой поверхности, о т и и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения отношения сигналшум и увеличения точности измерения, при емная площадка выполнена перпендикулярно оси 1117 в полупроводниковом кристалле.