H01L 31/04 — предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы

Страница 2

Оптоэлектронное устройство

Загрузка...

Номер патента: 1806423

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Долгий, Евтихиев, Есепкина, Королев-Коротков, Лавров, Шестак

МПК: H01L 31/04

Метки: оптоэлектронное

...шайбы 2 меньше размера чувствительных элементов матричного ПЗС-фотоприемника, то свето- волоконная шайба достаточно точно передает распределение излучения светодиодов в пространстве и во времени на матричный ПЗС-фотоприемник.При равенстве поперечного размера полосок светодиодов размеру элементов матричного ПЗС-фотоприемника, и шага полосковых светодиодов шагу элементов матричного ПЗС-фотоприемника, диаметр световолокон должен быть меньше размера чувствительных элементов матричного ПЗС-фотоприемника по крайней мере в три раза. Если поперечный размер полосок светодиодов кратен (т.е, в и раз больше) размеру элементов матричного ПЗС-фотоприемника, а шаг полосковых светодиодов кратен шагу элементов матричного ПЗС-фотоприемника,...

Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в электрическую энергию

Загрузка...

Номер патента: 1806424

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Губа, Походенко

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, света, твердотельный, фотогальванический, электрическую, элемент, энергии, энергию

...ацетонитрилом и сушат на воздухе. Эту операциюпроводят три разй. В результате допирования полимера пентахлоридом сурьмы бесцветная пленка ПЭПК приобретает зеленуюокраску, а в спектре поглощения появляетсяполоса с максимумом 800 нм, принадлежащая катион-радикальному карбазольномухромофору,3.Спектр поглощения допированногоПЭПК снимают на спектрофотометре"БресогО ОЧЧ Г, при этом пленку полимерананосят на кварцевую оптически прозрачную пластину и допируют описанным вышепутем. Толщину пленки допированногоПЭПК на теллуриде кадмия определяют спомощью интерферометра Майкельсона иоона составляет порядка 200 А. а ее удельную электропроводность, равную 6,10 см, - стандартной методикой с использованием 4-х точечного зонда, На поверхность пленки...

Омический контакт к кремниевому солнечному элементу

Загрузка...

Номер патента: 1635843

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Зиновьев, Зубков, Прохоцкий

МПК: H01L 31/04

Метки: контакт, кремниевому, омический, солнечному, элементу

...35 мас.оь снижается адгезионная прочность контактов из-за высоких внутренних напряжений в слое.Оптимальная толщина дополнительного слоя 3 алюминийникелевого сплава с содержанием алюминия 20-35 мас, составляет 60-1000 нм, При уменьшении толщины этого слоя меньше 60 нм несколько снижается адгеэионная прочность контакта из-за несплошности слоя в виде множества проколов. При увеличении толщины слоя больше 1000 нм снижается прочность контактов из-за возрастания в слоях внутренних напряжений. Следует отметить, что слои алюминийникелевых сплавов имеют близкие коэффициенты термического расширения, что снижает термические напряжения в контактах и повышает надежность работы солнечных элементов при колебаниях температуры. Переходный слой 4 между...

Солнечный фотопреобразователь

Номер патента: 1003702

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Андреев, Задиранов, Зимогорова, Ивентьева, Мырзин

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, фотопреобразователь

СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий p - n - p(n - p - n)-полупроводниковую гетероструктуру на основе твердых растворов алюминия - галлия - мышьяка с омическими контактами ко всем слоям, в которой ширина запрещенной зоны n-слоя (p-слоя) больше, чем ширина запрещенных зон p-слоев (n-слоев), и нагрузочный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД при одновременном расширении спектра фоточувствительности, в фотопреобразователь дополнительно введены два нагрузочных элемента, слой на основе твердых растворов галлия - мышьяка - сурьмы с содержанием антимонида галлия 15 - 30 мол. % с омическим контактом к нему, при этом дополнительный слой расположен на тыльной стороне фотопреобразователя, а нагрузочные элементы включены между...

Солнечная батарея

Номер патента: 1774796

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Петлин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая плоские солнечные элементы и плоские отражатели солнечного излучения, расположенные под углом 45o к плоскости солнечной батареи, отличающаяся тем, что, с целью улучшения энергоэкономических показателей батареи, солнечные элементы и отражатели имеют одинаковые геометрические размеры и образуют друг с другом двугранный угол, равный 90o, причем для солнечной батареи с односторонней или двусторонней рабочей поверхностью солнечные элементы выполнены односторонне- или двустороннечувствительными соответственно.

Солнечная батарея

Номер патента: 1598781

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Герасименко, Петлин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

1. СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая основание, токоотводящие шины, двусторонние солнечные элементы, установленные на основании рядами и подключенные к токоотводящим шинам, отражатели солнечного излучения, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельной электрической мощности и упрощения технологии изготовления, прямоугольные солнечные элементы выполнены плоскими и ориентированы фоточувствительными слоями перпендикулярно основанию, отражатели солнечного излучения выполнены в виде отдельных плоских прямоугольных пластин или цельной гофрированной ленты и расположены между рядами солнечных элементов, причем грани отражателя образуют угол 45 - 15o к солнечным элементам, а расстояние между рядами солнечных элементов в 1 - 2 раза больше...

Приемник электромагнитного излучения

Загрузка...

Номер патента: 1825246

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Емохонов, Клягин, Тальрозе, Шиляев

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, приемник, электромагнитного

...и поглощающим покрытием, а гакже изоляция области контактов слоем диэлектрика позволяет повысить напряжение пробоя чувствительного элемента по его поверхности и, следовательно, увеличить напряжение питания 1 ойо, Пои выполнении соотношения И с 1 +с 1 +с 3 +бог у 2быстродействие приемника не ухудшается за счет инерционности тепловых процессов. Таким образом, предложенная совокупность признаков является существенной для увеличения чувствительности приемника, так как увеличивается коэффициент температурного сопротивления, величина коэффициента поглощения излучения К и возможно увеличение напряжения питания.Изобретение поясняется чертежом (фиг. 1), нэ котором представлено поперечное сечение приемника; на фиг. 2 - зависимость коэффициента...

Фотоэлектрический преобразователь

Номер патента: 1128730

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Зингер, Левченко, Шмырева

МПК: H01L 31/04

Метки: фотоэлектрический

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ с инверсионным слоем, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой с встроенным зарядом и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и стабильности параметров, диэлектрический слой выполнен из поликристаллического сегнетоэлектрика и поляризован в направлении, перпендикулярном поверхности полупроводниковой подложки.

Детектор импульсного ионизирующего излучения

Загрузка...

Номер патента: 1814399

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, импульсного, ионизирующего

...заряда электронов на полосках путем экстракции положительного заряда из внешней цепи. Тем самым происходит накопление заряда на полосках. Сохранение заряда на полосках обеспечивается следующими условиями. Высота барьера между металлом полоски и полупроводником должна быть максимальной, чтобы обеспечить стеканию заряда за счет процессов переноса различного типа. Наиболее удачным материалом для полосоки ч применительно к соединениям А В , в которых высота барьера сильно зависит от электроотрицательности заряда металла, является медь, которая, являясь пластичным материалом, что является определяющим фактором для процесса прессовки детектора, и имея высокую температуру плавления (1063 С), позволяет проводить термический отжиг по...

Детектор импульсных ионизирующих излучений

Номер патента: 1217105

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Петров, Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучений, импульсных, ионизирующих

Детектор импульсных ионизирующих излучений, содержащий выполненный из теллурида кадмия чувствительный элемент, с одной стороны которого расположен изолирующий слой, на котором расположен первый металлический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения временного разрешения при обеспечении высокой чувствительности детектора, чувствительный элемент выполнен из пассивного слоя нелегированного прессованного полуизолирующего теллурида кадмия толщиной d1 и прилегающих к нему активных слоев поликристаллического рекристаллизованного теллурида кадмия толщиной d2, меньшей длины дрейфа носителя заряда, причемгде m

Бис(индийфталоцианин)-фталоцианина в качестве материала двухслойного солнечного элемента

Номер патента: 1508563

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Альянов, Ананьева, Мелконян, Федоров, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 31/04

Метки: бис(индийфталоцианин)-фталоцианина, двухслойного, качестве, солнечного, элемента

Бис(индийфталоцианин)-фталоцианина формулы в качестве материала двухслойного солнечного элемента.

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь

Номер патента: 673088

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Далецкий, Евдокимов, Заявлин, Леонихин, Летин, Рыбин, Холева

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок базовой области, площадь которого составляет 5-10% от площади фотопреобразователя, выполнен свободным от p-n перехода и содержит, по крайней мере, два омических контакта, расположенных на одной из его сторон.

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь

Номер патента: 743506

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Балтянский, Бордина, Далецкий, Дорохина, Заявлин, Каган, Летин, Любашевская, Рябиков, Чернов

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности, слои с противоположным типом проводимости расположены друг от друга на расстоянии, превышающем диффузионную длину не менее чем на порядок, при этом на одну из рабочих поверхностей выведены участки базовой области, примыкающие к торцам фотопреобразователя, на...

Солнечная батарея с шунтирующими диодами

Номер патента: 1436793

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Горячева, Далецкий, Летин, Тюркин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, диодами, солнечная, шунтирующими

1. Солнечная батарея с шунтирующими диодами, содержащая каркас с несущей подложкой, модули скоммутированных солнечных элементов и шунтирующие диоды, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности и ресурса батареи, перпендикулярно тыльной стороне подложки расположены полосы из диэлектрика, одна сторона которых содержит металлизированные участки, на которых расположены шунтирующие диоды.2. Солнечная батарея по п.1, отличающаяся тем, что каждая полоса из диэлектрика на стороне, не содержащей металлизированные участки, имеет покрытие из теплорегулирующего материала.

Солнечная батарея

Номер патента: 1395055

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Виноградов, Гаценко, Гибадулин, Иванов, Калмыкова, Кузнецов, Летин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

Солнечная батарея, содержащая несущую панель с тканевой или сеточной основой, фотопреобразователи и модули из них с держателями в виде сборных узлов, каждый из которых состоит из стержня, пропущенного через основу и загнутого с тыльной стороны панели, площадки на другом конце стержня, закрепленной на дополнительной, примыкающей к фотопреобразователю стеклянной пластине через прокладку из материала, обладающего адгезией к площадке и пластине, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности и надежности конструкции, площадка стержня расположена между фотопреобразователем и стеклянной пластиной с отверстием, через которое пропущен стержень.

Многопереходный фотопреобразователь

Загрузка...

Номер патента: 1114272

Опубликовано: 27.04.2008

Авторы: Солодуха, Фисенко, Шкаранда

МПК: H01L 31/04

Метки: многопереходный, фотопреобразователь

Многопереходный фотопреобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с множеством чередующихся вертикальных легированных зон n- и p-типа проводимости и электрические контакты на тыльной поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования путем устранения рекомбинационных потерь и уменьшения последовательного сопротивления, легированные зоны одного типа проводимости изолированы от контактов, соединяющих слои p +- и n+-типа, которые сформированы на тыльных поверхностях соседних вертикальных зон второго типа проводимости и образуют на каждой из них рабочий и изотипный переходы, при этом толщина полупроводниковой пластины меньше...