Акперов

Номер патента: 1770551

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Ага-Заде, Акперов, Кац, Мамедов, Рзабеков, Сулейманов

МПК: E21B 43/20, E21B 43/22

Метки: заводнении, заводнения, неоднородных, пластов, циклическом

...известно, после прокачки водногораствора палиакриламида через пористуюсреду, подвижность еады, фильтрующейсявслед за нею, снижается в несколько раз,т,е. проявляется так называемый, остаточный фактор сопротивления, Это свойствоприводит к тому, что значительная часть закачиваемай воды накапливается в высокопроницаемых зснах, повышается ихдавление и происходит капиллярнае впитывание воды в нефтенасыщенные пары, т,е.обеспечивается увеличение охвата менеепраницаемых зан заводнением. Далее, прекращают закачку воды или уменьшают ееобъем, т,е. начинается полуцикл сниженияпластового давления. При этом, происходятперетаки нефти в высакопроницаемые зонци образуют вал нефти. Она вытесняется вследующем палуцикле повышения давления пласта, При этом,...

Номер патента: 1651388

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Акперов, Багиров, Джафаров, Кабулов, Малин, Мехтиев, Топчева

МПК: H05F 1/02

Метки: антистатическая, композиция, полимерная

...кприобретению заряда посредством воз,действия униполярного коронного разряда при системе электродов игла -плоскость. Длина игл составляет 1 см,диаметр острия 0,4 мм. Иглы располагают на расстоянии 1 см от .заряжаемого образца, Время зарядки составляет 10 мин а напряжение зарядки8 кВ. Электродную разность потенциалов ипи компенсирующее напряжение01 определяют методом вибрирующего 25электрода. Поверхностную плотностьзаряда б вычисляют по формулеЕЕ Цке м мЬ фгде Я и Ь - диэлектрическая проницаемость и толщина композиции 1- диэлектрическая проницаеомость вакуума.Погрешность измерения б составляет. б . За антистатические характеристики принимают 0 7 ), измеренныеКо О ф,сразу же после зарядки, и время полНого спада заряда ь ,лЕмкость и...

Номер патента: 1585312

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Агаев, Акперов, Джалилов, Джафаров, Плаксунов, Томашенко

МПК: C08K 13/02, C08L 23/06

Метки: высоконаполненная, композиция, полимерная

...и м е р ы 20-26. При заданных соотношениях ПЭВД и отход производст- О ва контактно-зЕмельной очистки масел гумбрином предварительно смешивают между собой и загружают .в бункер двух- червячного смесителя СН, где при 150-170 С происходит смешение компонентов,П р и и е р ы 27"30. Заданное количество глины гумбрин и прокатного масла Псмешивают между собой. Полученную смес ь соединяют с ПЗВД и вс еперемешивают. Загружают в бункер смесителя СНи проводят повторнуюгрануляцию при 160-180 С,П р и м е р ы 31-34 (известные).Композицию получают предварительнымперемешиванием всех добавок и напол-нителей при 140-150 С в течение 15 мини последующим вводом их в расплав смеси полимеров (ПЭВД и сополимера этилена с винилацетатом в соотношении...

Номер патента: 1362930

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Акперов, Бандурин, Сукиязов

МПК: G01C 17/30

Метки: датчик, курса, магнитного

...клем-, мой. Кроме того, параллельно соленоидам подключены переменные резисторы О и .Устройство работает следующим образом. При задании азимута движения объекта регулирования, датчик магнитно-, го курса, укрепленный на горизонтальной стабилизированной платформе, ориентируют так, чтобы оси соЛеноидов были перпендикулярны магнитному иере- диану (для получения максимальной чувствительности). Затем с помощью резисторов 1 О и 11 добиваются нулевого сигнала в регистраторе 8, При движении объекта заданным курсом сигнал на выходе устройства не появляется. При отклонении от заданного курса появляется разностный сигнал, который поступает на регистратор 8. Знак сиг" нала зависит от того, в какую сторону произошло отклонение от курса, а его величина...

Номер патента: 1307533

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Акперов, Смоленский, Стильбанс, Тагиев, Токарбаев, Шер

МПК: H03C 7/00

Метки: модулятор

...также нагрузку, подключенные к преобразователю, в состав которого входит магнитопровод с обмотками, выполненный из магнитомягкого материала, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения рабочего интервала температур, генератор несущего сигнала и нагрузка подключены соответственно к входной и выходной обмоткам преобразователя, а его магнитопровод выполнен из материала с линейной зависимостью магнитной проницаемости от температуры в рабочем интервале температур и находится в тепловом контакте с вновь введенным термоэлементом Пельтье, вход которого соединен с генератором модулирующего сигнала,2. Модулятор по п. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что магнитопровод преобразователя выполнен из материала с узкой областью линейной...

Номер патента: 1278955

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Акперов, Сеидов, Смоленский, Стильбанс, Тагиев, Токарбаев, Шер

МПК: G11B 11/10

Метки: записи, термоэлектрической

...1 10 выполнен в виде металлических стержней, обладающих высокой термоЭДС и снабженных электроизоляционными опорами 4, укрепленными в термостате 2, Металлические стержни могут быть выполнены, например, из металлического сплава хромель-алюмеля или из металлического сплава нихромконстантана. Термоэлемент 1 сопряжен с носителем 5 записи, соединенным через резистор 6 с источником 7 питания. Носитель 5 записи выполнен из ферримагнетика, например из 36 ЙОз 5 Ре 20 з, имеющего точку компенсации 285 К. При этом носитель 5 записи также размещен внутри термостата 2,Устройство работает следующим образом.Внутри термостата 2 поддерживается температура, соответствующая точке компенса ции ферримагнетика, из которого выполнен носитель 5 записи. В...

Номер патента: 375011

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Акперов, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...дпя - типа, Различие в параметрах решетки не бо лее 4%, по сравнению с материалом облучае мой поверхности попупроводниковой структур ры. Это позволяет избавиться от поверхнос 1 ных состояний и создать на поверхности пь лупроводниковой структуры такойотенциальный барьер, электрическое поле которого бу дет отталкивать неосновные носители от гра ницы раздела в глубь полупроводниковой стру туры, В такой конструкции фоточувствитель ного прибора поверхностная рекомбинации практически сведена к нулю.аж 976 венного элам из ква, ЖПодписноекомитета Совета Министробретений и открытий35 Раушская ндб., д. 4/ илидл П 11 П 1 мент", г. Ужгород, ул, Проектная,3780зНа чертеже показан предпоженный прибор,один нз вариантов.,Фотосопротивпеяие выполнено нз...

Номер патента: 539160

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Акперов, Атакишиев, Нагиев, Насиров, Тахмазов, Эфендиев

МПК: F04B 47/00

Метки: глубинный, насос, штанговый

...выполнены сквозные каналы а, наклоненные в сторону движения перекачцваемой жидкости, а наружная поверхность плуцжера в месте выхода каналов в зазор имеет форму усеченного конуса 5, Оси каналов иобразующце конуса составляют с осью плунжера угол а, равный 15 - 20. Нагнетательцый клапан 4 установлен ниже канала а.Насос работает следующим образом.Прц ходе плунжера 2 вверх происходит утечка Р, жидкости в зазоре между плунжером 2 и цилиндром 1 за счет разности давлений в полостях А п Б. Давления от столба жидкости в насосно-компрессорных трубах в полостях А п В равны. Поток жидкости з по наклонному каналу а направляется в кольцевую коническую полость Г под действием разности давлений в полостях В ц Г. Ударившись о неподвижную внутреннюю...

Номер патента: 471375

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Акперов, Именков, Попов, Царенков, Шер, Яковлев

МПК: C09K 1/00

Метки: раствор, твердый

...излучающей области светодиодных преобразователсй электрической энергии в световую энергию.Известен твердый раствор ба =А 1,.Аз:51 с содержанием кремния 5 10"см - , который может быть использован для изготовления излучающей области светодиодов.Однако известный материал имеет низкий 10 квантовый выход электролюминесценции в красной области спектра - 0,025%, что ограничивает область применения этого экономичного материала.Предлагаемый твердый раствор отличается 15 от известного тем, что кремний в него вводят в количестве 3 10" - 5 10"см впри следующем соотношении компонентов, ат. %: галлий 25 - 49, алюминий 1 - 25, мышьяк 50, кремний 0,0000007 - 0,000002, 2Это отличие обеспечивает увеличение внешнего квантового выхода электролюминесценции в...

Номер патента: 339248

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акперов, Именков, Ордена, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 29/06

Метки: индуктивный, полупроводниковый, элемент

...зоны на 25 границе с первым полупроводниковым слоембольше, чем ширина запретной зоны первого полупроводника, и плавно уменыпается по направлению к омическому контакту, Металлические слои образуют с прилегающими к ним ЗО полупроводниковыми слоями омический кон339248 Предмет изобретения Составитель Л, КотТекред Т, Миронова Корректоры Е, Талалаева и В. ЖолудеваРедактор Т. Орловская Заказ 824/1 Изд. Ме 1239 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытии при Сонете Министров СССР Москва, Ж, Раушская иаб д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 такт. Между двумя полупроводниковыми материалами. имеется потенциальный барьер.Полупроводниковый прибор с управляемым реактивным сопротивлением состоит из слоя индия, слоя...