H03C 3/22 — с полупроводниковым диодом, например диодом типа “варикап”, т.е. полупроводниковым конденсатором

Номер патента: 413598

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: H03C 3/22

Метки: 413598

...за11 ио 9.1 /ОВВ оВы Изп. М 1210 ж 8 Заказ 1251/1 одписн пография, пр. Сапунова,8Г 1 ри рассогласовапии с другого конца лици;: задержки имеет мцс,гогорбую амплитудно-частотную хаоактеристику. Для возбуждения и цоддержа 11 и 1 усаойчивой генерации необходимо, чтобы фаза колебаний на концах лицин задержки была кратна периоду резонансной частоты. Это условие соблюдается только на тех резонансных частотах линии задержки, ца которых полное сопротивление параллельного колебательного контура также выше ее волнового сопротивления, В результате, перестраивая колебательный контур с помощью варикапов 4 и 5 путем подачи через резистор 7 манипулирующего многочастотного сигнала, можно многократно дискретно переключать частоту геперируе:, ых...

Номер патента: 474900

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Ковалев, Петров

МПК: H03C 3/22

Метки: генератор, частотномодулированный

...Резистор 3 служит одновременно ц согласованной нагрузкой гецератора модулирующего сигнала. Резисторы 1, 5 выполняют роль делцгеля напряжения.Резистор 6, конденсаторы 7, 8 ц дроссель 9 являются цепью, через которую модулпрующее напряжение подается на варикап 2.Через разделительный конденсатор 10 частотномодулированный сигнал поступает ца агрузку. Модулцрующее напряжение, постуающее на базу транзистора 1, изменяет отицатсльцую индуктивность транзистора 1.Одновременно модулирующее цапряжсццс поступает на варцкап 2, изменяя его емкость, а так как эта емкость является одним цз элементов колебательной системы, то это приводит к изменению эквивалентной емкости контура.Такая подача модулцрующего напряжения (ца базу триода ц варцкац...

Номер патента: 594575

Опубликовано: 25.02.1978

Автор: Биберман

МПК: H03C 3/22

Метки: генератор, частотно-модулированный

...диодом 3 в емкостной ветви 4, дифференциальное сопротивление которого автоматически регулируется с помощью подключен ной к туннельному диоду 5 через разделительный конденсатор 6 цепи, состоящий из последовательно соединенных буферного широкополосного усилителя 7, амплитудного детектора 8 и усилителя 9 постоянного тока, 25 параллельно колебательному контуру включена цепь из последовательно соединенных конденсатора 10 и точечного полупроводникового диода 11, а источник 2 управляющего сигнала подсоединен между анодом дио- М да этой цепи и обшей шиной, параллельно входу буферного широкополосного усилителя 7 через дополнительный разделительный конденсатор 12 подключен дополнительный туннельный диод 13, соединенный через первый переменный...

Номер патента: 794709

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Александров, Петров, Сухомлин

МПК: H03C 3/22

Метки: сигналов, формирователь, частотно-модулирован-ных

...б, регули. руемый резистор б, первый 7 и второй 8 дифференциальные усилители, охваченные отрицательной обратной связью 9, второй диод 1 О, резисторы 11 и 12.Формирователь работает следующим обПри отсутствии модулирующего сигнала устройство выдает колебания несущей частоты, Модуляция осуществляется подачей модулпрующего напряжения,на неинверти,рующие входы усилителей 7 и 8, которые симметрично подключены к источнику модулирующего сигнала.При положительной полярности модулирующего напряжения на входе усилителя 8 и отрицательной на входе усилителя 7 модулирующее,напряжение поступает через конденсатор 3 и резистор 4 на катод и через диод 10 и резистор б ,на анод вари- капа 2.При отрицательной полярности .модулирующего напряжения на входе...

Номер патента: 1020967

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Никонов, Худяков, Янкевич

МПК: H03C 3/22

Метки: модулятор, частотный

...затворам транзистора преобразовательного транзисторного каскада, первый и второй варикапы, включенные между соответствующими иэ дросселей, другие выводы которых объединены и являются входом модулирующего сигнала частотного модулятора и соответствующим С-колебательным контуром, исток транзистора преобразовательного транзисторного каскада посредством автотрансформаторной связи соединен с первым и вторым 1 С-колебательными контурами, варикапы подключены противофазно к .С-колебательным контурам, причем первый варикап 5 а 5 20 25 зо 35 4 о 45 50 55 соединен с источником питания черезвведенный регулируемый делитель напряжения,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема частотногомодулятора.Частотный модулятор содержит...

Номер патента: 1141557

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Васильев, Тучный

МПК: H03C 3/22

Метки: модулятор, фазовый

...нелинейностью модуляционнойхарактеристики вследствие того, чтоона обусловлена в большей степени40нелинейной зависимостью емкостиварикапа от моцулирующего сигнала.При этом в состав нелинейных искажений закона модуляции существенныйвклад вносят четные гармоники, наличие которых связано именно с этойзависимостью,Цель изобретения - повышение линейности модуляционной характеристики.,Фильтра, а один перестраиваемый избирательный фильтр выполнен полосовым другой перестраиваемый избирательный фильтр выполнен режекторным, а варикапы режекторного и полосового Фильтров имеют противоположный закон изменения емкости в зависимости отмодулирующего сигнала,На чертеже представлена структурная электрическая схема предложенного фазового...

Номер патента: 1555807

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Акопян, Вейнгер, Мехтиев, Пойманов

МПК: H01L 29/00, H03C 3/22

Метки: емкости, модуляции, параметрических, перехода, устройствах

...(б) состояниях выключателя 7 и соответствую щие им временные диаграммы, показывающие характер изменения емкости и-р-перехода (в и г соответственно), при воздействии на него синусоидального напряжения (д).Сущность способа модуляции емкости и-р-перехода в параметрических устройствах заключается в следующемВ случае, когда управляющее напряжение приложено к торцевым электродам 13 и 14 и-р-перехода 12, на его базовую область воздействует электрическое поле, которое направлено параллельно базовой области п-р-перехода, Распределение потенциалов в области с противоположным типом проводимости не зависит от направления электрического поля, воздействующего на базовую область и-р-перехода параллельно ей, Поэтому величина емкости п-р-перехода при...