H01J 1/304 — автоэлектронные катоды

Номер патента: 493834

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Павлов, Рабинович, Савченко, Шредник

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: затупления, катодов, острийных

...этот двухступенчатый цикл обработки для получения большого радиуса острия.Цель изобретения - сокращение продолжительности технологического процесса и выравнивание фактора поля многоострийных авто- катодов.Это достигается тем, что по предлагаемому способу острия прогревают в присутствии электрического поля при таких напряженности и температуре, которые обеспечивают превышение испарения материала с рабочей поверхности острия над диффузией материала на рабочую поверхность.Сущность этого процесса состоит в том, что атомы, находящиеся на поверхности, а также атомы, приходящие на поверхность, ионизуются за счет механизма поверхностной ионизации, усиленной электрическим полем, и 5 испаряются в виде положительных ионов,Скорость этого...

Номер патента: 512505

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Кочерыженков, Паутов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэмиттеров, травления

...требуемое количество электролита, так как по следний расходуется в процессе травления.Целью изобретения является уменьшениетолщины травящей пленки, а также на основе регулирования толщи ы пленки получение возможности управления процессом травления 25 для улучшения воспроизводимости изготовления автоэмиттеров.Поставленная цель достигается Выполнением первого электрода в виде параллельных пластин, между которыми имеется зазор для 30 заливки электролита. 1 аждая пластина имеет512505 Формула изобретения 20 Составитель Г. КудинцеваТехред Е. Подурушина Корректор М. Малкина Редактор Н. Коляда Заказ 1215,10 Изд.1280 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, москва, Я(-35,...

Номер патента: 528631

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Бузников, Дрель, Лещенко, Линник, Майзель, Якубов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, многоострийных, эмиттеров

...с прототипом расширить диапазон материалов, используемых для изготовления ос 25 трий, поэтому наличие пленки двуокиси олована подложке в качестве маскирующего покрытия позволяет получать геометрическую однородность матрицы острий и, следовательно,стабильность параметров и надежность в ра 30 боте, так как пленка двуокиси олова образуетЗаказ 2352/12 Изд. Лгз 1623 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раугиская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ся не за счет монокристалла подложки, и те пература ее образования слишком низка для создания на границе подложка - двуокись олова механических напряжений.Способ, согласно изобретению, описывается следующей...

Номер патента: 546037

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Баженов, Месяц, Чесноков

МПК: H01J 1/304

Метки: импульсных, пучков, электронов

...током первой ступени, много меньше, чемтребуется для закорачивания промежутка анодкатод на уровне напряжения второй ступени и перехода к самостоятельному дуговому разряду. В этих условиях уровнем напряжения второй ступени можно регулиро вать так, отбираемый с катода, во второй ступени импульса напряжения. Таким образом, регулируя ток, отбираемый с катода, возможно регулировать и поступление плазмы в промежуток, поскольку этот ток, проте кая через эмиссионные центры на катоде, создает плазму. Тем самым создается возможность не только уменьшить скоросгь разлета плазмы меньше, чем 2 106 см/сек, но и прои определенных экспериментальных усло виях возможна стабилизация границы эмиссиикак в ооычных стационарных, так и в квазистационарных...

Номер патента: 594540

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Васин, Запорожченко, Раховский

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэмиссионного, источника, стабилизации

...снабжено пьезоэлементоМ, жестко связанс управляющим электродом, а обклвдки пьезоэлемента подключены нв выход блока управления.Отклонение автоэмиссионного тока от заданного рабочего значения с помощью ведения обратной связи по току компенсируется изменением межэлектродного промежутка подачей соответствующего по знаку594540 Составитель Е, МедведевГончар Техред А, Богдан Корректор С. Гврасин едакто Поди Тираж 959И Государственного комитета Спо делам изобретений и откр 5, Москва, ЖРаушская на Заказ 849/50 ноенистров СССР та ытийд. 4/5 11303 илиал ППП "Патентф г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3напряжения на пьезокерамический элемент,С помощью этого элемента осуществляютустановку микронного межэлектродного зазора, что уменьшает вредное...

Номер патента: 630669

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Дранова, Кулько, Михайловский

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронного, катода, острийного

...тока зависит вероятность ионизации распыленных с поверхности катода частиц, присутствующих в потоке бомбардирующих ионов и включающих тяжелые атомы материала катода и комплексы атомов адсорбированного па его поверхности газа. При плотности автоэлектронного тока 10 А/см вероятность иопизации распыленных с поверхности частиц при соударении с автоэлектронами такова, что ионы образуются на различных расстояниях от поверхности, причем энергия этих ионов тем большс, чем дальше от поверхности опи образовались. С увеличением (по мере обострения катода) плотности автоэлектронного тока растет вероятность ионизации электронным ударом атомов, распыленных с поверхности катода, С ростом вероятности ионизации последняя происходит на все меньших...

Номер патента: 641537

Опубликовано: 05.01.1979

Автор: Кузнецов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэмиттером, системы, электродной

...операций размещение кончика автоэлектронного эмиттера в управляющем электроде в оеесте с наибольшим коэффициентом управ.ления осуществляется автоматически, так как церетравливание заготовки, т. е. обрат зование эмиттера, происходит там, где напряженность поля в данной системе электродов максимальна.Предлагаемый способ может быть осу.ществлен следующим образом. Управляющий электрод, который выполняется в виде пластины с отверстием в центре, жестко закрепляется на изоляторах относительно катододержателя. В катододержателе закрепляется заготовка, из которой в дальнейцтем будет изготовлено острие-автоэмнт.641537 Составнтель Г. Кудннцева Редактор Т. Орловская Техред О. Луговая Корректор Л. Веселовская Эаквз 7527/49 Тнрвж ваа Подпнсное ИНИИПИ...

Номер патента: 642789

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Азов, Зырянов, Князев

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэмиссионный, катод

...возможности применения и уменьшение рабочего напряжения.Поставленная цель достигается тем что диэлектрическая подложка презла гаемого катода имеет Форму острия и выполнена из кварца.На чертеже изображено предлагаемое устройство.В устройстве в качестве диэлектрика использована тонкая кварцевая нить 1, изготовленная утоньшением в пламени горелки, Крепление кварцевой нити к металлическому основанию 2 (вольфрамовой проволочке) осуществляется с помощью аквадага 3, Эмиттирующнй слой металла 4 наносится испареНием в вакууме на боковую поверхность нити. Такая конструкция катод обеспечивает эмиссионный ток 10- А при напряжении 1,5-2 кВ. Поскольку на изготовление одного катода используется кусок кварцевой нити около 5 см, а нить толщиной в...

Номер патента: 531423

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Гейшерик, Дранова, Кулько, Михайловский

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронного, катода, локализованной, металлического, эмиссией

...поле до получения радиуса кривизны 10 - 1051, .причем степень деФормации Должна обеспечить плотность дислокаций, удовлетворяющую следующему соотношению:формула изобретения Составитель Г.КУдинцеваТехред Э,Чужик КорректорС.Шекмар Редактор Е.Месропова Эаказ 1133/1 Тираж 922 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП 1 Патент, г,ужгород, ул. Проектная, 4 3 5314 поверхностном слое материала катода одной дислокации. Присутствие дислокации в поверхностном слое толщиной 10 см приводит после испарения в электрическом поле к образованию узкой эмиттирующей полосы на поверхности катода с высокой однородностью 5 эмиссии в ней.Предлагаемый способ...

Номер патента: 725114

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Потокин, Раховский

МПК: H01J 1/304

Метки: источник, электронов

...изобретения является уменьшениевремени коммутации тока, увеличения то аи срока службы катода.Поставленная цель достигается тем, чтокатод состоит из перемежающихся острий,изготовленных по крайней мере из двух материалов, обладающих различными коэффициентами теплопроводности,Материалом с малым коэффитеплопроводности может быть бери30 магний.Материалом с большим ко725114 Формула изобретения 20 Составитель Г. Кудиицева Техред В. Серикова Корректор В. Дод Редактор Н, Коляда Заказ 148/15 Изд.216 Тираж 857 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3теплопроводности может быть алюминий или медь.Изобретение может быть осуществлено...

Номер патента: 767858

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Нешпор, Паутов, Подольская, Ткаченко

МПК: H01J 1/304

Метки: катод, многоострийный, холодный

...холодного катода, на фиг. 3 представлен один из возможных вариантов конструкции катодного узлас многоострийным хрлодным 2 Окатодом.Кусочек 1 ткани, показанный нафиг, 1, сплетен издвух вэаимопересекакюихся совокупностей нитей 2,выполненных, например, на основе 25 " "ДФлеродного полиакрилонитрильноговолокна (ПАН-волокна), причем каждаянить содержит множество (до нескольких сотен) волокон 3 диаметром 710 мкм каждое.ЗОЗаготовка 4 для многоострийногохолодного катода, изображенная наФиг. 2, представляет собой трехмерный монолитный материал, образованный множеством слоев ткани, пропитанных пироуглеродом.Катодный узел, представленный нафиг. 3, содержит многоо 1 трийный холодный катод 5, который вырезан иззаготовки 4 таким образом, что...

Номер патента: 824336

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Баскин, Борисов, Буров, Жуков, Фурсей, Южин

МПК: H01J 1/304

Метки: электронной, эмиссии

...что Ц = КИ, где К - коэффициент отражения, получаем2Сд 1 В фт В С. 6 ЛОтсюда можно найти энергию импульса дополнительного электромагнитного излучения Иа также необходимую длительностьимпульса16 ЛС йТ Лйс Е /ж(С,Из последнего выражения получаемдлительность импульса 1: 1010 "с,которая не занисит от В и 1., а также определяем ИК = 7,5 10" 7,5 10 Дж (Л.= 1 мкм)К = 7,5. 10 7,5 10Дж (А=10 мкм)Лазеры с такими параметрами импульсовизлучения уже применяются н науке итехнике.Таким образом, проведенные расчеты показывают, что даже если электрическое поле, создаваемое источником 2 у катода стремится к нулю, засчет поля дополнительного излучениявозможно получение антоэлектронноготока. Если же, поле создаваемое источником 2, больше нуля, то...

Номер патента: 828261

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Дранова, Ксенофонтов, Кулько, Лазарев, Лазарева, Михайловский

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэмиттерас, локализованной, острийного, эмиссией

...в электрическом поле и термообработку в кислородсодержащей среде, последняя содержит кислород в количестве от50 до 100% числа атомов циркония в сплаве, причем термообработку в кислородосодержащей среде проводят перед электролитическим травлением,При термообработке тугоплавких металлов, легированных цирконием, в кислороделибо углекислом газе в сплавах образуются мелкодисперсные частицы ХгО, характеризующиеся повышенной эмиссионной способностью. Из данных о распределенииэмиссионного контраста на поверхностиострийного эмиттера в автономном режимеследует, что большинство частиц ХгО имеоет размер г = 5 - 10 А.оДля острий радиусом Я 10 А уголэмиссии составляет а = 360= 1,2 Япри этом с увеличением радиуса кривизнывершины эмиттера угол...

Номер патента: 851543

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Дрожжев, Спирин, Фролов

МПК: H01J 1/304

Метки: источник, савтоэлектронной, управляемый, электронный, эмиссией

...прилегающая к боковым стенкам и к анодному слою, неполяризована.На чертеже приведена конструкцияэлектронного источника с автоэлектронной эмиссией,Предлагаемый электронный источниксостоит из подложки 1, представляющейсобой пьезоэлектрический трансформатор поперечно-продольного типа,торец трансформаторной секции которого содержит полость 2 малого размера, внутри которой нанесен иглообраз.;Гехред М. Рейвес Корректор С,Корниенко Редактор Ю. Ков а аж 784, Подписнорственного комитета СССРобретений и открытийва, Ж,Раушская наб., д Заказ б 374/76 Тир НИИПИ Госуд по делам и 113035, Мос4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,ный эмиттер 3, а объем 4, .прилегающий к боковым стенкам полости, неполяризован, причем анодный слой...

Номер патента: 902101

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Коваль, Проскуровский, Янкелевич

МПК: H01J 1/304

Метки: эмиссии

...контрольный эмиттер с заостренным концом, эксплуатируют его в режиме взрывной эмиссии до появления нестабильностиформула изобретения 3 90в работе и в качестве рабочего используют эмиттер с постоянной по сечениютолщиной, на 5-104 меньшей, диаметравершины острия контрольного эмиттера,при котором появилась нестабильностьв его работе,Нижний предел области выбора опти"мальной толщины определяется точностью измерения предельного контрольного диаметра острийного контрольно"го,катода, измеряемой с помощью микроскопа, в то время как верхний предел этой области нецелесообразнобрать выше 10, так как это приводитк увеличению расхода материала катода и уменьшению ресурса его работы.П р и м е р.Первоначально эксплуатируют,острийный катод в...

Номер патента: 951467

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гришин, Ежовский, Петров, Соколов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автокатодов

...1834 25 120 ПрототипЭтанолПрототипЭтанол 620 Этанол 80 1 1 О1 580 174 470 2113 Бензол 150 10 1 2197 1 110 33 Прототип 84 1752 230 Толуол Этанол 1 цикл 2 цикл 3 цикл 150 10 ф 1685 4 751762 4 75 1790 4 , 16 190 120 талла таким образом, что образуется соответствующий альдегид и металл.Реакция взаимодействия спирта с окисленной поверхностью имеет сильную температурную зависимость. Снижение температуры ниже 150 С приводит к резкому снижению скорости стабилизации и степени конверсии. Использование температур больших Д 50 С приводит к уменьшению адсорбции спирта на поверхности обрабатываемого автокатода.При давлении паров спирта ниже 10 Па поверхность катода освобождается не полностью от окисла, а увеличение давления выше 10 Па приводит к...

Номер патента: 966782

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Капралов, Нешпор, Романова, Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автокатода, многоострийного

...рост нитевидных кристаллов такжепрекращается,Выбор диапазона температур определяется скоростью протекания процесса и качеством получаемых нитевидных кисталлов, притемпературе ниже 1200 С процесс становитсяневоспроизводимым и протекает очень медленно, при температуре выше 1500 С драк-,96678 40 а тически прекращается рост кристаллов и ухудшается их качество (структура кристаллов становится несовершенной, а распределение на подножке нерегулярно и с недостаточной плотностью). 5Использование в газовой смеси водорода (вместо аргона) препятствует развитию в газовой смеси объемных процессов, приводящих к выделекию сажистых частиц в процессе роста нитевидных кристаллов, и образованию кристаллов нерегулярной формы, а следовательно, улучшает...

Номер патента: 997128

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Дранова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, катодов

...исследова ния материала приповерхностных облас. тей катода, в результате облучения атомно-чистой и сглаженной поверхности катода ионами инертного газа ( чапример, гелия ). ОДавление инертного газа не должно превышать значения 810торр,выше которого в межэлектродном промежутке развивается разряд, разрушающий катод, С понижением давления инертного газа ниже 510 з торр становитсясущественной ионная компонента остаточных газов в потоке бомбардирующих катод ионов, что приводит к снижению стабильности эмиссии обработанно-го облучением катода.При облучении атомно-сглаженных поверхностей автоэлектронных катодов до различных доз экспериментально обнаружено, что стабильность эмиссии эффективно повьыается пои облучении до дозы...

Номер патента: 1038980

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Егоров, Птицын, Фурсей

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронной, эмиссии

...- напряжение, приложенное кдиоду, В;в .- масса электрона, кГ:е - заряд электрона, кл;причем воздействие электрическим имагнитным полем на автоквтод осуществляют одновременно, а температуру автокатода регулируют в пределах от 77 до 1000 К,Приведенное выражение для 8 соупответствует условию фокусировкиэлектронного пучка. Кроме условияфокусировки необходимо, чтобы в автоэмиссионном диоде вакуум был луч.ше 1 О 9 торр, так как в противном случае из-за адсорбции атомов остаточных газов на поверхности автокатодаэффект повышения его эмиссионнойспособности в магнитном поле становится слабо выраженным. Кроме того,необходимо отметить, что эффект возрастания эмиссионной способности приотмеченных выше условиях существеннозависит от температуры...

Номер патента: 1046795

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Демская, Новиков, Олейник, Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: катода, крепления, острийного

...надежногоконтакта держателя с катодом из непри-мриваемых материалов.Известен способ крепления острийного,катода из гексаборида лаптева к токопроводяшему держателю механическимпутем, когда предварительно заостренныйблок зажимают, например, между полосками из чистого углерода 1 .Недостатками данного;способа являются, ненадежность контакта между катодоми держателем при высокотемпературномнагреве, а также сложность конструкциизакрепляющих элементов катодного узла,Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ крепления острийных катодов к металлическому держателю спомощью термостойкого связующего материала Г 2 3Известный способ крепления производится с помощью термостойкого материала на основе углеродистого стекла, обеспечимя достаточную...

Номер патента: 1054846

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Аксенов, Жуков, Лупехин, Фурсей

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронной, эмиссии

...противоположной полярности ссоизмеримой амплитудой в момент прек, 35ращения импульса рабочего напряжения,вначале на промежуток катод-анод воз-,действуют импульсом напряжения обратной полярности, причем промежутоквремени:между моментом окончания импульса напряжения обратной полярностии моментом приложения рабочего импульса напряжения не должен превышатьзначения, при котором амплитуда импульса эмиссионного тока становитсяравной амплитуде импульса эмиссионного тока, создаваемого только рабочим импульсом напряжения.На чертеже показана энюра напряжения прямоугольной формы( где Од . 5амплитуда дополнительного импульсанапряжения; 0 -амплитуда рабочего импульса напряжения; 1- момент приложения к промежутку катод-анод допол.нительного...

Номер патента: 1069029

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Васичев, Кузнецов, Рыбаков

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронный, локализованной, эмиссией, эмиттер

...поверхцосги острия эмиссионно-активной присадкой, растворенной В его объеме и доставленной ца сго поверхность за счет диффузии с цро 1 ц.ссом тсрмо 1 юлевой перестройки, при которой происходит рельефное выделение наиболее цлотцоуцакованных граней. В результате ца поверхности острия образустс 51 1 икрсвыступы, состоягцие из скоплсп 151 атомов эмиссиоццО.ктиВной присадки, коц 1 сецтр 51 руюсцихся, главным образом, В мсстх цибольшсго градиента электри 1 О 15 20 25 ЗО ческого поля. На микровыступах происходит локальное усиление электрического поля, а также за счет хемисорбционного взаимодействия электроположительного к подложке адсорбата избирательное снижение работы выхода. Суммарный эффект изменения Е и 1 для центральной грани...

Номер патента: 1078492

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Кузнецов, Курочкин

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронный, эмиттер

...достигается тем, что в автоэлектрон нам эмиттере, содержащем цилиндрический керн, на котором расположена проволочная спираль, отношение шага спирали к диаметру проволоки составляет 2 - 3, а витки спирали фиксированы слоем аквадага толщиной 0,5 - 0,8 диаметра проволоки.На чертеже показана схема автоэлектронного эмиттера.Автоэмиттер состоит из стержня-держателя 1, на который навита в виде спирали металлическая проволока 2, слой аквадага для закрепления эмиттера 3.При диаметре навиваемой нити, равном д, шаге навивки К диаметре стержня-держателя 0 и его длине г, площадь внешней эмиттирующей поверхности такого эмиттера (в предположении, что эмиттирует только 1/3 всей поверхности) может быть определена из формулыЭффективная эмиттирующая...

Номер патента: 1088083

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Крылов, Паутов, Ткаченко

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэмиттеров, травления

...Однако известное устройство имеет существенный недостаток, Момент образования острия АЭК (т.е. перетравливание заготовки) существенным образом зависит от веса ее нижней, отрывающейся части, что приводит к большому разбросу величины радиуса кривизны вершины АЭК. На завершающей стадии образования острия АЭК даже 40 незначительные флуктуации тока травления или механические перемещения нижней части заготовки под действием сил поверхностного натяжения приводят к тем же нежелательным пос 45 ледствиям. Целью изобретения является повышение воспроизводимости радиуса закругления вершины автоэмиттеров в процессе травленияПоставленная цель достигаетсятем, что в устройстве для травления1автоэмиттеров на втором электродесоосно закреплена...

Номер патента: 1045777

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Михайловский, Полтинин, Федорова

МПК: H01J 1/304, H01J 3/04

Метки: автоэмиттер, заряженных, частиц

...УЭМВВ, х 10000. Острие с утолщением устанавливают затем в гелиевый автоионный микроскоп. Нагружение острия электрическим полем производят от высоковольтного генератора с плавной регулировкой напряжения в интервале от 1 до 30 кВ с длительностью импульса 5 10 с. Скорость подъема напряжения 4 кВ/мин. Генератор обеспечивает максимальный ток в импульсе 150 А. При этом получено значение плотности тока б 10 А/см. Вблизи граничных значений отношений диаметров (2/д= 1140 А /330 А=3,5;3 /д = 2270 А /2080 А = 1,1) значение плотности тока остается постоянным.35 Анализ продуктов испарения при механическом отрыве сферического утолщения на вершине показал, что механический отрыв утолщения, приводящий к повышению напряженности поля, приводит к...

Номер патента: 1140186

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Бехтев, Бойко, Воронков, Павлов

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронного, катода, свч-поле, током

...стороныпротивоположной острийной поверхностиавтоэлектронного катода 2, и поглощаетсяв нем. В результате этого, потенциал автоэлектронного катода относительно анода(резонатора 3) увеличивается до тех пор.пока ток с острия автоэлектронного катода 2не станет равным току пучка электроновот стороннего источника.Подача управляющего напряжения с помощью пучка электронов через запредельноеотверстие в резонаторе полностью исключаетизлучение из резонатора.При использовании этого способа наблю 20 дается стабилизирующее воздействие токаэлектронов от внешнего источника на токавтокатода. Стабильность тока электроновс термокатода определяется стабильностьюускоряющего напряжения и напряжениянакала катода, т. е. термоэлектронная пушкаобеспечивает...

Номер патента: 1150678

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Овсянников, Степанов

МПК: H01J 1/304, H01J 29/04, H01J 9/02 ...

Метки: вакуумных, катодов, люминесцентных, многоострийных, экранов

...травления, напыления в вакууме, направленного выращивания кристаллов и т. д.При изготовлении экспериментального образца прибора катодные пластины крепились к диэлектрической матрице. К ним в отверстиях диэлектрической матрицы приваривались отрезки вольфрамовой проволоки. Собранные катодные узлы погружались в раствор полистирола таким образом, что основания отрезков вольфрамовой проволоки до необходимой высоты защищались пленкой полистирола. Затем электрохимическим травлением получали острия на необходимой глубине в отверстиях матрицы. После удаления защитного слоя полистирола осуществлялась сборка экрана. Собранная система электродов с диэлектрическими матрицами помещалась между обкладочными пластинами и боковые зазоры между ними...

Номер патента: 797440

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Бобков, Зайцев, Суворов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: микроострий

...недостаточно высокаякривизна поверхности (В=500 А) и отсутствие.возможности заданным образом реглйровать величину кривизныповерхности.Из известных способов изготовления микробстрий из металлическойпроволоки наиболее близким к предлагаемому является способ травленияв трехслойной ванне, включающийэлектрохимическое травление среднейчасти проволочной заготовки в тонком.слое электролита и автоматическоепрекращение травления при обрыве обР азующейся "шейки". Способ предусматривает травление проволочной заготовки в трехслойной ванне, в которой между нижним жидким контактом и верхним слоем электролита размещена жидкая непроводящая прослойка. Напряжение прикладывается междужидкйм контактом и электролитом. 7 4Проволочная заготовка 1, укрепленная...

Номер патента: 1115619

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Баранова, Дроздецкая, Кан, Кульварская, Тимофеев

МПК: H01J 1/144, H01J 1/304, H01J 9/02 ...

Метки: варианты, его, катода, материал, холодного

...сплава никель-алюмосиликат цезия (рубидия) с одновременной активацией катода.Предложенный материал может быть получен в виде сплава до монтажа катода в прибор. Для этого смесь порош ков никеля и алюмосиликата цезия или рубидия прессуют и спекают при температуре 1000- 1500 К в течение 10-50 мин. В табл. 2 приведены оптимальные режимы прессования и спекания для смесей с различным содержанием компонентов, обеспечивающие получение сплавов, близких по пластическим свойствам к свойствам чистого никеля. Температуру спекания и время выдержки для данного состава сплаваможно варьировать, придерживаясьследующей закономерности: при уменьшении температуры спекания следуетувеличить время выдержки, а при увеличении температуры спекания - уменьшить...