Патенты с меткой «многоострийного»

Способ изготовления многоострийного автокатода

Загрузка...

Номер патента: 966782

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Капралов, Нешпор, Романова, Ткаченко, Хатапова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автокатода, многоострийного

...рост нитевидных кристаллов такжепрекращается,Выбор диапазона температур определяется скоростью протекания процесса и качеством получаемых нитевидных кисталлов, притемпературе ниже 1200 С процесс становитсяневоспроизводимым и протекает очень медленно, при температуре выше 1500 С драк-,96678 40 а тически прекращается рост кристаллов и ухудшается их качество (структура кристаллов становится несовершенной, а распределение на подножке нерегулярно и с недостаточной плотностью). 5Использование в газовой смеси водорода (вместо аргона) препятствует развитию в газовой смеси объемных процессов, приводящих к выделекию сажистых частиц в процессе роста нитевидных кристаллов, и образованию кристаллов нерегулярной формы, а следовательно, улучшает...

Способ изготовления многоострийного автокатода

Загрузка...

Номер патента: 1001225

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Жуков, Иоффе, Паутов, Полежаев

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: автокатода, многоострийного

...острияс координатой п -- 1./2 п, Затем впроиссе электроискровой обработкизаготовку 1 перемещают в направлении 35АА , которое составляет с осью симметрни ВВ" изготавливаемого острияугол о, равный необходимому полууглу конуса при вершине острия. Расстоянке, на которое передвигают 40заготовку относительно проволочногоинструмента 2, составляет и = 2/2 п,Затем заготовку 1 возвращают в исходное положение, проволочный инструмент подводят к точке с координатой и = 2/2 п являющейся вершиной2.второго изготавливаемого острия,после чего опять в процессе электроискровой обработки заготовку переме 1щают в направлении, параллельном ААЗатем процесс повторяют.После этих операций проволочныйинструмент снова подводят к вершинепервого острия и и в...

Способ изготовления многоострийного источника электронов

Загрузка...

Номер патента: 1129667

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Блохин, Васильев, Мартынов, Сатаров, Черняев

МПК: H01J 9/02

Метки: источника, многоострийного, электронов

...1 изображены диэлектри/ческая подложка, металлическая пленка с остриями и установленная на диэлектрическом слое металлическая фольга; на фиг, 2 - анод, подогреватель и образующиеся отверстия в металлической фольге.На диэлектрическую подложку 1 (фиг. 1) осаждают металлическую пленку 2 .и эмиссионный материал, на. пример гексаборид лантана, толщиной около 4 мкм, из которого с помощью фотолитографии формируют острия 3, по периметру подложки осаждают диэлектрический слой 4 толщиной, превышающей высоту острий, на который кладут и закрепляют металлическую фольгу 5 толщиной 10-15 мкм.Полученную структуру, служащую катодом в диоде, совместно с анодом б (фиг, 2) помещают в вакуумную камеру, в которой создают вакуум не хуже 1 10 мм рт.ст., и...