Способ затупления острийных катодов

Номер патента: 493834

Авторы: Павлов, Рабинович, Савченко, Шредник

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУпц 493834 Союз Советскнх Социалистических Республикосударственнын комитет авета Министров СССР1,ата опуолико 72) Авторы изобретсни Павлов, А. А. Рабинович, В. П. Савченко и В, Н. Шреднина Ленина физико-технический институт им. А. ф. Иофф 1) Заявитель 54) СПОСОБ ЗА ЕНИЯ ОСТРИЙНЫХ КАТОДОВ 2 Предме1. Способ затуп утем прогрева, о целью сокращен алогического про ора поля многоорсв остриев веду зо ен ииных катодовйся тем, что, ительности техвнивания фактокатодов, наеском поле при ления остр тличающя продолж цесса и выр стрийных а в элект 1)и Изобретение относится к производству и эксплуатации острийных эмиттеров, например автоэмиссионных катодов, и может применяться в автоионной и автоэлектронной микроскопии, в производстве электронно-лучевых и рентгеновских приборов, в масс-спектрометрии,Известен способ затупления острийпых автокатодов, заключающийся в создании па поверхности острия микронарушснпй прогревом в электрическом поле и послсдующем нагревании до высоких температур, актпвирующем процесс поверхностной миграции, Однако по такому способу невозможно получить многоострийный катод с выравненным фактором поля, а также необходимо многократно повторять этот двухступенчатый цикл обработки для получения большого радиуса острия.Цель изобретения - сокращение продолжительности технологического процесса и выравнивание фактора поля многоострийных авто- катодов.Это достигается тем, что по предлагаемому способу острия прогревают в присутствии электрического поля при таких напряженности и температуре, которые обеспечивают превышение испарения материала с рабочей поверхности острия над диффузией материала на рабочую поверхность.Сущность этого процесса состоит в том, что атомы, находящиеся на поверхности, а также атомы, приходящие на поверхность, ионизуются за счет механизма поверхностной ионизации, усиленной электрическим полем, и 5 испаряются в виде положительных ионов,Скорость этого процесса сильно зависит от температуры и поля. Последнее обстоятельство позволяет управлять обработкой, а также выравнивать факторы поля многоострийных 0 эмиттеров.Поверхность после такой обработки можетоказаться шероховатой и термически нестабильной, При необходимости поверхность можно сгладить, например, прогревом в от сутствие поляПо мере затупления поле у поверхности острия снижается, поэтому обрабатывающее напряжение нужно повышать.Например, вольфрамовое острие радиусом 20 1,1 мкм после обработки при температур2700 К и электрическом поле 6,6 10 в/см в течение 1 мин затупилось до радиуса 1,8 мкм.493834 Составитель Г, Жукова Текред Е. Подурушина Корректор М. Лейзерман Редактор Е. Караулова Заказ 177/10 Изд. Мо 2043 Тираж 833 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 таких напряженности и температуре, которые обеспечивают превышение испарения материала с рабочей поверхности острия над диффузией материала на рабочую поверхность. 2. Способ по и. 1, отличающийся тем, что электрическое напряжение, создающее поле у поверхности острия, повышают по мере увеличения его радиуса.

Смотреть

Заявка

1910427, 24.04.1973

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ

ПАВЛОВ ВИКТОР ГЕОРГИЕВИЧ, РАБИНОВИЧ АНАТОЛИЙ АЙЗИКОВИЧ, САВЧЕНКО ВИТАЛИЙ ПАВЛОВИЧ, ШРЕДНИК ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: затупления, катодов, острийных

Опубликовано: 30.11.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-493834-sposob-zatupleniya-ostrijjnykh-katodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ затупления острийных катодов</a>

Похожие патенты