Непроволочный резистор

эроювиый М"юс А н иЗОБРЕТЕН ИЯ ЗИ ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ е от авт. свидетельства . ено 03.111.1970 ( 1406970/26-9 МПК Н 01 с 700 д шепнем заявки-Комитет ло делам зооретений и открытий ори Совете Министров СССРриоритет -публпковано 09,Ъ 11.1971. БюллетеньДК 621.316.86 (08 Дата опубликования описания 11.Х.19 Авторизобретения. А. Бочк аявитель ОСТОЯННЫЙ НЕПРОВОЛОЧНЫЙ РЕЗИСТ апиной гаемыи резистори; на фиг. 2 - то 1 д 20 остоянванием 25слоем ических ние, пона реутонь Подооно ооы ным резистора электрический к устанавливается колпачков 3, на верх слоя 2. Дл зистивном слое Изобретение может быть использовано в устройствах электронной техники, имеющих различное назначение.Известен постоянный нвпроволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала, нанесенным на диэлектрическое основание.Для улучшения электрических характеристик и повышения надежности на.диэлектрическое основание предлагаемого резистора наносится подслой из проводящего материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).На фиг, 1 показан предлацилиндрической конструкциже, другой вариант.У предлагаемого резистора оонование 1, на которое наносится тонкий слой 2 углерода, металлического сплава, окислов или какого-либо другого резистивного вещества, выполнено из проводящего электрический ток материала, обладающего большим отрицательным ТКС,ным тонкослойным п с цилиндрическим осно онтакт с резистивнымпри помощи металл прессованных на основа я удобства слабое место представлено локальны и снисм его, ооразованным цар в виде кольцевой канавки 4.Величина электропроводности всего основания 1, заключенного между контактными колпачками 3, подобрана таким образом, что при нахождении резвстора под номинальной электрической нагрузкой, ею можно пренебречь по сравнению с величиной проводимости самого рсзистивного слоя 2, заключенного между теми же контактными колпачками,Участок основания, непосредственно прилегающий к дефектному месту резистивного слоя, прп некоторых условиях может обладать большой всличиной электропроводности. Сильный разогрев дефектного места резистивного слоя вследствие повышенного его электрического сопротивления по сравнению с остальным слоем автоматически уменьшает сопротивление указанного участка основания на значительную величину, благодаря большому его отрицательном. ТКС.При соответствующим образом подобранной величине отрицательного ТКС материала основания можно получить такое электрическое шунтирование дефекта реактивного слоя, которое приостановит его дальнейшее разрушение. Путь электрического тока, протекающего по образовавшемуся шунту, показан стрелкой на фиг. 1,Рассмотренный механизм автоматического311295 фиг 7 ф Сос;авнтсль И. Герасимовасхрсд Л, В. Куклина КоррекОр Л. Б. Бадылама сдак.Ор Т. нова Заказ 5525ЦНИ 11 П 1 Л КотПтст Изд, ЬЪ 1063о делам нзобрс Москва, Ж-ЗО ПП П а ушек а я н аб., д Оластпа 51 тппосрафп 51 1(ОстоозСКОГО справления по печат электрического шунтирования слабых мест резистивного слоя уменьшающимся электрическим сопротивлением соответствующих мест самого основания, несущего этот слой, полностью сохраняется также в случае, когда бла годаря нарезке спиральной изолирующей канавки резистивный слой приобретает вид спиральной ленты, расположенной на боковой поверхности цилиндрического основания 1.Благодаря теплопроводности основания его 10 нагрев, вызываемый перепревом дефектного места 4 резистивного слоя 2, локализуется в области, простирающейся на небольшую глубину основания 1. Это увеличивает электропроводность основания только в тонком слое, 15 непосредственно примыкающем к дефектному месту резистпвного слоя,Таким образом, большая часть объема основания 1 практически не участвует в механизме автоматического электрического шунтирования 20 дефектных участков резистивного слоя. В связи с этим предлагается второй вариант устройства,резистора (см, фиг. 2).Согласно второму варианту основание, на которое наносится,резистивный слой, изготав ливается из двух материалов. Наружный слой б, непосредственно соприкасающийся с резистивным рабочим слоем 2, выполняется из проводящего электрический ток материала, отличительной особенностью которого является наличие у него отрицательного ТКС. Для остальной (внутренней) части основания используется какой-либо обычный изоляционный материал (кер ам и к а, стекло и др.) .Для предлагаемого,резистора могут быть использованы любые известные конструкции непроволочных резггсторов как с цилиндрической, так и с плоской геометрической формой основания,П,р е д м е т и зо б р е т е н и я Постоянный непроволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала, нанесенным на диэлектрическое основание, отличагоигиася тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения надеясности, на диэлектричеокое основание нанесен подслой из проводящего материала с отрицательным ТЕ(С. Тираж 473 Подпиенкрытпй прп Совете Министров ССС