G02F 1/135 — элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с фотопроводящим или сегнетоэлектрическим слоем, свойства которого могут изменяться под действием оптических или электрических средств

Номер патента: 963394

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Марахонов

МПК: G02F 1/135

Метки: модуляции, света

...линии электри.ческого поля Е нормальны к границам жид.кого кристалла 4. Однако в участках 5 фото.чувствительного слоя, освещенных потоком йР,электрический заряд, возникающий за счет фоторожденных носителей, создает в жидкомкристалле 4 электрическое поле Е, имеющеесоставляющие, лежащие в плоскости электро.дов 1, как зто показано на чертеже. Направление ориентации жидкого кристалла 4 жестко 55связано с направлением силовых линий поляи поэтому в участках 5 искривление поляприводит к переориентации жидкого крнсталла 4. При прохождении считывающего светового потока А через жидкий кристалл 4переориентация жидкого кристалла 4 в освещен.ных участках 5 приводит к изменению в них, на.пример, фазы и поляризации светового потока б .При отключении...

Номер патента: 858450

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Берестнев, Васильев, Думаревский, Ковтонюк, Компанец, Парфенов, Попов, Фабричнов

МПК: G02F 1/135

Метки: жидкокристаллический, изображения

...света, расположенный передмногослойной структурой со стороныполупроводника, и формирователь импульсов управления, соединенный смодулятором света и с генераторомимпульсного напряжения.1Схема жидкокристаллического преобразователя изображения приведена начертеже.Жидкокристаллический преобразователь изображения содержит многослойную структуру, состоящую изпоследовательно расположенных прозрачного электрода 1, диэлектрического слоя 2, полупроводникового слоя3, диэлектрического зеркала 4, жидкокристаллического слоя 5 и прозрачного электрода 6, генератор импульс-ного напряжения 7, соединенный спрозрачными электродами 1, модуляторсвета 8, расположенный перед многослойной структурой, формировательуправляющих импульсов 9, соединенныйс...

Номер патента: 1403005

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Волков, Козенков, Компанец, Парфенов, Чигринов

МПК: G02F 1/135

Метки: изображений, оптической

...кратности частоты питающего напряжения и частоты мерцания выделяемых объектов (фиг.З). Для возникнонення оптического отклика существенно, чтобы диэлектрическая анизотропия жидкого кристалла была минимальной, поскольку переход Фредерикса, происходящий в противном случае, может привести к снижению выходного сигнала, При отсутствии нужной Фазировки амплитуда оптического отклика также снижается.П р и м е р. Способ был реализован на структуре, н которой полупроводником служил монокристалл силиката висмута толщиной 200-300 мкм. Жидким кристаллом служила смесь аэоксисоединений с равными компонентами тензора., диэлектрической проницаемости, т.е. Г = О, и фпексоэлектрическим коэфФициентом е р = -е= 10 ф дин/см, толщина которого составляет...

Номер патента: 1608610

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Владимиров, Моричев, Плетнева, Решетникова

МПК: G02F 1/135

Метки: оптически, транспарант, управляемый

...параметрах транспаранта. Наличие дополнительного слоя состава сера-селен-мышьяк-германий, например ИКС, существенно повышает адгезню слоев ХСП системы селенмышьяк к слоям Тп ОЗ и ЯпО, образующим проводящие покрытия 2.1, 2.2, из-за чего существенно повышается оптическая однородность .по рабочему полю иуменьшается брак при иэготов -1608610 Составитель А.Парфенов Редактор С.Патрушева Техред Ко ррек то р Л, Бе скидТираж 468 П венного комитета по изобретениям и 113035, Москва, Б, Раушская наб дписно аказ 3615ИИПИ Госуда крытням пр: ГКНТ СССР ат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,10 Производственно-издательский ком ленни ОУТ с, 60 до 203, что в свою .очередь уменьшает расход материалов (подложки, ХСП, ЖК).Оптически управляемый...

Номер патента: 1693580

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Захаров, Мокроусов, Спирин

МПК: G02F 1/135

Метки: изображения

...т 1 в Диапазоне Длин ВОлн Ьго: трянспярян 7 2, прсмсдулированное после транспаранта излучение 3 Л 41, входной п)сзрячный проводящий электрОд 4 пераыЙ слой диэлектрика 5 слОЙ фотсувствителенсгс высскосмнсго кристалла 6, светсизслирующий слой 7, Диэл 6 ктрическо 8 зеркало 8, слой злектрооптического крис.алла 9, .лорой слой дизл 8 ктрикя0 ВыхОднОЙ прозрячный проводящий электрод 11, считывающий свет 12 спектрального состава Ь.О 2 анализатор 1(3, и,:омсдулирсаанный пс интенс в- ности считываю(Ций свет 14 ЬА 12, источник 15 ане(ан-;го напряже;-ия, светофильтры 16 - 18.Г 1 ресбразсагтель изооражения ра Ота" 87 следующим сдрязсм.В исходном сог)тсянии при Отсутствии запись(вающей псДОВ 67 ки 1 (фиг.сО спОк- тром длин Волн Лйи напряжение Оо,...

Номер патента: 1775711

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Беляев, Думаревский, Ковтонюк, Медведева, Овечкин, Сальников

МПК: G02F 1/135

Метки: изображений, преобразования, псевдоцветные, чернобелых

...пространственно- временной модулятор света со структурой металл - диэлектрик-полупроводник - жидк - ий кристалл на основе полуизолирующего арсенида галлия и нематического жидкого кристалла,Принцип действия устройства заключается в следующем.При воздействии входного изображения, поступающего, например, с электронно-лучевой трубки, в электрооптическом слое пространственно-времен ного модулятора света формируется рельеф показателя преломления в соответствии с распределением яркости во входном изображении, Считывание этого рельефа осуществляется излучением от источника белого света 1 через конденсор 2, светоделительный элемент 3 - 9. Проходя через светоделительный элемент, излучение отражается от каждого из селективно...

Номер патента: 1803900

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Коган

МПК: G02F 1/135

Метки: модулятор, пространственно-временной, света

...световой поток направляется на ПВМС со стороны ЖК слоя 6, Он 5проходит вторую стеклянную подложку 8,второй прозрачный электрод 7 и слой ЖК 6,после отражения от диэлектрического зеркала 5 световой поток вторично проходитслой ЖК 6, прозрачный электрод 7 и стек- "0лянную подложку 8, При этом считывающийсветовой поток пространственно модулируется слоем ЖК по интенсивности, фазе илиполяризации в зависимости от свойств применяемого ЖК, 15Объемный заряд, образованный связанными носителями тока, расплывается соскоростью, определяемой максвелловскимвременем релаксации г = ре, где р - удельное сопротивление фоточувствительного 20слоя, а е его диэлектрическая проницаемость.Для широкозонных полупроводников г 10с, что много больше...

Номер патента: 1824621

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Андреев, Компанец, Парфенов, Пожидаев, Чигринов

МПК: G02F 1/135

Метки: излучения, модулятор, оптического

...поляризаторов - исходное пропускание мало). Причем, поскольку молекулы ориентированы полем вполне определенным образом - их диполи параллельны полю, а директор молекул в этом случае перпендикулярен полю, то пропускание конечного состояния - при включенном поле - то же может быть выбрано взаимным расположением поляризаторов и направления поля. Например, при перпендикулярности поля и плоскости поляризации поляризатора - пропускание минимально (для скрещенных поляризаторов), при их взаимной ориентации под углом 45 градусов - пропускание определяется обычным соотношениемТ= эи (2 лоб/4где п, б, Я имеют смысл указанный выше.Были проведены испытания модулятора, выполненного по данному техническому предложению, Модулятор использоеал...

Номер патента: 1833826

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Борошнев, Клюкин, Ковтонюк, Поликарпов

МПК: G02F 1/135

Метки: изображения, преобразования

...изображение, которое с помощью светоделителя 22 направляется на фоточувствительный слой 14 второй многослойной структуры, Отображение производится с помощью второго проекционного объектива 2 б. Компенсационный фильтр 25 служит для снижения интенсивности излучения, попадающего на вторую структуру, так как потоки, попадающие на первую и вторую структуры, отличаются на несколько порядков по величине, Вторая многослойная структура подключена первым прозрачным электродом к первому прозрачному электроду первой многослойной структуры, а вторым прозрачным электродом - к первому выходу генератора переменного напряжения 18, Таким образом, данное устройство представляет собой две последовательно соединенные многослойные структуры, к которым...