Модулятор оптического излучения

Номер патента: 1698870

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Конойко, Пилипович, Поляков

МПК: G02F 1/05

Метки: излучения, модуляции

...быть не симметричнаотноситеЛьно температуры фазового35перехода (точки Кюри), В этом случае участкам температурной зависимости, в пределах которых измененияэлектрооптического коэфФициента равны по абсолютной величине и противоположны по з на ку, соот ветс т вуют ра з.ные начальные температурные значенияэлементов (То и То ) и разные элекрооптические коэффициенты (например 45для кристаллов группы КДР соответственно г, и гбао), Поэтому начальные температуры элементов выбираютсяна уцастках температурных зависимостей их электрооптических коэффициен 50, тов, где изменения последних идентичны по абсолютной величине. В принципе, могут применяться в двухэлементной оптической схеме и элементы, относящиеся к различным группам, нонаходящиеся в...

Номер патента: 728166

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Балаханов, Пустовойт

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, модуляции, реализации

...монокрйсталлы ЫОЬХЫЬОЗ В 1 аесао и ДР,Примером выполнения модулятора 2может служить образец фоточувствительного пьеэополупроводниковогомонокристалла сульфида кадмия длиной4 юю, шириной 1,5 мм, толщиной30 мкм, на концы которого нанесеныойические индиево-галлиевые контакты3 и 4. Ось симметрии кристалла С 4лежит вдоль длинной стороны. Вдольэтого же направления прикладывается35 40 4550 55 Формула изобретения 60 65 5 10 15 20 25 ЭО электрическое поле от источника 5,Дифракция излучения происходит наплоскости (1010), которая выходит наповерхность кристалла, или на плоскости (0002). Источник света 8 расположен над кристаллом и освещает его.Концентрация носителей в образцесоставляет величину 10 ю - 104 см з,при частоте генерации фононов от...

Номер патента: 1010661

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Балаханов, Пустовойт

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, модуляции

...скорость дрейфа носителей в этом поле больше фазовой скорости звукаБлагодаря электронфонониому взаимодействию возбуждается генерация акустических фононов. Излучение, направленное на кристалл под углом Брэгга, претерпевает дифракцию двух типов: без взаимодействия с фононом, которая дает структурные дифракционные максимумы, и включающую взаимодействие с фоновом, которая дает сателлиты структурных дифракционных максимумов в направлениях, отличных от направления дифракционного максимума.В предлагаемом способе расширение функциональных возможностей осуществляется благодаря использованию свойств сетеллита, заключающихся в том, что с помощью изменения концентрации носителей в зоне проводимости можно управлять положением сателлита, Изменение...

Номер патента: 1505389

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Мазур, Моршнев, Францессон

МПК: H01S 5/06

Метки: излучения, инжекционного, лазера, модуляции, одномодового, частотно-импульсной

...элемента 10, вновь проходи г волоконный световод 8 и волоконно-оптический аттенюатор 9 и через объектив 7 поступает обратно В лазерцмй резонатор, ограниченный отражательными торцамц 3 и 4.Долямощности излучения, возвращаемого обратно н лазерный резонатор, определяется выра)ециемРос1 л 55 50 где Рл мощно ть, снимаемая с торца ) )оа. гцого лазера 1; 3 15053 ки полки)чец Ъо)окоццый световод 11 лцццц связи. Физические данные злемецто следующие: 1 л длина лазерцого р .зоцатора 1 - длина эаэорл.5 между лазером 1 и согласуюяим объективом 7, 1) - длина объектива 7, 1 - ноздушцый зазор между объективом 7 и волоконным снетонодом 8, 1 - длина волоконного световода 8.Предлагаемый способ реализуется следующим образом;Одномодовый инжекционный...

Номер патента: 1543489

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Миндак, Пешко, Хижняк, Шидляк

МПК: H01S 3/10

Метки: излучения, лазера, модуляции

...добротности резонатора можно, двигая поглощающую среду поперек оси резонатора, т.е. сдвигая линзу из канала генерации. При изменении сечения пуч- ЗО ка в поглоцающей среде с помощью линзы или телескопа изменяется время возникновения линзы и время ее исчез" новения. На эти параметры можно также влиять, изменяя добротность резонато" ра, например, изменяя мощность накачки активной среды, что приводит к изменению мощности излучения в резона" торе и, следовательно, величины наводимых потерь, что,в свою очередь, 4 О приводит к,изменению периода следования импульсов. Известно, что частота пульсаций Я, переходного колебатель" ного процесса при работе импульсного твердотельного лазера зависит от .мощ ности накачки 1:Я 2Я = О(Ы) --...