Патенты с меткой «высокоомных»

Номер патента: 1144059

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Данилов, Зуев, Мальцев

МПК: G01R 27/04

Метки: высокоомных, микрообразцов, проводимости, удельной

...т ехр/-с/ ),(б) у - поверхностная плотность связанных зарядов; - - константы, онределяемые из экспериментальных данных. где о, о,059 2удельной проводимости высокоомных микрообразцов, заключающемуся в воздействии на исследуемый образецэлектрического поля, консольно закрепленный наименьшей гранью исследуемый образец помещают в электростатическое поле плоского конденсатора так, чтобы наибольшая грань образца размещалась перпендикулярно вектору напряженности поля, снимают временные зависимости стрелы прогиба образца при воздействии поля и послеего отключения, а удельную проводимость 6 определяют по формулео (1)где Й - диэлектрическая проницаемость образца (табличная величина);с - электрическая постоянная8,85 10 "Ф/м,- время процесса...

Номер патента: 1308962

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Глазов, Кольцов, Курбатов

МПК: G01R 33/06

Метки: высокоомных, гальваномагнитных, полупроводников, расплавов, характеристик

...емкость со шлифами и отверстия для подвода холловских и токовых зондов, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения точности измерения, боковая поверхность рабочего канала выполнена с противолежащими симметричными выемками, расположенными на оси корпуса с отверстиями для потенциальных зондов, а торцы канала выполнены с выемками большего сечения, чем сечение рабочего канала по ширине и высоте для токовых зондов, причем длина рабочего канала относится к его ширине как 1:3. 1 13089 бИзобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта Холла и магниторезистивного эффекта.Цель изобретения - повышение точ" ности измерения гальваномагнитных...

Номер патента: 1363084

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Батаков, Чуганов

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомных, измерителей, поверки, сопротивлений

...измерителей 2 сопротивлений 40 работает следующим образом.С помощью входного сопротивления 13 устанавливают один из пределов измерений поверяемого измерителя 2 в диапазоне 10 д - 10" Ом.45Переключатель 3 режимов устанавливают в положение "Калибровка", Шунтирующей накладкой 6 закорачивают эталонные сопротивления 5, блоком 8 переменного сопротивления изменяют 50 напряжение так, чтобы показания отсчеуного устройства 15 совпадали с одной из измеряемых точек Б , .поверяемого измерителя 2, при этом отсчитывают напряжение , поверяющего при бора 9. После этого отключают шунтирующую накладку б, изменением положения подвижного конца блока 8 переменного сопротивления устанавливаютотсчетное устройство 15 на первоначальную измеряемую точку Б...

Номер патента: 1474618

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Болога, Моторин, Савин, Сажин

МПК: G05D 23/30

Метки: высокоомных, жидких, сред, термостатирующее

...датчиктемпературы размыкает контакты релепрерывателя 14 и на поверхности теплообменников 2 и 4 не подается высокое напряжение.В отсутствие электрического поляпузырьки газа осаждаются на поверхность теплообмена теплообменника 2в виде пенного слоя и охлаждениежидкости резко сокращается. Толщина этого слоя определяется расходомгаза и влияет на степень блокировкиповерхности охлажденйя. Жидкая средапри .этом. нагревается. Когда температура жидкой среды достигает температуры статирования, датчик температуры замыкает. контакты реле-прерывателя 14 и на поверхности теплообмена теплообмехников 2 и 4 подается высокое напряжение. В жидкойсреде накапливается объемный заряд,который приводит к перераспределениюэлектрического поля. Поле,...

Номер патента: 1543331

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Баяк, Верещагин, Кокин, Турек

МПК: G01N 27/22

Метки: высокоомных, исследования, неоднородностей, образцов, электрических

...5. Испытуемый образец 6 вводится в зазор между электродами для исследо- . вания, Если используется прозрачный электрод, то он не должен быть слишком толстым (толщина выпускаемых промышленностью стекол 2-3 мм с проводящим слоем двуокиси олова удовлетворя1 93331 формула изобретения 30 ос тавитель В,ехред И,Ходаяи емцев Недолужен орректор лец ак Подписное етениям и открытиям и шская наб., дМ/5Заказ 397 Тираж 51ВНИИПИ Государственного комитета па и113035, Иосква, ЖНТ ССС Производственно-издательский комбинат Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина,10 ет этому требованию). Величину воздушнаго зазора между прозрачным электродам и образцом выбирают исходя из техсаображений, что при малых толщинахвоздушного слоя (менее 10 м) электроны не успевают...

Номер патента: 1594435

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Волпянский, Губанов, Гусев, Крутиков

МПК: G01R 19/00

Метки: высокоомных, датчиков, эдс

...СИГнаЛОМ От НИЗКОО 1 НОГО ИСтдни". ка, например ЦАПпо н которогс значения Е то зависимо"ть погрешносути измерения от времени измерения С , с учетом задержки Т на время,И ЬМ/ О необходкуое для установления значе" ния Е , можно представить в виде4.ГдХ = (Е - Е ) е ТРППри луобом фиксированном времени измерения) погрешность измереИЬВ ОЕ то И ния уменьдается в - ; е " раз,ЕуНа фиг, 1 представлена структурная схема устройства, реализууопуего данный способ; на фиг, 2 - зависимости погрешностей Д Х, и Д Х . отрвремени. 1 акуу.Об:. Нс 1, .О 1111 аеуся 1 Овышение 1,: и1 Рзола; Ом уле.уе 11 излереп Р 1 что, с 0 0-.; Оец, Обес - и е чив а;. г . О. ш11 н" .з г;с;, з в г уп 1 ,: , н о си; М Е . Е 1йУс гр . .тло, р ; низоу 0 споб, г ОДЕРжи11 фУ , ,",:...

Номер патента: 1741112

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Болога, Майборода, Мардарский, Сажин

МПК: G05D 23/30

Метки: высокоомных, жидких, сред, термостатирующее

...натяжения жидкости при наименьшей температуре статирования, Н/м;б - диаметр отверстий барботера, м;рж и рг - соответственно плотностьжидкости и газа при наименьшей температуре статирования, кг/мз;9 - ускорение силы тяжести, м/с,2Размеры ячеек выбраны из соображения прохождения пузырьков, недеформируемых электрическим полем, т,е, на 1,2 - 1,5больше их максимально возможного диаметра, Последнийдостигается при наименьшей температуре статирования, когдаповерхностное натяжение жидкости максимально, В электрическом. поле пузырькидеформируются, увеличивая свой диаметрв 2,0 - 2,5 раза и они, кроме того, отталкиваются от сетки и не могут проходить черезее ячейки, что повышает надежность блокировки дополнительного теплообменника.Часть...

Номер патента: 1810845

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Алексеева, Болога, Гросу, Кожухарь, Сажин

МПК: G01R 29/14

Метки: высокоомных, жидкостях, исследования, переноса, проведения, процессов

...О = е е Е, причем частоту вращения в определяют соотношением (1); Векторы О и Е при этом перпендикулярны плоскостям электродов 4.Примеры осуществления способа, П р и м е р 1. Измерение распределения потенциала,Измерения проводились в ячейке прямоугольной формы с размерами в основании 11,5 х 150 мм и высотой 20 мм. Ячейка располагалась основанием на торизонтальной плоскости, перпендикулярно длинному ребру, На боковых длинных стенках ячейки располагались плоские электроды. Меж. электродный зазор заполнялся исследуемой жидкостью - трансформаторным маслом, В зазоре между электродами устанавливался зонд для измерения потенциала в средней точке между электродами, Электроды подключались к высоковольтному источнику тока, а зонд - к...

Номер патента: 1493022

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: высокоомных, полупроводников, фотопроводимости

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение исследуемого образца интерферирующими опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света, регистрацию выходного электрического сигнала, по которому рассчитывают величину фотоприводимости исследуемого образца, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, осуществляют дополнительную фазовую модуляцию сигнального пучка света с частотой F1, выбираемой из соотношениягде время диэлектрической релаксации исследуемого освещенного образца;