Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 711637
Авторы: Аминов, Коваленко, Набиева, Никадамбаев, Сиражитдинова
Текст
ОП ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветсиииСоциалистическихРеспублик) Заявлено 08,М. Кл,ОХ С 7/00 7 2495207/18-2 соединением заявки М Гееударствеииый коиите СССР ив йелам изобретений23) Приорите Опубликован Бюллетень М 3 анин 28.03.,80(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ емператур о 6 и рад) и ти (0,2%) изффициенте цик я уменьнта сопро личности.Белью изобрние температуртивления в обпдо +20 С, увеличстабильности мне температур. етення явл ого коэфф ератур от -60влагостойкости и при резкой смеи тем ериал тем, что резистиващий зпоксидныйкий отвердитель,Бель достигаетс ный материал, содер лак, сажу и органич содержит в качеств таническ ангид- колилимер малеинм-Х при следотношении комп ердителя соида с гексеественном со нтов в вес.%):",ажаСонолимерангидридаЭпоксидны мал еиновогос гексеном4-10й лак Остальн Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к производству непроволочных резисторов, изготовляемых на основе лакосажевых композиций, содержаших в качестве ингредиентов полимерные5 лаки, напопнитепи и органические отвердители.Известен резистивный материал, содержаший сажу, эпоксидный лак и органический отвердитель, в качестве которого использовано диэтиленгликольуретанНедостатком данного материала является неустойчивость к влаге и перемене температур, недостаточно низкие коэффициент напряжения и температурный коэффициент сопротивления, а также токсичность отвердителя.Известен резнстивный материал, содержащий сажу, эпоксидный пак и нетоксичный органический отвердитепь (алкил фосфоновую кислоту) 21,Недостаток известного материала состоит в недостаточно низких значениях температурного коэффициента сопротивления ТКС в области-60 до +20 С (28010коэффициента влагосто йкоотносительно низком ко711637 Сополимер малеинового ангидрида с гексеном -1( или фракциями д. -олефинов) формулы:СН-СН -СН-СН-О" С С=.О/ 1О цдС Н или С Н МкйСн С 4 Н 291 о условно названный ГПполучают сополимеризацией гексена(или фракций с.-олефинов) с малеиновым ангидридом в присутствии растворителя и радикальных инициаторов (перекисных или азосое-, динений) .ГПпредставляет собой белый порошок с желтоватым оттенком, Растворим в ацетоне и нерастворим в воде. Молекулярный вес (28-35) 10Строение ГПподтверждено данными элементного го,анализа, ИК-спектрами и химическими превращениями. Резистивную композицию получаютследующим образом, Рассчитанное количество растворителя, смесь толуола и бутилового эфира уксусной кислоты бутилацетата (3",7) и сажи ДГ, прокаленоной при 1300 С, перемешивают в атрито-зоре 22,5. ч. Затем туда же добавляютопределенное количество лака Эфсотвердителем ГПи суспензию переме-,шивают еще 3,5-4 ч,35Пример 35 гсажиДГ, прокаленной при 1300 С, перемешивают в атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол и бутилацетат 3;7) в течение 2 ч. Затем, после добавления 4 о 91 г лака Эфи ГП4 г, суспензию перемешивают еще 3,5-4 ч. При, готовленную таким образом суспензию, после установления соответствующей вязкости, наносят на керамические основа ния цилиндрической формы и подвергают термообработке: выдерживают при 250 С в течение часа в термостате с последуюо щей .термотренировкой при 200 С в течение 48 ч. . Я.Резистор с токопроводящей пленкой из такой суспензии имеет характеристики; 4Коэффициент напряжения,% 3,0Коэффициент цикличности,% 0,54Температурный коэффициентсопротивления+20 С)Влагостойкость,% 0,2Прим ер 2. 5 гсажиДГ, прокаленной при 1300 С, перемешивают в атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол-бутилацетат 3:7) в течение 2 ч. Затем, после добавления 88 г лака Эфи 7 г отвердителя ГП 6, суспензию перемешивают как описано в примере 1.Характеристика токопроводящей пленки следующая:Коэффициент напряжения, % 2,0Коэффициент цикличности,% 0,5Температурный коэффициентсопротивления-56 (при 20 С)Влагостойкость, %: 0,09Пример 3. 5 гсажийГ, прокаленной при 1300 С, перемешивают с 115 мл смеси растворителей (толуолбутилацетат 3:7) в течение 2 ч. и после добавления 85 г лака Эфи 10 г отвердителя ГПперемешивают как описано в примере 1.Токопроводящая пленка имеет следующие характеристики:Коэффициент напряжения,% 4,0Коэффициент цикличности,% 0,35Температурный коэффициентсопротивления (ТКС 10, 1/град+350(при +20 + 3.25 С)75(пои 60 +20 С) Влагосто йкость,% 1,0В таблице представлены для сравнения параметры .резисторов, изготовленных из данной композиции (с отвердителем ГП) и известной композиции (с отвердителем АфК-алкилфосфоновой кислотой).,О 60 0 350 Из таблицы видно, что по таким параметрам, как ТКС в области температур от 60 до+2 СС, коэффициент цикличности коэффициент влагоустойчивости, резистивная композиция с отвердителем ГПзначительно превосходит известную резистивную композицию. Объясняется этоналичием в структуре ГПдлинной гидро фобной цепи (С,(4 Н(Добуславливаюшей высокоустойчивость композиции к климатическим воздействиям,0"С биль темп алеино- слеи комлеиноа с гекФормула изо е н ии скии от й емперания в Составитель В, СолодоваТехредЛ, Алферова Корректор О, Ковинска Вес елки Редак Заказ 9023/40 Тираж 844ЦНИИПИ Государственного комитета ССпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж-З 5, Раушская. наб писное, д. 4/5 илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная,2. Сажа ДГ, вес.%3, Лак ЭФ, вес.%4, Коэффициент напряження,% Резистивный материал, соде эпоксидный лак, сажу и органич вердитель, о т л и ч а ю ш и тем, что, с целью уменьшения турного коэффициента сопротивл ые композиции с отвердителями области температур от -60 до +2 увеличения влагостойкости и ста ности материала при резкой смене ратур, он содержит в качестве орг ческого отвердителя сополимер м вого ангидрида с гексеном -1 при дуюшем количественном соотношещ понентов 1 в вес,%):Сажа 3-8 Сополимер мавого ангидридсеном -1 4-10Эпоксидный лак - ОстальноеИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. УТО 467. 9.117.ТК-03-267,1970.О 2. Авторское свидетельство СССР позаявке Ме 2499007/18-21,кл. Н 01 С 7/00, 25.05.77,
СмотретьЗаявка
2495207, 08.06.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5208
НИКАДАМБАЕВ АЛИМДЖАН САЛИМОВИЧ, КОВАЛЕНКО НАИЛЯ АЛИЕВНА, НАБИЕВА АДЛИЯ РАШИДОВНА, СИРАЖИТДИНОВА ДИЛОРОМ СУЛТАНОВНА, АМИНОВ САБИР НИГМАТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 25.01.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-711637-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Предыдущий патент: Устройство для контроля блоков памяти
Следующий патент: Резистивный материал
Случайный патент: Интегратор для электрохимического анализа