Грешищев

Номер патента: 1771065

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Вонятыцкий, Грешищев, Киселев, Навицкас

МПК: H03F 3/45

Метки: дифференциальный, усилитель

...параметр транзистора,Каскодно включенные транзисторы 3,4 со схемами сдвига уровня 5, 6 стабилизируют напряжение ст(ж-исток соответствующих основных транзисторов 1, 2 при изменении напряжения затворов и токов этих транзисторов в соответствии с формуламиОси 1 = Ози 1+ Осдв - Ози 3,Оси 2 = Ози 2 + Осдв - Оэи 4, (3) ГДЕ Оси 1, Оси 2 - НЗПряжвния СТОК-ИСТОК ОС- новных транзисторов 1,2,Ози 3, Ози 4 - напряжение затвор-исток каскодных транзиСторов 3, 4;Осдв - напряжение смещения схем сдвига уровня 5, 6.Основной трензис 1 юр 1 (2) и каскодный транзистор 3(4) технологически Выполняются идентичными. Это можно сделать, так как транзисторы имеют одинаковую проводимость и их параметры не ограничены другими требованиями,Благодаря введению схем...

Номер патента: 1636766

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Абрамов, Грешищев, Динерштейн, Козлов, Молчанов, Смульский

МПК: G01N 33/20

Метки: газов, легирующих, примесных, сплавах, элементов

...чертеже представлены кривые температура-время,На чертеже использованы обозначения: 1 - кривая и изменения температуры Т; = та(-М;), где Т; - температура в 1-й момент времени (с,);коэФФициент угла наклона кривой, 2экспериментальная кривая изменениятемпературы (Т) во времени (с):Т =Е(Ф), 3 - экспериментальная криваяпервой производной температуры по вре 510 использования предлагаемого способана примере сплава АК 9 М 2. ТарировочныеграФики в этом случае описываются с95%-ной достоверностью регрессионными уравнениями, приведенными в табл,1,где г - вычисленное значение коэФФициента корреляции; г - его минимально допустимое значение для95/-ной достоверности. Сравнительныеданные предлагаемого и известного способов приведены в...

Номер патента: 1622806

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Абрамов, Грешищев, Динерштейн, Козлов, Молчанов, Смульский

МПК: G01N 25/02

Метки: включений, металлах, неметаллических, относительного, содержания, сплавах

...степень загрязненности их неметаллическими включениями (НМВ) Пель изобретения - повьппение точности определения. Подвергают охлаждению до полного эатвердевания три пробы с различным содержанием НМВ: пробу с содержанием НМВ от 0,05 до 5,07., пробу с известным содержанием НМВ, исследуемую пробу. Регистрируют кривые эа гнердевания и их первые произ - всдные. Дня каждой кривой в точке неравновесного солидуса, соответствующей пику первой производной, определяют котангенс угла наклона кривой к гориэонтальнои оси. Содержание НМВ определяют по формуле (11 МВ)У.= 1 МВ, 7.(с 8(, - сев(р,) /(сещ - сейф где НМВ - известное содержание НМВ ф,1)п,Ц- угол наклона для первой, второй и исследуемой проб соответственно. 1 ил.1 у неравновесного сот по пику...

Номер патента: 1112560

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Брайко, Грешищев, Кондалев, Фабричев

МПК: G06F 11/30, H03K 17/0416

Метки: коммутатор

...2 ключевые элементы, первый3 и второй 4 элементы И, резистор 5,первый б и второй 7 инверторы,генератор 8 импульсов, третий 9, четвертый 10, пятый 11 и шестой 12 элементы И, первый 13 и второй 14 реверсивные счетчики, первый 15 и второй16 элементы задержки, первый 17 ивторой 18 цифроаналоговые преобразователи, первый 19 и второй 20 сумматоры, первый 21 и второй 22 компараторы, первая 23 и вторая 24 входные шины, первый 25 и второй 26 источники напряжения.Выходы первого 1 и второго 2 ключевых элементов через резистор 5 соединеиы с выходом устройства, а управляющие входы - с выходами соответственно первого 3 и второго 4 элементовИ, первые входы которых являются первой входной шиной 23 коммутатора, авторые входы - второй входной шиной24....

Номер патента: 733030

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Грешищев, Гуднов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...устройства явля.отся низкая точность и быстродействие. Эти недостатки обусловлены тем, что на соответствующие электроды ответвительных диодов относительно шины нулевого потенциала поданы постоянные запирающие потенциалы, превышающие по абсолютной величине максимально возможную амплитуду входного сигнала соответствующей полярности. В результате время выключения мостового диодного ключа оказывается минимальным в середине диапазона напряжений входного сигнала и максимальным по его краяы,т. к. в зависимости от напряжения входного сигнала запирающий перепад на диодах мостового диодного ключа изменяется от минимального (обычно 0,5 - 1,0 В 1 до максимального, превышающего динамический диапазон напряжений входного сигнала, Это приводит к...