Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Х 1683 СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 3(50 С 5 Т СССРТНРЬГГИЙ РЕТЕНИЯ ТВУ АВТОРСКОМУ Т Р 17И.И. Виксман,(54)(57) НАЮЩИХ Ь НИТНЫХ П жении те вании ме Зафи ГОсудАРстВенный НОмите по делАм изоБ етений и ОПИСАНИЕ И(прототип). СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГЕНКАХ, основанный на натянологических струн, образожду струнами зева, укладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, частичномсведении зева, последовательномопускании струн зоны плетения частично сведенного зева в плоскость ихнейтрального положения и одновременном формовании струнами провода внаправлении его свободного конца,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц, послеопускания струн в плоскость их нейтрального положения и формованияпровода удерживают струны в данномположении, фиксируют струнами сформованный провод и закрывают эев,после чего отпускают струны.онк последовательно опускаются вполость их нейтрального положения впорядке расположения в направлениисвободного конца провода и одновре мекно формуют провод. После прохож 5 дения роликом струны она опускаетсяим и возвращается в исходное положение частично сведенного зева. Послеформования провода всеми струнамизев закрывают. В результате прокат-.10 ки роликом струн провод принимаетволнообразную форму. Длина полученных пслуволн. зависит от угла прокладывания в зеве числового проводаотносительно струн, величина которо го определяется диаметром струн ихколичеством и шагом между ними 2 .Недостатком известного способаявляется то, что с увеличением количества струн, уменьшением их диаметра и шага между ними необходимоувеличивать угол прокладывания про. вода в зеве относительно струн и егодлину.Кроме того, при опускании струнроликом и возвращении их в исходноеположение частично сведенного зеваотформованные полуволны провода ничем не фиксируются и смещаются какотносительно плоскости его формовки,так и в направлении его формовки.В результате этого при закрываниизева после формовки провода всемиструнами происходит его переформирование с нарушением равномерностиразмеров полуволн.35 Это не обеспечивает необходимойточности размеров числовых обмотокМатриц при их плетении, приводит кснижению их качества и надежности.Цель изобретения - повышение точ ности изготовления запоминающихматриц.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу изготовлениязапоминающих матриц на ЦМП, основан ному на натяжении технологическихструн, образовании между струнамизева, укладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам,частичном сведении зева, последовательном опускании струн эоны плетения частично сведенного зева в плоскость их нейтрального положения иодновременном формовании струнамипровода в направлении его свободногоконца, после опускания струн в по лость их нейтрального положения иформования провода удерживают струныв данном положении, фиксируют струнами сформованный провод и закрываютзев, после чего отпускают струны.60 На фиг. 1 изображено устройство Изобретение относится к вычисли. тельной технике и может быть исполь"зовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП ) методом ткачества.Известен способ изготовления эапоминающих матркц на ЦМП, основанныйна натяжении технологических струнна раме ткацкого станка, образованиизева между струнами, прокладываниипроводника адресной обмотки в зевпод углом к струнам, закрывании зева, последовательном формированиипроводника струнами с. втягиваниемего свободного конца, перемещениисформованного проводника к адреснымобмоткам.при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн растягиванием за противоположные концы доразрыва 13.Недостатком указанного способаявляется то, что с увеличением числа струн, уменьшением их диаметраи шага между ними уменьшаются интервалы сближения струн с формуемым имипроводником. Это вызывает необходимость увеличения угла прокладыванияпровода и его длины в зеве и приводит к деформациям сформованных полувитков адресных обмоток при перемещении их по струнам в закрытомзеве, изменению их формы и размеров,отклонению магнитных и электричес- "ких параметров амплитуды магнитногополя, величины выходного сигнала,помех и др,1,Таким образом, этот способ необеспечивает достаточной точностиразмеров и качества плетения адресных обмоток матриц различных типоразмеров при их изготовлении.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП, который основан на натяжении технологическихструн, образовании между Струнамизева, укладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам,. сведении зева до касания струнамипровода, последовательном ,ормовании провода прокатыванием ролика пострунам под углом к проводу в направлении его свободного конца, закрывании зева, перемещении сформованного провода к числовым обмоткам иотделении их от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн.Согласно известному способу формовку провода числовой обмотки осуществляют прокатыванием ролика пострунам под углом к проводу в направлении его свободного конца. Врезультате прокатки роликом струнФ для изготовления запоминающих матрицна ЦМП, общий вид; на фиг. 2 - то.же, вид сверху в момент опускания струн в плоскость их нейтрального 65 положения и формования струнами про.1016831 4 Ьг Г вода; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг. 2.Устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП содержит ( фиг. 1) технологические струны 1, вплетаемый в них провод 2 числовых обмоток 3, толкатели 4 и 5, штанги б и 7, прижим 8, упор 9 и челнок 10.В сОответствии с предлагаемым способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следую щим образом.В образованный между технологическими струнами 1 зев прокладывают челноком 10 и под углом к струнам провод 2 и частично сводят зев на 15 величину касания струнами 1 провода .2, а под струны 1 подводят упор 9. Движением штанги б в направлении свободного конца провода 2, т.е, в направлении челнока 10, последовательно перемещают вертикально вниз к струнам 1 толкатели 4, каждым иэ которых опускают в плоскость нейтрального положения струн соответствующую ему струну 1 и одновременно формуют струной 1 провод 2, в результате чего провод 2 принимает волнообразную форму фиг. 2 ). После. формования провода 2 всеми струнами 1 удерживают их толкателями 4 в плоскости нейтрального положения и закрывают зев. Затем движением штанги б в направлении от челнока 10 перемещают толкатели 4 вертикально вверх, отпускают струны 1 и возвращают толка- тели в исходное положение.35Затем упор 9.отводят от струн 1, сформованный струнами 1 провод 2 подбивают к сплетенным обмоткам 3, разводят прижимы 8 и .выводят вплетенный в струны 1 провод 2 из зоны 40 плетения.После этого прижимы 8 сводят, производят очередное образование между струнами 1: зева, .в которнй челноком 10 в противоположном направлении .45 прокладывают провод 2, частично сводят зев на величину касания струнами 1 провода 2, подводят под струны 1 упор 9, движением штанги 7 в направлении-свободного конца провода 2 последовательно перемещают вертикально вниз к струнам 1 толкатели 5, каждым из которых опускают в плоскость нейтрального положения струн соответствующую ему струну 1 и одновременно формируют струной провод 2.После формования провода 2 всеми струнами 1 удерживают их толкателями 4 в плоскости нейтрального положе" ния и закрывают зев. Затем движением штанги.7 в противоположном направлении перемещают толкатели 5 вертикально вверх. отпускают струны 1 и возвращают толкатели 5 в исходное положение, В дальнейшем все операции плетения обмоток матриц повторяют.П р И м е р. Предлагаемый способ опробывают.для плетения обмоток 20-разрядной, 32-числовой матрицы. Диаметр технологических струн выбирают 0,2 мм; шаг между струнами принимают равным 0,5 мм. Диаметр провода числовых обмоток выбирают равным 0,08 мм; марку провода выбирают ПЭВТЛК. Каждая обмотка содержит б витков Провода. Между числовыми обмотками вплетают по 3 витка магнитного кипера, На концах матрицы сплетают по 10 витков балластных обмоток.Контроль плетения обмоток осущест. вляют визуально с применением лупы восьмикратного увеличения.В результате получают числовые обмотки матрицы с одинаковыми полу- витками в соленоидах, беэ обрывов проводов, нарушения его изоляции, а плетение полотна числовых обмоток не имеет деформированных участков, что говорит о повышении точности изготовления запоминающих матриц на ЦМП. ВНИИПИ Заказ 3393/ Тираж 594 Подписно иал ППП "Патент",Ужгород,ул.Проектная,4