Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 0 0.11 С 11 Ф ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 21) 3412382/18-24(53) 681.327.бб 088.8)56) 1. Авторское свидетельство СССРР 282428, кл. 6 11 С 11/14, 19 б 9.2. Авторское свидетельство СССР.9 474642, кл. 6 11 С 5/02, 1972 прототип),54)(57) С 0 СОБ ИЗ 1 ОТ 0 ВЛЕНИЛ БАПОИ. НМЙИХ МА 7 РИЦ ИА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МЬГ-,:3 ЮНЦХ ИЛВНКАХ, основанный на натя:жении технологических струн, образоваиии зева путем их разведения, последовательиож прокладывании в зев,обмоток под углом к технологическимструнам, закрывании зева, перемещении с 4 юрмованных проводников к чис.Я 0,1 034 А ловым или экранирующим обмоткам призакрытом зеве, перемещении техноло,гических струн, отделении обмоток от зоны плетения и извлечении технологических струн, о т л и .ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоми,.нающих матриц на цилиндрических магнитных. пленках, при последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранируюцих обмоток проводник каждого первого полувитка экранирующей обмотки прокладывают в один зев вместе с проводником каждого последнего полувитка числовой обмотки, а проводник каждого первого полувит.- ка числовой обмотки прокладывают в в один зев,вместе с проводником каждого последнего полувитка экранирующей обмотки, ориентируют проводники В зе ве один отнссительно другого и прово дят, их одновременную формовку.Ф1034072 1Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающихустройств на цилиндрических магнитныхпленках (,ЦМП).Известен способ изготовления зейоМинающих матриц на ЦМП, основанный нанатяжении технологических струн,образовании зева путем их разведения,.последовательном прокладывании в зевпроводников числовых и экранирующих 10обмоток и формовании из них числовыхи экранирующих обмоток путем закрытия зева, отделении сформонанных обмоток от зоны плетения, заливке готовых обмоток компаундом и извлечениитехнологических струн Г 1,Недостатком известного способа .изготовления является то, что форьование проводников числовых .и экранирующих обмоток, проложенных в зев,происходит всеми струнами одновременно. Это приводит к возникновению значительных деформаций и утонений формуемого проводника, его обрывам, нарушениям изоляции и стягиванию тех"нологических струн по шагу,Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основанный нанатяжении технологических струн,образовании зева путем их разведения, последовательном прокладываниив зев проводников числовых и экранирующих обмоток под углом к технологическим струнам, последовательномформовании струнами проводников при 35закрывании зева, перемещении сформованных проводников к числовым илиекранирующим обмоткам при закрытомзеве, перемещении технологическихструн, отделении обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн,Согласно этому способу изготовления запоминающих матриц сначала формуют витки числовой обмотки, каждый 45из которых состоит из двух полувитков,сформованных в результате перемещениятехнологических струн сначала в одномнаправлении, а затем в другом. Каждыйсформованный таким образом полувитокчисловой обмотки перемещают с помощьюгребенки и отделяют от эоны плетения.После формования необходимого количества витков .числовой обмотки Формуют необходимое количество витков экранирующей обмотки, перемещая приэтом каждый сформованный ее полувитокс помощью гребенки и отделяя его отзоны плетения Г 2 1Недостатком такого способа изготовления является то, что каждый пер Овый и последний полувиток числовойобмоткИ испытывает значительные механические воздействия со стороны проводников экранирующих обмоток которые являются более жесткими и выпол иены обычно из пермаллоя, в местах их соприкосновения при перемещении каждого сформованного полунитка экранирующей и каждого сформованного полунитка числовой Обмотки с помощью гребенки при этом сила, с которой числовые и экранирующие обмотки воздействуют на первые полувитки соответственно числовых и экранирующих обмоток, прилагается только в точках их соприкосновения. Это приводит к тому, что н точках соприкосновения числовых и экранирующих обмоток в результате их воздействия друг на друга в моменты их перемещения гребенкой нарушается изоляция проводников йервых и последних полувитков числовых о обмоток проводниками экранирующих обмоток, так как последние являются более жесткими. Нарушение изоляции проводников числовых обмоток приводит к возникновению коротких замыканий проводников числовых и экранирующих обмоток друг с другом, которые проявляются как непосредственно при изготовлении матриц, так и нри их даль" нейших испытаниях, Короткие замыкания проводников числовых и экранирующих обмоток увеличивают влияние числовых обмоток друг на друга, что снижает уровень выходного сигнала и увеличивает уровень помехи матрицы, приводя к уменьшению выхода годных матриц.Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП,основанному на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разведения, последовательном прокла" дывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток под углом к технологйческим струнам, закрывании зева, перемещении сформованных проводников к числовым или экранирующим обмоткам при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделении обмоток от зоны плетения и извлечении технологических струн, при последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток проводник каждого первого полувитка экранирующей обмотки прокладывают в один зев вместе с проводником каждого последнего полувитка числовой обмотки, а проводник".каждого первогополувитка числовой обмотки прокладывают в один зев вместе с проводником каждого последнего полувитка экранирующей обмотки, ориентируют проводники в зеве один относительно другого и проводят их одновременную формовку,На Фиг.1 изображены проводник последнего полувитка числовой обмотки и проводник первого полувитка экра1034072 е 2 МЙЗТираж 594 По И Заказ 5 б 31 писное род,ул иал ППП фПатевтф, г. ктная,4 нирующей обмоткиу на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 " распределение сил, действующих на последний полувиток числовой обмотки со стороны экравирующей обмотки в момент подбивки ее и всех последукщвх полувитков гребенкой.На чертежах обозначеныфтехнологические струны 1, проводник 2 числовой обмотки, проводник Э последнего полувитка числовой обмотки, провод ник 4 первого полувнтка экранирующей обмотки,.челноки 5 и б числовой и экранирующей обмоток, гребенка 7, линия приложения силы к последнему полувитку числовой обмотки со сторо ны экранирующей обмотки при перемещении ев гребенкой 8, сила, действующая в каждой точке линии соприкосновения. экранирующей и числовой обмоток Р;20Способ осуществляют следующим образом.На Любом устройстве.или ткацком станке натягивают технологические струны 1 путем их разведения с помощью ремизок ( не показаны образуют зев и прокладывают в него с помощью челнока 5 проводники 2 числовых обмоток, формуют из них полувитки числовых обмоток и перемещают их за Вону. плетения, вместе с проводником. 3 последнего полувитка числовой обмотки прокладывают с помощью челнока б проводник 4 первого полувитка экранирующей обмоткиориентируют проводники 3 и 4 в зеве друг относительно друга, обеспечивая при этом одинаковый угол каждого из них относительно технологических струн 1, проводят их одновременную формовку путем последовательного сведения 40 струн в. зеве и перемещают сформованвую пару проводников последнего полу- витка иисловой обмотки и первого полувитка экравирующей обмотки с помо.щьюгребенки 7 за зону плетения. 45После Формования необходимого числа полувитков экранирующей обмотки вместе с проводником ее последнего полувитка прокладывают в один зев с ним проводник первого полувитка числовой обмотки, ориентируют проводники в зеве один относительно другого, обеспечивая при этом одинаковый угол каждого из вих относительно технологических струн, проводят их одновременную формовку и ,перемещают сформованиую пару проводников последнего полувитка экранирующей обмотки и первого полувитка числовой обмотки с помощью гребенки за зону плетения.Сила, с которой экранирующне обмотки действуют при их перемещении гребенкой из зови плетения на последний полувиток каждой числовой обмотки, распределяется по линии 9, т.е. равномерно по всей поверхности последнего полувятка числовой обмотки, а не прилагается в одной точке, чтоимеет место в известном способе. Такое распределение силы приводит к зйачительному уменьшению механйческого воздействия одних обмоток на другие при их перемещении гребенкойиз зоны плетения. При этом не проис ходят нарушения изоляции проводников последних и первых полувитков числовых обмоток, что позволяет устранить короткие замыкания между проводниками числовых и экранирующих обмоток и увеличить процент выхода .годных матриц. Кроме того, уменьшение воздушного зазора между экранирующей и числовой обмотками за счет более плотного их нрилегания друг к другу улучшает магнитные характеристики запоминающей ыхтрицы.Технико-экономический эффект от применения предлагаемого способа заключается в повышении надежности изготовления и процента выхода годных запоминающих матриц путем исключения повреждения изоляции проводников числовых обмоток и составляет, по предварительным расчетам, около 5,6 тыс. Руб.