Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51) С 11 УДАРС ДЕЛА ЕТЕНИЯ ЬС ый зевного о санами,ехнос последовательно логических стру нительного огра о т л и ч а ю щ с целью повышен удаленияосновногочительных й с я т точности и допол- стержней ем, иэ т ТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙСАНИЕ ИЗО АВТОРСКОМУ С(56) 1. Авторское свидетельство ССУ 566267, кл. С 11 С 11/14, 1977.2. Авторское свидетельство СССРУ 842959, кл. С 11 С 11/14, 1981(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХМАГНИТНЬ 1 Х ПЛЕНКАХ, основанный наплетении обмоток матриц на технологических струнах путем одновременного пропускания провода обмотоки основного ограничительного стержня через зев, образованный технологическими струнами, расположенияпровода и основного ограничительногостержня в зеве под углом к технологическим струнам, удерживания струнограничительным стержнем и регулирования зева с образованием обратноЯО 116478 го зева, введения в обра полнительного ограничите стержня, перемещения его лению к основному стержн я всеми технологическ ления запоминающих матриц, послевведения в обратный эев дополнительного ограничительного стержня сводят технологические струны обратного зева и располагают их друг относительно друга вдоль дополнительного .ограничительного стержня с понижением высот в направлении свободного конца провода и удерживают струны дополнительным ограничительнымстержнем в данном положении, а удаление дополнительного ограничительного стержня из технологическихструн обратного зева осуществляютперемещением его в направлении отсвободного конца провода.Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матрицпамяти для запоминающих устройств(ЗУ) на цилиндрических магнитныхпленках (ЦМД),Известен способ изготовлениязапоминающих матриц на ЦМЛ, основанный на плетении обмоток матрицна технологических струнах основыпутем пропускания провода и вместес ним ограничительного стержнячерез зев, образованный взаимнымсмещением технологических струн,расположения приложенного в зевепровода по линии его формовки подуглом к струнам, удерживания технологических струн в зоне плетениястержнеми регулирования зева, извлечения стержня из технологическихструи в сторону свободного концапровода 13.Однако данный способ не обеспечивает равномерной по глубине фор"мовки провода, проложенного в зевепод углом к струнам. Это обусловлено тем, что расстояния между струнами по высоте в направлении провода не одинаковы и увеличиваютсяв сторону его свободного конца, Ограничительный стержень при регулировании зева выравнивает высотыструн, однако при извлечении иэзева ограничительного стержня струны не фиксируются на одинаковыхвысотах в направлении провода и,переходя в противоположный зев(после извлечения стержня), формуют провод в направлении возрастания расстояний по высоте междуними. Это приводит к нарушениюформы витков при подбивке к пакетусплетаемых обмоток матриц, снижаетих качество и надежность.Наиболее близким техническимрешением к изобретению является способ изготовления запоминающихматриц на ЦМП, заключающийся втом, что в обратный зев струн, образованный после зажатия ими ограничительного стержня, вводят дополнительный ограничительный стержень, перемещают последний понаправлению к основному до выравнивания усилий зажатия его участками струн, фиксируют дополнительный стержень в этом положении,после чего последовательно удаляют 25 30 35 40 45 50 55 основной и дополнительный стержни Г 23.Недостатком известного способа является то, что при перемещении дополнительного стержня к основному увеличиваются усилия в струнах, действующие на основной стержень, и при извлечении стержня (основного) из зева сходящие с его конца струны резкими движениями дергают проложенный в зеве провод, увеличивают длину втягивания его свободного конца, что приводит к отклонению размеров витков обмоток мат" риц, точности их плетения, снижению качества и надежности.Цель изобретения - повышение точ ности изготовления запоминающих матриц на ЦМП. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основанному на плетении обмоток матриц на технологических струнах путем одновременного проПускания провода обмоток и основного ограничительного стержня через эев, образо ванный технологическими струнами, расположения провода и основного ограничительного стержня в зеве под углом к технологическим струнам, удерживания струн ограничительным стержнем и регулирования зева с образованием обратного зева, введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня, перемещения его по направлению к основному стержню до касания всеми технологическими струнами, последовательного удаления из технологических струн основного и дополнительного ограничительных стержней, после введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня сводят технологические струны обратного зева и располагают их друг относительно друга вдоль дополнительного ограничительного стержня с понижением высот в направлении свободного конца провода и удерживают струны дополнительным ограничительньм стержнем в данном положении, а удаление дополнительного ограничительного стержня из технологических струн обратного зева осуществляют перемещением его в направлении от свободного конца провода.1164786 Плетение обмоток запоминающих матриц осуществляют на любом приспособлении, устройстве или станке, имеющем зевообразующий механизм.На фиг. 1 схематически показана 5 операция введения в эев провода и ограничительного стержня на фиг.2- операция регулирования основного зева и образования обратного зева; на фиг.3 - операция введения в обратный О зев дополнительного ограничительного стержня с переменным сечением по длине; на фиг.4 - операция расположения дополнительного ограничительного стержня относительно основ ного и эащемления его струнами; на фиг.5 - операция извлечения из зева основного ограничительного стержня и формования струнами провода; на фиг,6 - операция извлечения из 20 обратного зева дополнительного ограничительного стержня.Устройство для осуществления предложенного способа содержит технологические струны 1 вплетаемый 25 в них провод 2, основной ограничительный стержень 3 и дополнительный ограничительный стержень 4.Предложенный способ осуществляют следующим образом. 30В образованный между технологическими струнами 1 зев вводят провод 2 и основной ограничительный стержень 3, располагают провод 2 в зеве по линии формовки под углом З 5 к струнам 1, а стержень 3 располагают в зеве параллельно проводу. Удерживают провод 2 и стержень 3 в заданном положении и регулируют зев, Для этого перемещают струны 1 в сторону 40 закрывания зева. При этом струны 1 встречают на своем пути ограничительный стержень 3, который задерживает в открытом зеве участки струн 1 от вершин углов зева до мест каса ния со стержнем 3. Другие участки струн 1 от мест касания их со стержнем 3 сводят в плоскость нейтрального положения и,не меняя направления их движения, разводят в направлении открывания очередного зева и образуют между струнами 1 в местах их перекрестий со стержнем 3 обратный зев. В обратный зев вводят дополнительный ограничительный стер- . 55 жень 4 с изменяющимся по его длине сечением таким образом, что направляют его стороной с меньшим сечениеФ в направлении свободного корца провода 2, располагают стержень 4 в зеве на зацанном расстоянии от основного стержня 3 и под заданным углом к струнам 1, после чего сводят струны обратного зева и защемляют ими дополнительный стержень 4Затем извлекают основной стержень 3 из струн 1 путем перемещения его в сторону свободного конца провода 2, При этом струныпоследовательно сходят с конца стержня 3, переходят через плоскость нх нейтрального положения формируют провод 2 и открывают обратный зев на участке от дополнительного стержня 4 до вершин углов между струнами 1 в месте их отделения от сплетаемого пакета обмоток матриц. Струны 1 в сечении стержня 4 располагают в соответствии с его толщиной на различных расстояниях друг от друга. При таком расположении струн 1 на стержне 4 прочсходит выравнивание расстояний (высот) между струнами 1 и в направлении формовки провода 2 и глубина его формовки каждой струной при перемещении стержня 3 получается одинаковой.После извлечения из струн 1 стержня 3 и формовки струнами 1 провода 2 извлекают стержень 4 путем перемещения его в направлении от свободного конца провода 2, сводят струны 1 в плоскость их нейтрального положения и все дальнейшие операции повторяют.П р и м е р. Предложенный способ опробован для плетения обмоток 20-разрядной, 32-числовой матрицы. Диаметр технологических струн 0,2 мм, шаг между струнами 0,5 мм. Диаметр провода для обмоток матриц 0,08 мм, марка провода ПЭВТЛК.Между обмотками вплетали по 3 витка магнитного кипера. На концах матриц сплетали по 10 технологических витков, предохраняющих витки начальных рабочих обмоток матриц от повреждений при извлечении технологических струя из соленоидов обмоток, заполнении их стержнями с магнитной пленкой и монтаже матриц в накопитель памяти.Основной ограничительный стержень выполнен в виде пластины иэ текстолита толщиной 0,5 мм, шириной 4 мм и длиной 100 мм. Дополнительный ограничительный стержень выполнен в виде клинообразной пластины из текстолита толщиной ее . концов в 1 мм соответственно шириной 4 мм и длиной 120 мм. Основной стержень располагали в зеве параллельно проложенному под углом 30 к струнам проводу на расстоянии 5 мм .от него, а дополнительный стержень располагали в обратном зеве под прямым углом к струнам концом с меньшей толщиной в сторону свободного конца провода и на расстоянии 25 мм от него. Стержень устанавливали толщиной 1,5 мм между струнами у свободного конца проводаКонтроль плетения обмоток осуществляли визуально с применением окуляра 8-кратного увеличения.В результате бьц 1 и получены числовые обмотки матрицы с одинаковыми по глубине формовки полувитками в соленоидах, без обрывов проводов, нарушения его изоляции, а плетение полотна числовых обмоток матриц не имели деформированных участков.Предложенный способ по сравнению с известными позволяет широко варьировать параметрами зоны плетения зева (места и направления удерживания струн при регулировании зе 1 О ва в направлении формовки провода,высоты между струнами по линии фор.мовки провода), параметрами обрат-.ного зева (места положения допол нительного стержня между струнамизева), размерами формуемых участков провода и обеспечивает оптимальные условия плетения обмотокматриц различных типоразмеров ина устройствах с различными механизмами зевообразования.Кроме того, предложенный способ изготовления запоминающихматриц позволяет повысить такие показателипроцесса плетения обмотокматриц, как равномерность глубиныформовки провода, воспроиэводимость идентичности формовки провода,повышение точности размеров формов ки, снижение брака, повышение качества и надежиости.Предложенный способ изготовления запоминающих матриц на ЦМПобеспечит изготовление обмоток матриц заданных размеровповышение однородности их электрических и магнитных параметров, повышение выходагодных и качества матриц.Годовой экономический эффект от 30 использования предложенного способасоставит не менее 4,0 тыс.руб.1164786 Составитель Ю, РозентальТехред М.Кузьма Коррект едак Решет оИЙ ауш тент", г. Узгород, ул. Проектная,4 и аказ 4193/49 Вираж 584 ВНИИПИ Государстве по делам изобрет 113035, Москва, 3-35, Подписное комитета СССР открытий кая наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
3652378, 11.10.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6668
БАВЫКИН НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, ЛЫСЫЙ ЛЕОНИД ТИМОФЕЕВИЧ, ПАРАСЮК ЭДУАРД АЛЕКСЕЕВИЧ, ШАПОВАЛОВ ВИКТОР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
Опубликовано: 30.06.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/5-1164786-sposob-izgotovleniya-zapominayushhikh-matric-na-cilindricheskikh-magnitnykh-plenkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках</a>
Предыдущий патент: Устройство для контроля параметров аппаратов магнитной записи
Следующий патент: Элемент памяти (его варианты)
Случайный патент: Флюс для сварки