Патенты с меткой «перехода»

Номер патента: 1755192

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Бахова, Васильев, Малая, Щеголева

МПК: G01N 33/48

Метки: болезни, болезнь, гипертонической, гипертоническую, перехода, прогнозирования, стадии

...переход гипертонической болезни И стадии в гипертоническую болезнь Ш стадии при увеличении я и/или е 2 на 0-4 относительно диэлектрической проницаемости контролируемой пробы (й),П р и м е р 1. Больной О.,45 лет, поступил в клинику с диагнозом: гипертоническая болезнь 11 стадии, Диагноз подтвержден ЭКГ-данными, сотласно которым у больного признаки гипертрофии миокарда левого желудочка, рентгенологически и эхокардиоскопически подтверждена левожелудочная гипертрофия, Больной отмечал частыеподьемы АД до 180/100 мм рт,сткоторыене сопровождались ухудшением состояния,5 не лечился. Чаще АДбыло в пределах 160170/95-100 мм рт.ст, Нормализация АД достигнута на 3-и сутки пребывания больногов стационаре. После обследования предлагаемым...

Номер патента: 1760114

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Калугин, Кузьмин, Стетой, Тугай

МПК: E21C 41/18

Метки: выработки, горной, ископаемого, перехода, пласта, полезного, разработке

...всей длине, предварительноеразупрочнение кровли выработки и форми. рование зоны временного опорного давления впереди очистного забоя,разупрочнение кровли производят при подходе очистного забоя к выработке на расстоянии не менее ширины зоны временногоопорного давления проведением разгруэочной щели под углом естественного обрушения пород кровли в сторону очистногозабоя, при этом формирование указаннойщели производят вдоль ближнего к очистному забою сопряжения стенки и кровли выработки.Сопоставительный анализ заявляемоготехнического решения с прототипом показывает, что заявляемый способ от известного отличается тем, что разупрочнение 30кровли переходимой выработки производятпри подходе очистного забоя лавы к выработке на расстоянии не...

Номер патента: 1762317

Опубликовано: 15.09.1992

Автор: Кройтор

МПК: G09B 23/06

Метки: демонстрации, механизма, односторонней, перехода, прибор, проводимости

...Шарики, находящиеся в левой части прибора (" полупроводник типа р"), имитируют "дырки", а в правой части (" полупроводник типа и") - электроны. Электроды 9 и 10 подключают к полюсам источника высокого напряжения через переключатель. Если полярность этих электродов соответствует указанной на чертеже (к полупроводнику типа р "+" и типа и "-", то под действием внешнего электрического поля шарики движутся между электродами 9 и 10, пересекая границу раздела - линию 11. Этот опыт демонстрирует, что под действием внешнего электрического поля, направленного от дырочного полупроводника к электронному, :новные носители заряда в каждом полупроводнике движутся к границе раздела и разрушают запирающий слой, обогащая его свободными носителями...

Номер патента: 1765327

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Гулабянц, Перегудова, Стародубцев

МПК: E04F 11/02

Метки: блок, лестничный, перехода, пешеходного, подземного

...вверх ребрами 9 и полкой 10 и накрывающей его не менее чем одной в плане плиты-проступи 11, причем подступенок каждой ступени 3 образован внешним ребром 9 элемента 8. Лоткообразные элементы 8 оперты на косоуры 2 с образованием консольных свесов 12 полок 10, В консольных свесах 12 образованы проемы 13, сообщающие каналы 5 с полостями лоткообразных элементов 8 с образованием коллекторной системы.Косоуры монолитно объединены с нижней плитой 4 или оперты на нее, при этом каналы 5 размещены под консольными свесами 12 полок 10 между стеновыми конструкциями 1 и ближайшими к ним косоурами 2 или между стеновыми конструкциями 1 и ближайшими к ним косоурами 2 и между косоурами 2 смежных лоткообразных элементов 8 каждой ступени 3, Проемы 13...

Номер патента: 1773992

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бабанин, Минаев, Теклев, Филиппов

МПК: E04B 1/343, E04H 15/00

Метки: навес, перехода, пешеходного

...ительства и может быть исп оборудования переходов для дей и защиты их от движуще та,Известен навес пешеходного перехода, содержащий опоры, на которые установлены стойки, конструкцию перекрытия, закрепленную на стойках и защитные экраны с перилами,Недостатком укаэанного навеса является большая трудоемкость возведения пешеходного перехода, большой расход пиломатериалов и невозможность практически повторного использования пиломатериалов, что также приводит к усложнению монтажа и демонтажа пешеходного перехоЦель изобретения - упрощение монтажа и демонтажа,Поставленная цель достигается тем, что он снабжен соединительными тягами, втулками для стоек, проушинами, установлен р;ИЯ, 1773992лены проушины 10 с отверстиями 11 для крепления защитных...

Номер патента: 1782302

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дэвид, Питер

МПК: F24H 7/00

Метки: аккумулирования, аппарат, виде, высвобождения, зародышеобразовательной, контролируемого, кристаллизации, перехода, скрытой, тепла, теплоаккумулирующий, теплообменный, теплоты, фазового

...15 биметаллической плас дымя устойчивьми состояниями, в койст-стины 11 и вогнутость 18 пластийй 14 посторукцйю которого входят двасмежных твер- яннонаходились в контакте друг с другом.дых тела с впадинами для ловушечного.При температурах окружающей среды, презахватамеждунймикристаллита 25 матери- . вышающих температуру конструкции Т,ала 20. Эти два твердых тела выполнены в 55 пластины 11 и 14 более сильно прижимают-виде биметаллической пластины 11 с двумя ся друг к другу в точке 18(см. фиг.З), чем приустойчивыми положениями-и вогнутым уча- температуре ниже Т (см. фиг.4),стком 15 и однослойной пружинной пласти- Через отверстие 16 в биметаллическойны 14, имеющей выгйутостьи пластине 11 фазопеременный материал 20контактирующей с...

Номер патента: 1786402

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бахрамов, Коххаров, Тихоненко

МПК: G01N 21/21

Метки: атома, изменения, линии, перехода, поле, полевого, резонансного, световом, сильном, уширения

...0,4 см длительность импульса на полувысоте 20 нс), частота которого перестраивалась в широкой окрестности исследуемого перехода 531 п - 5 Рзп,Измерение угла самовращения эллипса поляризации, прошедшего область взаимодействия излучения ЛК, производилось двумя взаимно скрещенными поляризационными призмами Франка-Риттера и установленным за ними ФПУ на базе фотодиода ФДГ. Коэффициент экстинкции измерительной схемы был не хуже 10 Степень эллиптичности излучения ЛК(отношение малой и большой полуосей эллипса поляризации) составляла величину 0=5 10 4,На чертеже приведены крив .е частотной зависимости угла самоиндуцированно 5 го вращения эллипса поляризации р(и) длятрех фиксированных значений интенсивности при перестройке частоты...

Номер патента: 1807052

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Беляев, Власова, Демидов, Кукушкин

МПК: C07D 213/26, G01N 31/22

Метки: 10-фенантролинаты, 4-нитрофенил-4, воде, индикаторными, интервалом, калия, натрия, обладающие, окраски, органическим, отношению, перехода, пиридилметанидов, протонным, растворителям, свойствами, синей

...Плав охлаждают и хранят в атмосфере, не содержащей паров воды. Выход составляет 99,0% от рассчитанного (5,973 г),Найдено, %: С 72,5; Н 4,2; й 14,1йаСзбНгбйб 02Вычислено, %: С 72,5; Н 4,2, й 14,1.П р и м е р 4. Бис,10-фенантролинат 4-нитрофенил-пиридилметаниа натрия.Смесь 2,142 г 4-нитрофенил-пиридилметана, 3,964 г гидрата 1,10-фенантролина и 0.530 г йагСОз нагревают при 120 С в течение 10 мин до образования темно-синего плава и убыли массы исходной смеси 0,665 г. Плав охлаждают и хранят в атмосфере, не содержащей паров воды, Выход составляет 99,2% от рассчитанного (5,971 г),Найдено, %. С 72,4, Н 4,1; й 14,0.5 йаСзбНгбйб 02Вычислено, %, С 72,5, Н 4,2, й 14,1.П р и м е р 5, Моно,10-фенантролинат4-нитрофенил-пиридилметанид калия,Смесь 2,142...

Номер патента: 1807984

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Федосов

МПК: G05B 1/01

Метки: момента, нол, перехода

...4 логические "0", а сам триггер находится в исходном (нулевом) состоянии и на его выходе 0 также логический "0" (поз, 8 на фиг. 2).При первом переходе через ноль вход. ного сигнала в момент времени ц компаратор 3 без гистерезиса формирует перепад выходного напряжения, соответствующий логической "1", по которому в О-триггер 4 по входу С. записывается единица, Последующий "дребезг" выходного сигнала компаратора 2 за счет помех не изменяет состояния О-триггера.В момент времени 12 срабатывает компаратор 2 с гистерезисом, выходной сигнал которого поступает на вход В О-триггера 4 и сбрасывает его. В результате на выходе 0 Р-триггера 4 формируется сигнал 8, передний фронт которого совпадает с моментом первого перехода входного сигнала 5 через...

Номер патента: 1812626

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Боголюбов, Игнатов, Яновский

МПК: H03K 5/153

Метки: времени, момента, нуль, перехода, сигнала

...который поступаетна соответствующий управляющий входблока 4, блок 4 прекращает интегрированиесигнала. Одновременно по сигналу блока 6блок 8 запоминает результат интегрирования 32,По сигналу "Пуск" блока 6 решающееустройство 10 считываетиз регистра памятизначение Ьт и результаты интегрирования31; Я 2: Яз с выходов блоков 7, 8, 9 соответственно, преобразует последние в цифровуюформу и вычисляет момент времеки 1+ перехода сигнала через нуль по формуле (4). Пускблока 10 осуществляется передним фрон том импульса на выходе В 4 блока б. Значение 1" отображается на экране устройства11. На этом цикл измерений завершается,, Блок 6 формирует сигнал "Сброс", под действием которого в блоках 3, 4, 5 и 7, 8, 9осуществляется сброс значений 31: 32;...

Номер патента: 1825432

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Шмиткин

МПК: H01L 21/22

Метки: кремний, перехода

...площади в процентах от величины отношенияЯп 02А - М -для различных содержаний А 2(МОз)з, мас.7, в диффуэанте состава: "х" - А 2(МОз)з, 2-4 г С, "у" - Яп 02 и 30 г этилового спирта ("х" и "у" - варьируются)- отсчет осуществляется по левой оси ординат.Одновременно график отражает собой процент значений Вэ - поверхностного со+противления с р -стороны, превосходящихОмуровень в 1 . принятый в технологии за критерий годностиот величины отношения Яп 02/А 2(мОз)з - отсчет по правой оси ординат.На фиг. 2 представлены гистограммы распределения кристаллов диаметром б мм по напряжению пробоя. Кристаллы вырезались из пластин, р-п-переход в которых получен с применением диффуэантов различного состава, Под М 1 представлена гистограмма распределения...

Номер патента: 1828426

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Карл-Хайнц, Франц

МПК: B27K 3/12

Метки: атмосфере, грунта, деревянных, защиты, зоне, перехода, столбов

...1, смотанная в. рулон 2, имеет толщину; например, около1-2 мм, в зонах своих продольных кромоксодержит по полосе 3 и 4 из пластичнойуплотнительной массы на базе полизобутилена,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ЗАЩИТЫ ДЕРЕВЯННЫХ НЕ ПЕРЕХОДА ОТ ГРУНТА ние: в способах защиты деов от гниения. Сущность я защиты используют синоусадочную ленту, которая одольных кромок содержит массу, а между ними - пасбор или его соединения. хлест концы ленты соединянтой. 1 э. и. ф-лы, 2 ил, 1828426клеем, Концы 9 и полоска 10 нагреваются и полоска 10 прижимается. Затем нагреваются остальные области оболочки, образованной синтетической лентой 1 и усаживаются (стягиваются) на деревянном столбе. При этом после усэдки должны нагреваться, в...

Номер патента: 1828926

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бессолов, Демин, Пруткин, Самойлов, Семенов, Теклев

МПК: E21D 9/00

Метки: возведения, методом, перехода, пешеходного, проходки, щитовой

...частями 35,шарнирно закрепленными к рельсовому пути проходческого щита. Выдвижные рельсы"0 33 в каждой паре объединены регулируемыми стяжками 36. Для размещения крепеукладчика 2 с электровозом 32 и вагонеток 4,сэлектровозом 5 в шахтном стволе 37 уложены дополнительные рельсы 38 и 39, образу 5 ющие рельсовый путь для перемещения понему взгонеток 4 с электровозом 5,Секция крепи выработки состоит из основания 40, балки перекрытия 41 и боковыхэлементов 42,20 Способ возведения пешеходного перехода методом щитовой проходки заключается в Следующем. Вначале экскзваторныморганом 13 разрабатывается грунт в ячейках, образованных вертикальными 6 и гори 25 зонтальными 7 перегородками. При этомдля обеспечения свободного движения...

Номер патента: 1837215

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Даниэлян, Таскаев

МПК: G01N 25/00

Метки: воды, грунтах, мерзлых, перехода, связанной, теплоты, фазового

...груггт, охладив до температуры Тс, ниже :,аторогФазовый переход практически не происходит, Далее ячейку с грунтам памецаот в сггеду с паложительнои температуоои, г "рогской:гт оттаивание грунта, при этом изменение льдистасти соответствует Функции1(Т), В процессе нагрева с памагцью электроизмерительных приборов производят запись показании датчиков т егло ваго Ггатока и температуоы. На графопостроителе производится запись теплавога патока как функ. ции температуры а(Т)=.гта зависимость имеет экстремум, по положенггю которого определяюттемпературуаттаивания Т 1, при которой в грунте завершается фазовый переход лед-вода, На самопишущем потенциометре регистрируется изменение теплового потока от времени ц(1), При достижении температуры Т 1...

Номер патента: 1793811

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Гасумянц, Казьмин, Кайданов

МПК: H01B 12/00, H01L 39/24

Метки: yba2cu3o7, керамики, критической, перехода, сверхпроводящего, температуры

...что, во-первых, достаточно сложно и трудоемко, а во-вторых, частично разрушает образец.Целью изобретения является упрощение и повышение точности за счет локальных измерений,Сущность способа заключается в том, что для определения величины Тс керамик ЧВа 2 Соз 07-д предлагается пользоваться установленной корреляционной зависимостью между значением Тс и а(Т = 300 К) для этих керамик и, измерив значение при комнатной температуре любым известным способом определять величину Тс по этой зависимости. Этот способ значительно проще и быстрее в исполнении (для проведения 25 измерений требуется наличие лишь нагревательного элемента, термопары и микро- вольтметра для регистрации величины сигналов, а сам процесс проведения измерений занимает 1 - 2...

Номер патента: 1713360

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Латышев, Персиянинов

МПК: G01N 25/02

Метки: датчик, жидкость-лед, перехода, фазового

1. ДАТЧИК КОНТРОЛЯ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА "ЖИДКОСТЬ-ЛЕД", содержащий камеру из материала с низкой теплопроводностью, съемную крышку из материала с высокой теплопроводностью, мембрану, разделяющую камеру на две полости и взаимодействующую с переключателем, установленным в подмембранной полости, радиальные каналы подвода среды, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности, подмембранная полость снабжена каналом с запорным органом, крышка выполнена сплошной и установлена подвижно с помощью пружин, связанных с камерой, а радиальные каналы образованы с помощью проставок, расположенных между камерой и крышкой.2. Датчик по п.1, отличающийся тем, что крышка выполнена с развитой поверхностью.

Номер патента: 1667493

Опубликовано: 20.12.2001

Автор: Чакин

МПК: G01N 3/18

Метки: перехода, сдвига, температуры, хрупковязкого

Способ определения сдвига температуры хрупковязкого перехода, заключающийся в том, что испытанию подвергают образцы в исходном состоянии и после эксплуатации регистрируют параметры, характеризующие состояние материала образцов, и определяют сдвиги температуры хрупковязкого перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, в качестве режима эксплуатации используют радиационное облучение, в качестве параметров регистрируют микротвердость материалов, оценивают изменение микротвердости и с его учетом определяют сдвиги температур хрупковязкого перехода.

Номер патента: 1349466

Опубликовано: 27.04.2004

Авторы: Гиндин, Метолиди, Хинкис, Чиркина

МПК: G01N 3/00

Метки: вязкохрупкого, металлических, перехода, температуры

Способ определения температуры вязкохрупкого перехода металлических материалов, по которому образцы с полированной поверхностью деформируют при различных температурах, строят диаграмму зависимости параметра пластичности от температуры и по перегибу на этой диаграмме определяют температуру вязкохрупкого перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности определения за счет регистрации однородности локальных деформаций, деформирование осуществляют до напряжения, составляющего от 0,3 до 0,9 предела текучести материала, а в качестве параметра пластичности выбирают отражательную способность поверхности в области инфракрасного излучения.

Номер патента: 1333185

Опубликовано: 27.09.2004

Авторы: Волошина, Рыбакова, Стадник, Хоточкин

МПК: H02G 11/00

Метки: аппарата, жгута, кабельного, летательного, неподвижной, перехода, подвижную, часть

Устройство для перехода кабельного жгута с неподвижной на подвижную часть летательного аппарата, содержащее раздвижной корпус, первый из элементов которого шарнирно соединен с одной частью летательного аппарата и установлен с возможностью перемещения вдоль соединенного с другой частью летательного аппарата второго элемента корпуса посредством ползуна, взаимодействующего с направляющими средствами, уложенный петлеобразно гибкий кабельный жгут, размещенный на части длины на первом элементе корпуса, и зажимы крепления жгута, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей путем увеличения хода перемещения при одновременном повышении надежности, второй элемент корпуса...

Номер патента: 1111365

Опубликовано: 20.12.2004

Авторы: Исаков, Калачев, Кузьмин, Сильчев

МПК: B64C 15/12

Метки: перехода, подвижного, самолета, системы, электропроводки

Устройство подвижного перехода электропроводки системы самолета по авторскому свидетельству № 520755, отличающееся тем, что, с целью улучшения условий эксплуатации путем герметизации отсека с электроаппаратурой, оно снабжено охватывающей трубу эластичной манжетой, одним концом жестко закрепленной вокруг отверстия в стенке носка крыла, а другим концом подвижно установленной на трубе, при этом на трубе закреплены кольцевые упоры, попеременно контактирующие с подвижно установленным на трубе концом эластичной манжеты.

Номер патента: 904433

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Уланов, Шкатов, Шманенков

МПК: G01K 17/08, G01M 9/08

Метки: аппарата, летательного, модель, области, перехода, пограничного, слоя

Модель летательного аппарата для определения области перехода пограничного слоя, содержащая корпус и нанесенные на его поверхности слои термоиндикаторных покрытий, внешний слой которого имеет температуру перехода меньше смежного внутреннего слоя, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности определения границ переходной области пограничного слоя в ней, термоиндикаторные покрытия выполнены из пленок разного цвета, а между нижним термоиндикаторным слоем и корпусом модели размещен слой теплозащитного материала с низким коэффициентом теплопроводности.

Номер патента: 1391391

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов, Никифоров, Полунин

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, мостикового, перехода

Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце буферного диэлектрического слоя, определяющего размер зазора между электродами, нанесение второй пленки сверхпроводящего материала, формирование в ней второго сверхпроводящего электрода, удаление контактной маски, нанесение пленки материала перемычки и формирование перемычки между электродами в области...

Номер патента: 1570580

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, непосредственной, перехода, проводимостью

Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади перехода методами тонкопленочной литографии, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, нанесение аморфной полупроводниковой пленки осуществляют в режимах, обеспечивающих относительную атомную плотность материала пленки не менее 5%, а нанесение сверхпроводящей пленки...