Установка проекционной электронной литографии

щ 716018 Союз Советских Социалистических Республик.(22) Заявлвно 281277 (21) . 2567149/28-12 (51) М. Кл. с присоединением заявки Ио С 03 С 17/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(23) Приоритет -Опубликовано 15.02.80. Бюллетень МРДата опубликования описания 180280(54) УСТАНОВКА ПРОЕКЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИИзобретение относится к проекци Ьнной электрбнной литографии.Из основного авт. св, Р 543915 известна установка проекционной электронной литографии, содержащая ультрафиолетовый исто ник, электрод с фотокатодом, электрод с подложкой, систему электромагнитных катушек и высоковольтный источник питания, а также цифровой дозирующий интегратор электронного типа и датчики тока, причем последние соединены между собой параллельно, включены на вход цифрового дозирующего интегратора.и размещены в теле электрода с подложкой на пути потока электронов с фотокатода.На этой установке экспонируются фотошаблоны с размерами 62,5 х 62,5 мм и 70 х 70 мм, имеющими рабочее поле до 50 х 50 с минимальным размером рисунка 1 мкм.Однако, данная установка имеет следукаое недостатки: уход установ- ленного значения магнитного поля, вследствие изменения геометрических размеров электромагнитных катушек из-за их разогрева; изменение )магнитного поля в рабочем объеме,за счет влияния внешних магнитных.)полей; отсутствие объективного контроля величины магнитного поля в рабочей зоне в процессе экспонирования,Эти недостатки приводят к расфокусировке изображения на фотошаблонах и, как следствие, к низкомупроценту выхода годных фотошаблонов .Цель изобретения - повышениевыхода качес тв ен ной продукции з асчет улучшения фокусировки электронного изображения.Это достигается тем, что установка проекционной электронной литографии имеет. систему регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерногомагнитного резонанса.Резонансная частота поглощениядатчика соответствует измеряемомумагнитному полю. Изменение магнитного поля от его установленного значения приводит к изменению резонансной частоты. поглощения датчика. Система регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитного 30716018 25 Формула изобретения ЦНИИПИТираж 52 б Заказ 9524/4Подписноерезонанса, который размещен"в-"не- посредственной близости ат экспони: руемой пбдложки, поддерживает ток вэлектромагнитных катушках таким, что" разность между резонансной частотойпоглощения датчика и опорной частотой, соответствующей заданному маг" " нитному полю, минимальна,Таким образом, заданное магнитноеполе поддерживается с высокой точностью, обеспечивая фокусировкуэлектронного изображения на подложке,На чертеже схематически иэобра"жена установка проекционной элект"- ронной литографии,Установка имеет ультрафиолетовый источник 1, фотокатод 2, электрод 3, подложку 4, высоковольтныйисточник 5 напряжения электромагнитные катушки б, электрод 7, дат"чик тока 8, цифровой дозирующий интегратор 9, датчик 10 ядерного маг" ййтйсго резонанса и регулятор 11 па-раметров магнитного поляПод действием света ультрафиолетового источника 1 электроны эмитируют с поверхности фотакатода 2,закрепленного на электроде 3, ускоряются электрическим потенциалом,приложенным между фотокатодом 2 иподложкой 4 от высоковольтного источника 5, и фокусируются на подложкеоднородньм магнитным полем, созданным электромагнитными катушками б.В электроде 7, в котором расположенаподложка 4, размещены четыре датчикатока 8, соединенные между собой параллельно и включенные на вход цифрового дозирующего интегратора электронного типа 9. Датчик 10 ядерного магнитного резонайса, реагируя на изме.нение магнитного поля, с высокой точностью выдает сигнал на вход систе мы регулирования 11 параметров магнитного поля, Регулятор 11 управляеттоком электромагнитных катушек такимобразом, что поддерживается с высокой точйостью заданное значение маг О нитного поля.Использование системы регулирования парамбтРов магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерного магнитнбго резонанса позволяетподдерживать высокую стабильностьмагнитного поля в течение всего рабочего цикла экспонирования, исключает расфокусировку электронного изображения во время экспонирования, позволяет проводить контроль величины 2 О магнитного поля в любой точке рабочейзоны, Все это позволяет повыситьпроцент эыхода годных экспонированных фотошаблонов,Установка проекционной электронной литографии по авт, св, У 543915,ЗО о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, сцелью повышения выхода качественнойпродукции за счет улучшения фокусировки электронного иэображения, онаимеет систему регулирования параметров магнитного поля электромагнитных катушек с датчиком ядерногомагнитного резонанса,Филиал ППП Патент,г. Ужгород, ул. Проектная