Номер патента: 406551

Автор: Удк

ZIP архив

Текст

и стсФгяъй О ПИЗОБРЕТЕНИЯН АВУОРСКОМУ СВИДЕУЕЛВСУВУ Своз СоветскихСоциалистическихРеспублик авпси.гое от авт, свидетельства .Я л, В 01 с 9 г 0 Н.1971 (Лга 1669791/23-26)ием заявки хт. -аявлепо рисоедине Гостдярстаеииьи ка:.:.итет Сааетя 11 иииатроа СССР па дела г,зебРетеиий и втиРытий, В, Егоров М. И, Муратова и В. Л. Шаховаследовательский и проектный институт гялургии Е, А, Высоцкий 11 зобретенпе относится к химической технологии, в частности к способу кристаллизации растворов солей, и может найти широкое применение на калийных комбинатах, перерабатывающих калийные руды методом растворениякри;таллизации.звестеп способ кристаллизации соли путс и добавления в раствор поверхностно-актив ых геществ и Воздуха, Однако по указяннохсх сс, ос, нельзя полуит. однородный гс 1)упн- трясалли 1 гескиг продукт ввиду образования центров кристаллизации и проскока мелкихкристаллов.Пслшо изобретения является улучшение ка:с ства получаемых кристаллов. Зто достигает. ся тс.м, то воздух перед подачей в раствор на. грсвают до температуры, близкой к температу ре рястьоря в зоне крисяаллизацпи, я кристаллический осадок взмучивагот у донкой поверхности кристаллизатора.П р и м е р. Стеляпнуо емкость обьемом 1 .г заполняют горячим насыщенным раство. ром хлористого калия при температуре 90 С Б раствор добавляют несколько капель по герхнос".ч;о-активного вещества, папрплср аминов, и затравку 1 - 1,5 г мслких кристаллов хлс;ристого калия. Над поверхностью растьоря создают вягсуу.; 10 - 20.г,г рт. ст. из 1 ааспылителя, находящегося в колбе; через раствор продувают воздух, нагретый до температуры, близрсдмет изо тс; ил О олей из растворов актпвньх веществ з раствор, от.гггчсглучгпеиия качеств ух пере подачей ературы, близкой опе крпстяллизаок у дна кристялявитель Всесоюзныи научи кой к температуре раствора в зоне кристалли.зации. Кристаллы хлористого калия прилипают к пузырькам воздуха, которые поднимают их в зону роста кристаллов. На поверхности 5 раствора пузырьки воздуха разрушаются, иКРИСтЯЛЛЫ ОПУСгСагОтСЯ ВПИЗ, НО СтаЛКИвагОтСЯ с пузырьками воздуха и снова выносятся в зону роста. Процесс продолгсяется до тех пор, Нпс(;с ряЗМЕры КрПСтяЛЛОВ ИС уВСЛИПвягОТС О настолько, 1 то пузьср.гси Воздуха "се не гогУпх захватьгвать и выносить в зону роста, Дл предтврящения прсскока мелгсих кристаллов в зону выгрузки кристаллический осадок у донной поверхности колбы взмучивают путем пе ремешпвагпя его мешалкои. Получаемый круппокрпстяллпгесгспгс продукт характс руется с,днородностью размеров. Спосос кристаллизации св присутствии поверхностнон пропусканием воздуха чере 25 ютийся тем, что, с целью хполучаемых кристаллов, воз, в раствор нагревают до темп к температуре раствора в з цип, а кристаллический осад ЗО лпзатора взмхчивагот.

Смотреть

Заявка

1669791

М. УДК

МПК / Метки

МПК: B01D 9/00

Метки: кристаллизации

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-406551-sposob-kristallizacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ кристаллизации</a>

Похожие патенты