Патенты с меткой «граната»

Номер патента: 1347513

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...кислород, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увели чения выхода годных монокристалловдиаметром 105-110 мм с плотностьюдефектов кристаллической структуры7 см-, после изменения формы фронта кристаллизации скорость вытягиваЗ 0 ния уменьшают до получения заданногодиаметра монокристалла по закону-ЛЧ = мм/ч - 0,11 ммЬ мм,где Ь - текущее значение длины конуса, отсчитываемое от момента изменения формы фронта кристаллизации, мм,Скорость вытягивания изменяют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом Ь 40 мм, а скорость вытягивания 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла растят с постоянной скоростью вытягивания 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектон 0-7 см скорость...

Номер патента: 1354791

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...режимы позволяют увеличить процент выхода годных монокристаллов гадолинийгаллиевого граната с плотностью дефектов менее 7 смдо 45(см., таблицу, примеры 1-11),В том случае, когда скорость вра"щения при затравливании менее35 об/мин инверсный диаметр увеличивается, количество дефектов в области перехода формы фронта кристаллизации увеличивается, выход годныхкристаллов уменьшается (см. таблицупримеры 12-14, 27),При затравлении со скоростью,превышающей 45 об/мин, фронт кристаллизации на конусе изменяется отостровыпуклого к выпуклому. Такаяформа Фронта кристаллизации ухудшает качество кристалла и снижает выход годных (см. таблицу, примеры15, 16),Уменьшение скоростивытягиванияначальной части конуса менее 2 мм/чприводит к тому, что кристалл...

Номер патента: 1711795

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Лазишвили

МПК: A23N 7/08

Метки: граната, зерен, кожуры, отделения

...тем, что плоды перед дроблением замораживают до - а температуры (-10)-(-30)С,В результате замораживания кожура р гранатов становится хрупкой и легко раска- у лывается ударными элементами, а замороженные зерна без особых повреждений просеиваются через систему сит, благодаря чему удается получить максимальное коли- ф чество зерен граната. почти без примеси кожуры и ткани околоплодника.Гранаты обычно потребляются в свежем виде, и только ограниченное количество перерабатывается на соки, и т.д. Одним из главных факторов, ограничивающих его промышленную переработку, является спе1711795 Составитель А.ЕлисеевТехред М,Моргентал Корректор Э.Лончэкова Редактор Н,Швыдкая Заказ 480 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1319641

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...до 0,9 об.% в конце процесса.Затравку вращают со скоростью 25 об/мин. При касании затравкой рас 25 плава происходит затравливание, после чего начинают перемещение затравки вверх со скоростью 8 мм/ч. После выращивания конуса длиной 70 мм при достижении диаметра кристалла130 мм скорость вращения затравкиуменьшают до 1 1 об/мин, а скоростьперемещения до 4,0 мм/ч. Выращивание цилиндрической части кристаллаведется с постоянными скоростями 53,92 46,08 25,0 2 53,92 46,08 27,0 3 53,92 46,08 29,0 4 , 53,92 46,08 26,0 5 53,92 46,08 35,0 41 2вращения и перемещецця 1 об/мин и 4,0 мм/ч соответствеццо.Полученные моцокристаллы гадолиний-галлиевого граната имеют диаметр 130 мм, массу 13,5 кг, плотность дефектов 0 - 6 смДанные по примерам 2 - 12...

Номер патента: 1531363

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Дубовиков, Миронов, Попова

МПК: B28D 5/00

Метки: граната, монокристаллов, резки

...пластины образование дефектов связано с тем, что в центральной части слитков гадолиний-гвллиевого граната существует напряженная об 5 пасть, образующаяся при его получении из расплава и связанная с фундаментальными условиями роста, Для уменьшения влияния этих напряжений на образонанне дефектов при окончании процесса резки необходимо также уменыпать скорость вращения слитка. Влияние скорости. перемещения диска в этой области менее критично. В связи с этим резание областей слитка, составляющих 0-0, 11 Кр и 0,91-1,0 Ккр (отсчет ведется от поверхности слит- ка), проводят с постоянныки скоростями вращения кристалла 0,3 - 0,45 об/мин и 5-6 об/мин соответственно. Область кристалла в диапазоне 0,11-0,91 Кр является менее напряженной...

Номер патента: 1733448

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гафизов, Семочкина

МПК: C09B 61/00

Метки: граната, комплексной, корки, перегородок, переработки, плодов

...на сухую массу 2,5 общего азота 6,25, 2,6 минеральных веществ, но в основном клетчатку. Это возможно при указанном числе циклов экстрагирования на первом этапе обработки, числе циклов и продолжительности экс 20 57,6 фрастворимых в воде сухих веществ и 25 30 35 40 45 50 55 51015 трагирования на втором этапе обработки и введении третьего этапа обработки корки и перегородок,П р и м е р 1. Выработку танина, дубителя, пищевого красителя, пектина и смеси щелочнорастворимых полифенолов с азотистыми веществами осуществляют на участке линии переработки гранатов из восьми автоклавов вертикального типа, дополненном сушильной и дистилляционной установками,Для получения 2300 кг танина, 10 кг дубителя, 950 кг пищевого красителя, 80 кг пектина и 40 кг...

Номер патента: 412748

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Сочивко

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: граната, материал, основе, термостабильный, ферритовый

...с понидени ем температуры иэ-за приблидения к точкам компенсации.1(ель изобретения - сохранить намагниченность на уровне У-ГЙ резко снизить значение Ь Н, сместить точки компенсации в сторону низких температур и повысить термостабиль-; ность при низких температурах.Это достигается тем, что компонен ты шерритового материала берут в сле дуюцих соотношениях, мол.3: 5 О 412748 А 1 Н смешения точки торону низких температермостабильности при урах исходные компонено ующих соотношениях, мол. 4 1 251,25-6,25 58,75-3,75 го состава дает выиг льности Аплод в диг 5 . 100 д С до лю. 150- Н в том же диапазоП р и м е р. Синтез материала ведут по окнсной керамической технологии. В качестве исходных компонентов используют окислы т. Омарки "о",...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...

Номер патента: 683190

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зеленко, Коновалов

МПК: C01F 17/00

Метки: граната, соединений, структурой

...взаимодействия протекает по уравнениюЗУ(МОз)з+ 2 А 1(МОзз+-ф УЗА 12(АЮ 4)з+ 15 йайОз+ 6 СОгФУглекислые соединения щелочных металлов начинают интенсивно взаимодействовать с азотнокислыми солями РЗЭ алюминия и 45 алюминатом (галлатом) щелочного металла при температурах их разложения на исходные окислы (100-160 С), которые обладают в момент.образования повышенной химической активностью, При этом выделяется га эообраэный С 02, чтО способствует механическому перемешиванию твердофазных компонентов и увеличивает скорость процесса.Рентгенофазовым анализом подтверждено, что образование соединений гранатазавершается в расплаве нитрата натрия притемпературе 310 С, Таким образом, весьпроцесс образования соединения в предлагаемом способе протекает...

Номер патента: 1662315

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Большаков, Куратьев, Скворцов, Хромов, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, галлий-скандий-гадолиниевого, граната, кристалла, лазеров, твердотельных, элемент

...Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 1205 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 Ц 1 Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при разработке лазеров с повышенными энергетическими параметрами.Цель изобретения - повышение предельных энергетических параметров,П р и м е р. Активный элемент представляет собой цилиндр, изготовленный посредством оптико-механической обработкикристалла галлий-скандий-гадолиниевого 10граната (ГСГГ),. Диаметр активного элемента 3 мм, длина 50 мм, концоентрация ионов активаторайб 3,5 10 см з, концентрацзия ионовсенсибилизатора Сг 4 10 см . На полированные рабочие торцы элемента нанесены однослойные...

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 1595023

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Киселева, Крутова, Пензина, Письменный, Попов, Сандуленко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/28

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, монокристаллов, основе

Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 ...

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.