Патенты с меткой «доменах»

Номер патента: 911619

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ломов, Самров, Скобелин, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, поля, приборов, формирователь, цилиндрических

...канала продвижения (фиг. 3). Магнитное .поле управления Й в зависимости от формы токов 11 и 1 имеет определенный годограф 1 О (фиг. 2-4).Каждый элемент или узел прибора на ЦМД . и весь. прибор в целом характеризуется минимальным годографом 11 функционирования, определяемым как минимальное значение 6 при каждом угловом положении, необходимым для функционирования данного элемента, узла илиприбора (Фиг. 3). Формирователь работает следующим образомПротекающие в катушках 1 и 2 токи создают магнитные поля Ни Н , Так как катушки ортогональны, то и Й Й. Мгновенное значение Н = к 11. При определенной конструкции,к = к, 55 Предлагаемое устройство позволяет для приборов на ЦМД, в которых плоскость .рабочего кристалла находится под углом (90 с) по...

Номер патента: 920842

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Касаткин, Семенов

МПК: G11C 11/14, G11C 19/08

Метки: доменах, магнитных, плоских, регистров, сдвига, селекции, элемент

...1 О (см. фиг. 2) ряды аппликаций под соседними шинами сдвинуты относительно друг друга на часть аппликаций, создающей магнитное поле определенной величины. Элемент селекции работает следующиразом.3Магнитожесткая аппликация намагничена таким образом, что создает отрицательное магнитное поле в лежащих под ней областях низкокоэртицивных каналах, препятствующее прохождению домена через эту область. Величина магнитного поля (см. 5 фиг. 3) зависит от ширины полоски (чем уже аппликация, тем больше поле). Для продвижения домена необходимо подать внешнее магнитное поле Н Нр, где Нов поле продвижения ПМД. Наиболее экономным будет случай, когда поле в промежутке между соседними аппликациями под одной шиной селекции и перепады полей за счет...

Номер патента: 940237

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Вахмистров, Гугнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, микросборках, поля, создания, цилиндрических

...размещена одна из токонесущих обмоток, токо несущие обмотки, расположенные на выступах противолежащих 20внутренних граней сердечника, включены последовательно и согласно одна с другой, причем один из концов каждой токо- несущей обмотки пропущен через отверстие выступа смежной внутренней грани сердечника.940237 Составитель Ю. Розенталь Редактор С. Тараненко Техред А. Бойкас Кор ре кто р В. Си н инка я Заказ 4676/74 Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/6 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4На чертеже изооражена конструкция предложенного устройства.Устройство для создания магнитного поля управления в микросборках на ЦМД содержит...

Номер патента: 942145

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...Другой переклточатель ЦМД (для переключения в обратную сторону) образован за счет магнитных связей дополнительного канала продвижения ЦМД с каналом ввода информации, а также указанного расположения токопроводящей шины.Для последнего переключателя ЦМД также требуется одна полоска токопроводяшей шины.За счет выполнения канала ввода информации из (К )-образных ферроматнитных аппликаций удается уменьшить расстояния между регистрами хранения (т.е. период элементов продвижения в каналах ввода или вывода информации).В свою очередь это дает возможность или повысить плотность записи, или уменьшить плошадь кристалла, или увеличить степень резервирования регистров хранения и исправления ошибок, или скомпенсировать влияние промежутков между...

Номер патента: 951392

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гущин, Иванов, Лабутин, Покровский

МПК: G11C 11/00

Метки: доменах, информации, магнитных, носителя, цилиндрических

...между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезистивного материала на слойрезиста, слой второго магнитного материала и слой резистивного материалав области между смежными сквознымиканалами и последующее удаление резиста со всей поверхности слоя резистивного материалаНа чертеже изображены этапы изготовления носителя информации,Носитель информации содержит подложку 1 иэ немагнитного граната сэпитаксиальной феррит-гранатовой плен50кой 2, на поверхности которой расположен слой 3 диэлектрика, слой 1 ре"зистивного материала, слой резиста 5,слой 6 магнитного материала, слой 7проводящего материала, слой 8 магни 55тореэистивного материала, слой 9 защитного диэлектрика.Способ реализуется следующим образом. 2 4На подложку 1...

Номер патента: 951394

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/06

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...аппликациями регистров хранения информации и смещен"ная по отношению к их внешним сторо"нам на расстояние не более одного диаметра ЦМД,На чертеже представлен предлагаемый накопитель для запоминающего устройства на ЦМД, 15Накопитель содержит магнитоодноосную пленку 1, регистр вывода 2,регистры хранения. информации 3, С-образные поворотные Ферромагнитные аппликации 4, токовую шину управления 5 щдополнительную токовую шину управления 6.При передаче информации иэ регистров хранения в регистр вывода накопитель работает следующим образом. 25В момент времени, когда доменынаходятся в зонах основания С-образных поворотных ферромагнитных аппликаций 4, по дополнительной токовойшине управления 6, которая расположена под С-образными...

Номер патента: 960952

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Дьяков, Ломов, Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...регистр 2 хранения информации. Вывод информации, если она находится в регистрах 2 хранения информации, осуществляется либо в левый регистр 3 вывода, либо в правый - 3 . Для этого .слово сдвигают до позиций перед переключателями 7 (7) и соответствующим возбуждением шины 9 (9 ) слово переводится в регистр 13 (13 ) обмена, из которого соответствующим возбуждением шины 14 (14 ) - в дополнительные регистры 4 (4) хранения, сдвигается до положения перед переключателями 8 (8) и возбуждением шины 10 (10) переводится в регистр 3 (3) ввода- вывода. По регистру ввода - вывода информация (слово) последовательно сдвигается в датчик б (б) считывания ЦМД и в виде последовательных сигналов появляется на шинах 12 (12 ). Перемещение информации во всех...

Номер патента: 963093

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: двухвходовых, доменах, и-запрет, логических, магнитных, цилиндрических, элементов

...в результате действия дестабилизирующих факторов, приводящих как к увеличению диа 40метра взаимодействуюих ЦМД (например при снижении величины поля смещения), так и к его уменьшению (например, при увеличении величины полясмещения),45В первом случае возможны следующие отказы в работе логического элемента:1 а. Поступивший в логический эле"мент ЦМД самопроизвольно отклоняется 50в отводной канал движения,1, б, Из двух поступивших ЦМД пеРвый только отклоняется в отводной канал, второй же продолжает движениепо предпочтительному каналу. 55Во втором случае могут возникнутьследующие нарушения работы логического элемента: 42 а. Поступившие входные ЦМД непокидают соответствующих предпочтительных каналов движения.2 б. Из двух поступивших ЦМД...

Номер патента: 963095

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...для ЗУ на ЦМД содержит магнитоодноосную пленку,на которой расположены регистры 1 хранения информации, магнитосвязанные через обменные переключатели 2 с регистром 3 ввода-вывода информации, генератор 4 ЦМД, соединенный с началом регистра 3 ввода-вывода информации, конец которого соединен с детектором 5 ЦМД через элемент продвижения репликатора 6 ЦМД, и дополнительный регистр 7 ввода-вывода информации, начало которого соединено с началом регистра 3 ввода-вывода инФормации, а конец магнитосвязан с концом регистра 3 ввода-вывода через элемент связи репликатора 6 ЦМД. Накопитель работает следующим образом.,Запись информации в регистры хранения осуществляется от генератора 4 ЦМД через обменные переключатели 2. Информация, выведенная...

Номер патента: 964732

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Беккер, Михайлова, Петрушина

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, матриц, плоских

...силы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхност.ном слое подложки участков с пористойструктурой, 5На чертеже представлена последовательность изготовления запоминающихматриц на ПМД в соответствии с предложенным способом,Сущность предложенного способа 1 Озаключается в следующемНа поверхность подложки 1 из стекла, содержащего легкорастворимые компоненты, например натриевоборосиликатное (НБС), проводят фотолитографию 2, освобождая от фоторезистаучастки 3 поверхности подложки, гденеобходимо создать высокое значениеНс магнитной пленки. Эти участки подложки выщелачивают в кислотах, например в соляной, для получения пористыхучастков 4 подложки 1. Затем на поверхность подложки с периодическойструктурой пористых...

Номер патента: 997098

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Борисов, Брагин, Зайончковский, Козлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, устройств, цилиндрических

...ЦМД проводится имплантация ионов в 5 приповерхностный слой доменосодержащей пленки с последующим термическим отжигом при температуре, меньшей температуры эпитаксиального наращивания. Это приводит к существенному уменьшению ростовой анизотропии и тем самым Фактора качества в приповерхностном слое из-за установления статистического распределения редкоземельных ионов по додэкаэдрической подрешетке феррограната вслед ствие резкого увеличения скорости дифФузии, стимулированной большим числом вакансий, созданных в результате ионной имплантации. При этом ростовая анизотропия и фактор качест-о ва на остальной глубине эпитаксиальной пленки остаются практически неизменными, так как указанные параметры существенно снижаются только в случае...

Номер патента: 1084891

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Липанов, Мельников, Нифонтов, Рогов, Самров, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...кольцевой регистр сдвига кода маски и элемент К, .первыйвход которого подключен к выходуусилителя считывания и входу кольцевого регистра сдвига кода маски,выход кольцевого регистра сдвигакода маски соединен с вторым входомэлемента И, выход которого являетсявыходом накопителя,На чертеже представлена блок.в .схема накопителя для ЗУ на ЦМД.Накопитель содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположены .регистр 2 вывода,.регистры 3, 3 3 ,3, храненияинформации, некоторые из которыхявляются дефектными, и датчик 4 считывания цилиндрических магнитов доме.нов, усилитель 5 считывания, входкоторого соединен с выходом датчикасчитывания, а выход - с первымвходом элемента И б и входом коль -цевого регистра 7 сдвига кода...

Номер патента: 1092564

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Красноперов, Сосновский

МПК: G11C 7/06

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, считывания, усилитель, устройства, цилиндрических

...считывания,подключенного к детектору ЦМД ЗУ.Детектор ЦМД 1 состоит из активныхдетекторов 2 и 3 изменяющих своесопротивление в ответ на перемещениепод ними магнитных доменов, пассивныхдетекторов 4 и 5, включенных с активными детекторами по мостовой схеме,токозадающих резисторов 6 и 7, соединенных с источниками напряжения 8и 9 фильтрующими конденсаторами 10и 11,Усилитель счичыеания для ЗУ на ШЯсостоит из порогового элемента 12,вклзочающего транзистор 13, эмиттеркоторого соединен с шиной нулевого потенциала, база - с источником управляющего сигнала 14, а коллектор соединенс резистором 15, диодом 16 второйвьвод резистора 15 соединен с индуктивностью 17, второй вывод которой соединен с вторым выводом диода 16, источником напряжения 18 и...

Номер патента: 1101888

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Липанов, Ломов, Статейнов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменах, записи, информации, магнитных, накопителе, считывания, цилиндрических

...2 .Недостатком известного способа является то, что запись и считывание информации осуществляются только до нижней температуры -20 С путем изменения параметров импульсов в соответствии с изменениями температуры окружающей среды, при этом область устойчивой работы накопителя значительно сужена в диапазоне температур от -20 до 0 С из-за физических принципов построения доменного накопителя, что приводит к снижению надежности устройства, реализующего способ,Цель изобретения - повышение надежности записи и считывания информации в накопителе на ЦМД в диапазоне температур окружающей среды.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу записи и считывания информации в накопителе на ЦМД, основанному на воздействии на ЦМД вра 1...

Номер патента: 1119080

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Солощенко, Степанишин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, магнитного, магнитных, поля, устройства, формирования, цилиндрических

...ключа и блок управления ключами 2.Недостаток этого устройства - неудовлетворительная надежность.Цель изобретения - повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося 25 магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...

Номер патента: 1137536

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Гомзина, Зиборов

МПК: G11C 11/14

Метки: ввода, доменах, информации, канал, магнитных, накопителя, цилиндрических

...и снижение надежности прк увеличении плотности записи ккформацкигЦель изобретения - расширение об- З 5ласти устойчивой работы канада вводаинформации для накопителя на ЦИД.Поставленная цель достигаетсятем, что в канаде ввода информацииддя накопителя нв Ц 3 Щ, содержащем ф 1магнктоодноосную пленку, на которойрасположены ферромагнитные элементыпереключения и элементы связи в форме асимметричных шевронов, элементыпереключения выполнены С-образной фор 45мы и расположены последовательно, акаждый элемент связи расположен между смежными элементами переключения,причем вершина его магнитосвязака с.одним концом одного элемента переключения, а конец соответствующей.перемьяки элемента связи магнитосвязан с другим концом смежного...

Номер патента: 1150661

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Липанов, Нифонтов, Розенталь, Статейнов, Чабуркина

МПК: G11C 19/08

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...подключен к входу первого дешифратора, выход которого подключен к управляющим входам блока формирователей сигналов считывания, второй выход аналого-цифрового преобразователя подключен к входу второго дешифратора, выход которого подключен к управляющим входам блока формирователей сигналов смещения, третий выход аналого-цифрового преобразователя подключен к счетчику, четвертый выход - к управляющему входу источника постоянного тока, выход которого подключен к катушкам индуктивности, выход блока формирователей сигналов смещения подключен к управляющему входу усилителя считывания,выход счетчика подключен к второму входу элемента И.На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства; на фиг. 2- семейство характеристик для различных...

Номер патента: 1185395

Опубликовано: 15.10.1985

Автор: Топорков

МПК: G11C 11/14

Метки: адресации, доменах, магнитных, памяти, цилиндрических

...34устройства на выходе элемента И 24возникает сигнал логической "1" итриггер 59 (Фиг. 4) по входу 51разрешения счета переводится в состояние "1", на выходе 52 блокировкисчета - уровень "0" и синхроимпульсы С 1 не проходят на счетный входсчетчика 58 (фиг. 3).Поскольку сигнал логической "1"на единичном выходе триггера 59 воз 40никает после окончания действия сиг.нала переноса на выходе 49 счетчика 20 (триггер 59 - двухступенчатый),то счет начинается не с 342-го синхроимпульса С 1 на входе 31, ас 343-го. Поэтому модуль пересчета 11равен не 171, а 170, т.е. 1 ц ==М +М +1=513. При появлении сигнала2переноса на выходе 50 триггер 59по К-входу устанавливается в "0",на выходе 52 - уровень "1" (сигналблокировки счета снимается и по следующему...

Номер патента: 1188787

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Липанов, Нифонтов, Рогов, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...устройства. Запоминающее устройство на ЦМД содержит накопитель информации 1, в которомрасположены регистры 2 - 2 хранения информации, магнитосвязанные с датчиком 3считывания, формирователь 4 тока управления, выход которого соединен с катушками 5индуктивности, блок 6 формирования маскирующих сигналов, подключенный к выходунакопителя 1, элемент И-НЕ 7 и элемент И 8,выходы которых подключены к входу младшего разряда счетчика 9, выход старшегоразряда которого соединен с входом регистра 10, выходы которого соединены с соответствующими входами дешифратора 11,выход которого соединен с входом формирователя 4 тока управления.Предложенное устройство работает следующим образом,30 Служебная информация, содержимое которой представлено в таблице,...

Номер патента: 1211805

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Волков, Гревцов, Костин, Лебедев, Малахов, Розенталь, Сперанский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопителей, цилиндрических

...другие входы которого и второй вход элемента 88 И подсоединены к шинам 13-17 и 12 соответственно и являются остальными входами блока 11 выделения управляющих импульсов; из установочного триггера 90, первый вход которого подключен к выходу элемента 89 И, второй вход соединен с первым входом элемента 88 И, выход элемента 89 И является выходом блока 11 выделения управляющих импульсов; из блока 91 сравнения кодов, входы первой группы которого подключены к соответствующим выходам счетчика 86, входы второй группы - к соответствующим выходам счетчика 87, а выход блока 91 сравнения кодов соединен с первым входом элемента 89 И, второй вход элемента 89 И соединен с выходом установочного триггера 90.В качестве триггеров 20-50 задержки...

Номер патента: 1226529

Опубликовано: 23.04.1986

Автор: Чудодеев

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/06 ...

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, считывания, усилитель, устройства, цилиндрических

...И 12 и на вход устройства, При наличии на входе управления усилителя разрешающего потенциала сигнал с выхода элемента И 12 поступает на счетный вход счетчика 10. Счетчик переходит в первое состояние и на выходе ЦАП 3 появляется напряжение, соответствующее весу младшего значащего разряда ЦАП.Если амплитуда помехи превьшает выходное напряжение ЦАП 3 (пороговое напряжение), то следующий импульс "Строб" переводит счетчик 10 во второе состояние и пороговое напряжение увеличивается. Указанный цикл повторяется до тех пор, пока пороговое напряжение не превысит амплитуду сигнала помехи и дифференциальный каскад 2 не перестанет срабатывать. На выходе счетчика 10 формируется код, соответствующий значению амплитуды помехи. Этот код поступает...

Номер патента: 1243035

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дударенко, Савицкий, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, доменосодержащего, запоминающем, кристалла, магнитных, модуле, установки, цилиндрических

...кристаллодержателя 3 золотой и алюминиевой микропроволокой 5, а установку 30 экрана на кристаллодержатель 2 осу.ществляют путем гальванического сое.динения ленты 4 с другой стороной кристаллодержателя 2 7 фиг. 4). Для осуществления гальванического соединения ленты 4 с поверхностями кристаллодержателя 2 на них вжиганием наносят предварительный слой серебра 6. Вместо серебра можно использовать и другие припои, имеющие хорошее сцепление с керамикой и лентой 4из проводящего материала,Формула изобретения Способ установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в отверстии кристаллодержателя и установке экрана,на кристаллодержатель, о т л...

Номер патента: 1249586

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Заблоцкий, Мельничук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, магнитного, магнитных, поля, смещения, устройстве, формирования, цилиндрических

...магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных...

Номер патента: 1261011

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Андреев, Ляшенко, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, информации, источник, магнитного, магнитных, накопителя, поля, цилиндрических

...Рамка 3, несущая все катушкиопускается в коробку 5, в которой по углам уста новлены стойки 6 с резиновыми амортизаторами 7. Расстояние между обмотками 1 и 2 и крышкой 8 с рабочим столиком 9 фиксируется выступами на крышке 8, которыми рамка 3 прижимается к резиновым амортизаторам 7. В патрубок 10 заливается охлаждающая жидкость. Патрубок 11 являет. ся сливным. Для исключения искажения поля и потерь на вихревые токи элементы конструкции выполнены из изоляционного материала.Устройство работает следующим образом.Токи, обеспечивающие вращающееся ма;- нитное поле, подают в обмотки 1 и 2 элементы 4. Обмотка 1 создает з рабочей плоскости магнитное поле, горизонтальная составляющая которого плавно спадает ио краям, а вертикальная составляющая...

Номер патента: 1265855

Опубликовано: 23.10.1986

Автор: Топорков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитных, памяти, цилиндрических

...или отсутствия маркера достаточно считать одну из и страниц с последовательными логическими адресами (например, на фиг.2 страницу с адресом 855.: бА = 3; поскольку в ней не содержит-ся маркера, то его не будет и в страмницах с адресами А = 4 и А = 5).Если остаток в считываемой страницене равен (и), то следующей считываемой страницей будет страница с физическим адресом на (7 +1) большим,гчем физический адрес считанной страницы (на фиг.2 - страница с логичес ким адресом 7). Если же остаток всчитанной странице равен (и), тоследующей считываемой страницей будет страница с физическим адресом набольшим, чем физический адрес счи танной страницы (на фиг.2 - послесчитывания страницы с логическИм адресом 11 необходимой перейти к считыванию...

Номер патента: 1273999

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Захарян, Красовский, Кузнецов, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...микропрограммы считывается из накопителя 7 и поступает через блок 8 считывания информации в блок 2 обнаружения и коррекции ошибок, затем по внутренней шине 4 вывода данных через буферный регистр 21 в микропроцессор 17 и далее через регистр 20 чтения на системную шину.В случае обнаружения ашибок.в инйормационнам блоке на соответствую., щем выходе блока 2 обнаружения и коррекции ошибок появляется Флаг КО или НКО.Через элемент ИЛИ 9 эти сигналы передаются на вход счетчика Оошибок и увеличивают на единицу егосодержимое. Кроме того, флаги КОи НКО поступают на соответствующиеинформационные входы блока 11 памятии записываются по текущему адресу, 5хранимому в регистре 22 текущего адреса.После чтения информационного блока из накопителя 7...

Номер патента: 1287230

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...4) вверх, попадают в участок 8 и далее в расширитель 31 и регистрируются датчиками 32 и 33, Еслив каких-либо регистрах 4 аннигилируют ЦМД, то в ближайших к ним позици 1ях 10 взаимодействия не происходит, 2 От. е, соответствующие этим разрядамЦМД проходят позиции 10 по участку 9канала 7 и попадают в элементы ограждения накопителя,Для проверки ложного зарождения 25ЦМД в регистрах 4 включают источникуправления продвижением ЦМЦ, а узел14 не включают. Если регистры 4 содержат дефекты, которые являются источником зарождения ложных ЦМД, то в ЗОрежиме считывания ложные ЦМД переключаются и каналы 5 выталкивают ЦМДучастка 9 из позиций 1 О разветвленияв участок 8 канала 7, Копии ложныхЦМД продвигаются по каналам 21, 8 ирегистрируются датчиками 32,...

Номер патента: 1288755

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Курочкин, Нецветов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...путем подачи в проводники 2и 2" двухфазных раэнополярных импульсов тока (фиг. 2) продвигаютсявдоль канала 2 ввода-вывода, занимаяпоследовательно позиции А, Б, В, Г,А Узел 4 генерации ЦМД осуществляет их зарождение через один пространственный период.Когда ряд ЩЩ 20 в канале 2 ввода-вывода расположится каждый напротив своего регистра 3 хранения информации в позициях Г канала 2 вводавывода, осуществляется обмен ЦМД 20и 21 между каналом ввода-вывода ирегистрами хранения. Во время операции обмена ЦМД импульсы тока вканал ввода-вывода не подаются, аподается ток противоположной полярности в проводники 3 -3 (фиг. 3),При этом ЦМД 20, находившийся в канале 2 ввода-вывода, выталкивается1 Илевым краем проводника 3 (на притягивающий полюс в позицию...

Номер патента: 1304077

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Аванян, Бальян, Ермакова, Маркаров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, матричного, накопитель, устройства, цилиндрических

...опорного нап ряжения на электрические выходы 13 датчиков 7 выбранного столбца (при выборке5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 55 элемента накопителя 112,а - второй столбец)производится последовательное считываниетребуемого информационного блока из выбранного элемента накопителя (например 112 2)Таким образом, считывание производитсятолько из элемента накопителя, находящегося на пересечении выбранной строки ивыбранного столбца. Во всех полувыбранных элементах накопителя выбранной строкина датчики 7 не подается опорное напряжение. Прохождение ЦМД под ними не приводит к появлению считываемого сигнала.Во всех полувыбранных элементах накопителя выбранного столбца информация в регистрах 4 ввода-вывода отсутствует, а следовательно, не поступает на...