Способ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоцналнстнчесннкРеспублик(5 )М. Кл. 6 11 С 11/00 Геаударстаанныб камнтет СССР до делам нзобретеннй н открытий(5 ч) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении носителей информации на цилиндрических магнитныхдоменах.Известен способ изготовления носителей информации с. использованием"взрывной" фотолитографии, при кото"ром в слое Фоторезиста Формируют требуемую топологию схемы, после чегопроизводят металлизацию и удалениеслоя фоторезиста с нанесенным на негометаллом 11,Недостатком известного способаявляется сложность изготовления носителя.Наиболее близким по техницескойсущности к предлагаемому изобретениюявляется способ, согласно которому наповерхность эпитаксиальной Феррит" 20гранатовой пленки наносят диэлектрик,магниторезистивный слой, слой резис"та или электронорезиста, формируютв слое резиста негативный рисунок элементов схемы, кроме датчика, осаждают трехслойную пленку - снацала половинунеобходимой толщины магнитного слоя, затем слой проводящего материала, далее вторую половину магнитного слоя с превышением толщины навеличину, равную толщине магниторезистивного датчика, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста методом "взрыва", Формируют в оставшемся слое резиста позитивный рисунокмагниторезистивного датчика и ионнымтравлением бормируют магниторезистивный датчик 121. Недостатком известного способа является низкая надежность изготовления носителя из"за необходимости формировать на различных этапах изготовления в одном и том же 6 лое резиста как негативное, так и позитивное изображение рисунка схемы.Цель изобретения - повышение наде ности изготовления носителя информа ции на цилиндрических магнитных доменах.Поставленная цель достигается тем,что в способе изготовления носителяинформации на цилиндрических магнитных доменах, основанном на нанесениина пластину с доменосодержащим слоемслоя диэлектрика, нанесении слоя резис, тивного мате риала, нанесении лпоя реэиста, формировании в слое резиста сквоэ 1 Вных каналов трапецеидального поперечного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя магнитного материала, слоя проводящего мате"риала, второго слоя магнитного мате:,риала с последующим их удалением с пбверхности резиста и удалении части резиста в области между смежными сквозными каналами, нанесение слоя резистивного материала осуществляют непо" 20средственно .на слой диэлектрика, ананесение резиста осуществляют наслой реэистивного материала, последовательное нанесение первого слоямагнитного материала, слоя проводя" 25щего материала и второго слоя магнитного материала осуществляют на слойреэиста и слой резистивного материа"ла в сквозных каналах резиста, последующее их удаление. с поверхности ре- ЗОэиста осуществляют приклеиваниемэластичного листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнит"ного слоя от поверхности резиста,.га после удаления части резиста в области между смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезистивного материала на слойрезиста, слой второго магнитного материала и слой резистивного материалав области между смежными сквознымиканалами и последующее удаление резиста со всей поверхности слоя резистивного материалаНа чертеже изображены этапы изготовления носителя информации,Носитель информации содержит подложку 1 иэ немагнитного граната сэпитаксиальной феррит-гранатовой плен50кой 2, на поверхности которой расположен слой 3 диэлектрика, слой 1 ре"зистивного материала, слой резиста 5,слой 6 магнитного материала, слой 7проводящего материала, слой 8 магни 55тореэистивного материала, слой 9 защитного диэлектрика.Способ реализуется следующим образом. 2 4На подложку 1 с эпитаксиальной пленкой 2 наносят слой 3 двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм, слой 1 толщиной 5"8 мкм, слой резиста или электронорезиста и формируют в нем негативное изображение схемы, кроме датчика, наносят половину требуемой толщины пермаллоя 200"300 нм и слой золота или меди толщиной 100-200 нм, вторую половину требуемой толщины пер" маллоя 200-300 нм, удаляют трехслойную пленку с поверхности резиста механическим путем, например, используя кистевую мойку или наносят толстый слой лака толщиной 20 мкм, после затвердевания пленку лака механически отслаивают, формируют в оставшемся резисте негативное иэображение магнито. резистивного датчика, наносят слой магниторезистивного датчика толщиной 30-70 нм, удаляют магниторезистивный, слой с поверхности реэиста механичес- ким путем и удаляют резист в ацетоне или плазме кислорода в зависимости от типа резиста, наносят защитный слой 50 толщиной 1 мкм и произ" водят вскрытие контактных площадокПредлагаемое изобретение позволяет изготовить МИС с толстопленочным дат" чиком, и существенно повысить надежность изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах,Формула изобретенияСпособ изготовления носителя информации на цилиндрических магнитных доменах, основанный на нанесении на пластину с доменосодержащим слоем слоя диэлектрика, нанесении слоя реэистивного материала, нанесении слоя резиста, формировании в слое резиста сквозных каналов трапецеидального поперечного сечения, последующем последовательном нанесении первого слоя маг нитного материала, слоя проводящего материала, второго слоя магнитного материала с последующим их удалением с поверхности реэиста и удалении части реЗиста в области между смежными сквозными каналами, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности изготовления носителя, нанесение слоя резистивного материала.осуществляют непосредственно на слой диэлектрика, а нанесение резиста г существляют на слой реэистионогоматериала, последовательное нанесениепервого слоя магнитного материала,слоя проводящего материала и второгослоя магнитного материала осуществляют на слой резиста и слой резистивногоматериала в сквозных каналах резистапоследующее их удаление:с поверхностирезиста осуществляют приклеиваниемэластичного. листового материала к поверхности второго слоя магнитного материала и отрыванием первого магнитного слоя от поверхности резиста, а после удаления части резиста в областимежду смежными сквозными каналами осуществляют напыление слоя магниторезис 1392тивного материала на слой резистаслой второго магнитного материала ислой резистивного материала в областимежду смежными сквозными каналами и.5 последующее удаление резиста со всейповерхности слоя резистивного материала. Источники информациипринятые во внимание при экспертизе.дрр 1. РЬУз. кеес, 31, И 5, р. 337"339, 1977.2. ВМ Тесппса 1 0 зс 1 озе Вв 1 ейС 1 п Й 20, И 1, 1 ипе 1977 (прототйп).Составитель В, КостинТехое 8 М, Тепер Корр Ре 8 акто Заказ 5 ор С. Ше 9 Тираж о 22 П ВНИИПИ Государственного комитета СС по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Х(-35, Рауаская нзб