Способ металлизации диэлектриков
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 463749
Авторы: Миловидова, Муравьева, Старостин
Текст
Сова Соеетских Социалистических респуочик(23) Приоритет аоста Мииистроа ССдо делам иаобретеии Опубликовано 15,03.75. Дата опубликования оп 3) УДК 666.3.056.(71) Заявитель 4) СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИК 5 -5 - 1,5 Изобретение относится к процессам нанесения металлических покрытий, широко применяемых во многих отраслях промышленности, в том числе и в радиотехнической.Известен способ металлизации диэлектриков методом вжигания в инертных средах, по которому,на диэлектрик наносят молибденомарганцевую пасту, нагревают его до 1350 С в среде водорода и наносят электрическое покрытие, предварительно обработав покрываемый диэлектрик в смеси кислот серной и азотной с добавлением хлористого натрия.С целью упрощения технологического процесса металлизации диэлектриков, повышения надежности металлизированного слоя и получения покрытия толщиной 200 - 250 мкм в качестве адгезионного слоя на диэлектрик наносят галлиевый припой, активизацию ведут последовательно 3 - 5 сек в растворе соляной кислоты и 3 - 5 сек в растворе азотнокислой ртути с концентрацией 10 - 12 г/л, а перед нанесением слоя меди на поверхность галлиевого припоя наносят слой серебра.П р и м е р, На керамическую подложку из окиси бериллия или 22 ХС наносят пасту, состоящую (вес. ч.):Галлий 62Олово 12 - 13Индий 25 Серебро 3,иловидова и Е. М. Муравьева Состав втирают в керамику механическиинструментом из нержавеющей стали, затем с помощью ультразвука, Для затвердения нанесенного слоя проводят термообработку при 5 100 С в течение 24 час (в зависимости от назначения пасты).Перед нанесением электролитического ,покрытия диэлектрик обрабатывают в растворе соляной кислоты, разбавленной в отношении 10 1: 1, в течение 3 - 5 сек при 18 - 25 С, затемв растворе азотнокислой ртути из расчета 10 - 12 г/л в течение 3 - 5 сек при 18 - 25 С.Для прочного сцепления основного слоя меди толщиной 200 - 250 мкм на активирован ную поверхность галлиевого сплава наносятсначала слой серебра толщиной до 1 мкм, затем слой меди толщиной 5 - 10 мкм из известных цианистых электролитов. Основной слой меди (200 - 250 мкм) наносят электролитичес ки в электролите следующего состава, г/л:Медь борфтористоводородная 230 в 2Кислота борфтористоводородная25 (свободная) 15Кислота борная463749 Соотношение площадейанода и катодаСкорость осаждения меди,мкм/3,5 мин 2:1 Предмет изобретения Составитель Л. Булгаков Редактор Э, Шибаева Техред О. Гуменюк Корректоры: Е, Мохова и 3, ТарасоваЗаказ 1037/15 Изд.1192 Тираж 966 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Способ металлизации диэлектриков путем нанесения на его поверхность адгезионного слоя, обезжиривания, активации с последующим нанесением подслоя меди и гальваническим наращиванием его, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения прочности сцепления адгезионного слоя с диэлектриком, получения покрытий толщиной до 250 мкм, в 5 качестве адгезионного слоя на диэлектрик наносят галлиевый припой, активацию ведут последовательно 3 - 5 сек в растворе соляной кислоты и 3 - 5 сек в растворе азотнокислой ртути с концентрацией 10 вг/л, а перед 10 нанесением слоя меди на поверхность галлиевого припоя наносят слой серебра.
СмотретьЗаявка
1932777, 24.05.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6510
СТАРОСТИН ГЕНАДИЙ ПЕТРОВИЧ, МИЛОВИДОВА ЕЛЕНА ИЛЬИНИЧНА, МУРАВЬЕВА ЕВГЕНИЯ МИХАЙЛОВНА
МПК / Метки
МПК: C23B 5/64
Метки: диэлектриков, металлизации
Опубликовано: 15.03.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-463749-sposob-metallizacii-diehlektrikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ металлизации диэлектриков</a>
Способ термообработки растворов в кипящем слое
Номер патента: 870861
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Богданов, Лоскутов, Михайлов, Нечепурной, Носенко, Петров, Рябчук, Тябин
МПК: F23G 7/04
Метки: кипящем, растворов, слое, термообработки
...эоны не поступают, что дает возможность поддерживать там температуру, обеспечивающую полное обезвреживание органических примесей. Эта температу-,. ра находится в пределах 900-1100 С и ее можно поддерживать следующими способами: эа счет тепла сгорания органических примесей; эа счет ввода в верхнюю часть высокотемпературной зоны теплоносителя с необходимой температурой; за счет помещения в верхнюю часть высокотемпературной зоны теплообменника, через который пропускают теплоноситель с необходимой температурой; за счет электрообогрева, предварительного нагрева очищенных инертных гранул, поступающих из ниэкотемпературной зоны.Продукты термообработки органических примесей, теплоноситель и пары воды выносятся иэ...
Способ регенерации травильного для меди раствора на основе хлорного железа
Номер патента: 949019
Опубликовано: 07.08.1982
Автор: Сельский
МПК: C23G 1/36
Метки: железа, меди, основе, раствора, регенерации, травильного, хлорного
...способа,Производят регенерацию травильногораствора хлорного железа по следующейсхеме: из емкости 1 машины травленияпечатных плат раствор хлорного железанасосом 2 подаюг на вход батареи микроциклонов 3 и диаметром микроциклонов 20 мм, осветленную частьтравильного раствора с первого выходамикроциклона направлякг на форсунку взону травления 4 машины травления,а шламовую часть травильного растворасо второго выхода микроциклона возвращают опять в заборную емкость 1 машины травления,(см. чертеж).Для регенерации травильного растворахлорного железа изготовляется опытнаябатарея микроциклонов (Э 008.00) . Количество задействованных микроциклоновв ней изменяется от 1 до 24 шт. Выходнасоса машины травления подключшогрезиновым шлангом к выходу...
Термопластический носитель
Номер патента: 346742
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Изобрете
МПК: G11B 11/03
Метки: носитель, термопластический
...эластцч- ополимефирами, такрилаихилме Предмет изобретения Изобретеццс относится к области радиотехники, а именно к устройствам долговременной памяти.Известны термопластические носители информации, у которых запись может быть стерта только при достаточно низких температурах (60 - 80 С) . При повышении температуры стирания возникает коробление основы, выполненной из полиэтилентерефталата,Для повышения достоверности считываемой информации, а также уменьшения хладотекучести при повышенных температурах на верхний слой предлагаемого носителя с записью наносят слой полимерного материала, например сополимера бутилметакрилата с акриловой кислотой, толщиной от 1 до 10 лггльЭтот слой наносится при поливе раствора на термопластический слой с...
Способ контроля толщины плоских диэлектриков
Номер патента: 1095030
Опубликовано: 30.05.1984
Авторы: Вайнблат, Ершов, Калиберов
МПК: G01B 7/06
Метки: диэлектриков, плоских, толщины
...между контролируемым диэлектриком и электродами конденсатора инестабильностью его свойств вследствие изменений условий внешнейсреды, загрязнений и т,п,Цель изобретения - повышение точности контроля путем исключения влияния воздушных зазоров между диэлектриком и электродами конденсатора.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу контролятолщины плоских диэлектриков, заключающемуся в том, что помещаютконтролируемый диэлектрик междуэлектродами конденсатора, прикладывают к ним напряжение переменноготока и измеряют ток, протекающий че"рез конденсатор, по величине которого определяют толщину диэлектрика,повышают амплитуду приложенного напряжения до уровня, соответствующего ионизации воздушных зазоров, истабилизируют его на этом...
Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя
Номер патента: 141907
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Каштанов, Крыжановский, Кузнецов
МПК: H01B 5/12
Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего
...этих слоев находится в пределах 10 - 7070, Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70 - 90 в закрытом сосуде в течение 0,5 - 5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди, В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10 - 10 ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30 - 90/О, С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает,Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном...
Предыдущий патент: Способ электрохимического осаждения сплавов на основе меди и серебра
Следующий патент: Устройство для перемещения раствора
Случайный патент: Башенное сооружение