Устройство для измерения параметров листовых диэлектриков

Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИяК АВТОРСКОМУ СВИДВИЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических оееслублик19/26(22) Заявлено 15,01 73 (21) 18 рисоедииен заявкиосударствеииыи комитетСовета Миииотрав СССРпо дедам изобретенийи открытий З) Пр ет 53) УДК 621. 317.335.3(72) Автор изобретения Б. Ф. А ли 71) аяви РОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛИСТОВЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ 5 з н т нда, рно пропо ред р арал 7. На1 О мый обэлектр р д шу УПластины устанавливают но металличе -ский лист 9: Часть падающей на нпхэнергии отражается в приемо - передающую и систему, в результате чего в месте росиоложения зонда изменяется напряженноггьэлектрического поля и, следовательно, в- личина извлекаемой мощности. 1 ри изл 1 енении положения отражающей поверхности 20 относительно прпемо-передающей системизменяется фаза отраженного сигнала вместе расположения зонда, что приводитк появлению максимального ( О ) имоксм 1 нгимального ( Ц ) показаний индимин25 .каторнот о устройство 3. стину окочастотный с, распространяя элел 1 енты и коак ь через развязывасиальный кабель, поволноводный переход шие тупоет в кооксиялы звестно устройство для измерения параметров листовых диэлектриков, состоящее из генератора СВЧ антенны и неотражоющей стенки, в котором между облучаюшей антенной и испытуемым диэлектрикомвведен импедансный трансформатор в видеплоскопараллельных пластин из диэлектрика с известной проницаемостью.Импедансный трансформатор устройстваочень чувствителен к плоскопараллельности диэлектрических пластин, что сказывается на точности определения диэлектрической проницаемости измеряемого листадиэлектрика,Цель изобретения - повышение точностиизмерений - достигается тем, что в предлагаемом устройстве на измеряемый образец и на каждую диэлектрическую планаложена электропроводящая пленка.На чертеже показана блок-.схема устройство,Выс игнал от генератораСВЧ 1 с чается рупорной антенной 2 в просто. При этом из проходящей волны мощности отбирается с помощью детектируется и поступает в индикоустройство 3, показания которого циональны отбираемой мощности. Пескрывом антенны установлены плоскоельные диэлектрические пластины 4- верхнюю пл:1 стину клоду 1 измеряеразец 8, а на каждую пластину оп ово я ю пленк 4-8, Модуль коэффициента отражения от системы диэлектрических пластин в процентах определяется по формуле"кй1+ "нинИЙХСДля устранения отражения и согласования измерительного устройства служит поглошающая стенка 10,Для системы плоскопараллельных диэлектрических пластин, на каждую из которых наложена электропроводящая пленка с определенным номиналом поверхностного сопротивления, зависимости коэффициента отражения от длины волны теоретически рассчитывают на круговой диаграмме проводимостей или с помощью электронно-вычеспителЬной машины с заданной, точностью и представляют в виде графиков.Измерив коэффициент отражения в сврбодном пространстве, сравнивают его с - ,расчетным значением и определяют диэлектрическую проницаемость измеряемого листа диэлектрика.Относительная погрешность диэлектрической проницаемости, измеренной с помощью предложенного устройства, в котором на измеряемый диэлектрик накладывают электропроводяшую пленку, поверхностное сопротивление которой отличается ог номинала на + 1%, менее 0,5%, так 1 О как с помощью электронно-вычислительноймашины изменение диэлектрической проницаемости измеряемого образца можно вычислить с любой наперед заданной точностью.б Предмет изобретенияУстройство для измерения параметровлистовых диэлектриков, содержащее генератор СВЧ, антенну, плоскопараллельные ; 3) диэлектрические пластины, отражатель ипоглошающую стенкуо т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения точности измерений, на измеряемый образец и на каждую диэлектрическую пластину наложена электропроводящая пленка..дрнятне Патент, Москва, Г 59, Бережковская наб.,Заказ ф Иад, М Я 1 ИИП 11 осударстненного комнтено дедам изобретенийМосква, 113035, Рауш а Совета Министрон открытийская наб., 4 ПодписноеСССР