Мультивибратор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическихРеспублик щ 1003306(11 М, Кп,с присоединением заявки МН 03 К 3/281 Государственный комитет ССС Р по аелам изобретений и открытийА.И. Кривоносов, В,П. Будянов, С.В. Алфсахййи Ю. Е. РоговскойЕВсесоюзный заочный институт пищевой промышленности(54) ИУЛЬГИВИБРАТОР Изобретение предназначено дляиспользования в контрольно-измерительной технике.Известны фотодатчики мультивибраторы с коллекторно-базовыми обратными связями (1.Недостатком устройств подобноготипа является ограниченный диапазонперекрытия по частоте в частоту илискважность генерируемых импульсов,невысокая термостабильность схемы.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому являетсямультивибратор с межэмиттерным конденсатором коллекторным и двумяэмиттерными резисторами, эмиттерными основным источниками питания (2.Недостатком известного. устройстваявляется также ограниченный диапазон перекрытия по частоте или скважность генерируемых импульсов, невысокая термостабильность схемы привключении в цепь эмиттерного источника питаний регулируемого резистора,Цель изобретения - расширениечастотного диапазона перекрытия почастоте и повышение термостабильности. Поставленная цель достигаетсятем, что в мультивибратор, содержащий общую шину, первую и вторую шины питания, первый и второй транзисторы, коллекторный резистор, первый и второй эмиттерные резисторы,первый конденсатор, в котором эмиттер первого транзистора через первый эмиттерный резистор подключен кпервой шине питания и через первыйконденсатор к эмиттеру второготранзистора, база, подключена к общей шине, эмиттер второго транзистора через второй эмиттерный резистор 15 .подключен к общей шине, коллекторнепосредственно, а база через коллекторный резистор соединена с второй шиной питания, дополнительновведены третий транзистор, второйконденсатор и стабилитрон, причемкатод стабилитрона подключен к коллектору первого транзистора, а анод -к базе второго транзистора, базатретьего транзистора подключена к 25 эмиттеру первого транзистора, коллектор - к второй шине питания, аэмиттер через второй конденсатор соединен с эмиттером второго транзистора.В качестве первого эмиттерногорезистора использован фоторезистор.10 На чертеже представлена схемамультивибратора.Мультивибратор содержит общуюшину 1, первую и вторую шины 2 и 3питания, первый и второй транзисторы 4 и 5, коллекторный резистор 6,первый и второй эмиттерные резисторы7 и 8, первый конденсатор 9, второйконденсатор 10, третий транзистор11, стабилитрон 12.Устройство работает следующимобразом.При зарядке конденсатора 9 транзисторы 4 и 11 закрыты, а транзистор 5 открыт, Конденсатор 9 заряжается через первый эмиттерный резистор 7. Транзистор 4 заперт призаряде конденсатора 9 в силу того,что его эмиттер имеет большой отрицательный потенциал, который постепенно снижается по мере заряда 20конденсатора 9. Транзистор 11 запертпо той причине,что его база имеетположительный потенциал. Транзистор4 открывается в момент, когда потенциал его эмиттера достигает нуля. 25Конденсатор 9 начнет разряжатьсячерез открывшийся эмиттерный переход транзистора 4, что приводит кего насыщению и к запиранию транзистора 5. При отпирании транзистора4 открывается и транзистор 11, обеспечивая разряд конденсатора 10,Разрядконденсаторов 9 и 10 осуществляется через второй эмиттерный резистор 8, обеспечивая запираниетранзистора 5. Отпирание транзистора 5 происходит в момент, когдасравнивается напряжение стабилизации стабилитрона 12 и напряжениевторого эмиттера на резисторе 8. Наличие стабилитрона 12 обеспечивает 40бы трое переключение схемы, послечего снова начинается процесс заряда конденсатора 9, Использование вкачестве первого эмиттерного резистора фоторезистора и стабилитрона 4512 позволяет расширить диапазонпреобразования уровня светового потока в частоту или скважность генерируемых импульсов. Кроме того, введение стабилитрона позволяет термостабилизировать схему по порогу отпирания транзистора 5, так как стабилитрон и транзистор обладаютблизкими по значению и противоположными по знаку температурными коэфициентами. Введение дополнительноготранзистора 11 и дополнительногоконденсатора 10 предотвращает влияние обратного тока запертого транзистора на термостабильный, поскольку эта цепь является потребителем тока от конденсатора 9. При однотипных транзисторах 4 и 11 их обратные токи достаточно близки, поэтому можно считать, что происходит компенсация влияния тока запертого эмиттерного перехода транзистора 4 на скорость заряда конденсатора 9.Формула изобретения1. Мультивибратор, содержащийобщую шину, первую и вторую шины питания, первый и второй транзисторы,коллекторный резистор, первый и второй эмиттерные резисторы, первыйконденсатор, эмиттер первого транзистора через первый эмиттерный резистор подключен к первой шине питания и через первый конденсатор кэмиттеру второго транзистора, базаподключена к общей шине, эмиттервторого транзистора через второйэмиттерный резистор подключен к общей шине, коллектор - непосредственно, а база через коллекторный резистор соединена с второй шиной питания, отличающийся тем,что, с целью повышения его термостабильности и расширения частотногодиапазона, в него дополнительно введены третий транзистор, второй конденсатор и стабилитрон, причем катод стабилитрона подключен к коллек -тору первого транзистора, а анодк базе второго транзистора, базатретьего транзистора подключена кэмиттеру первого транзистора, коллектор - к второй шине питания, аэмиттер через второй конденсаторсоединен с эмиттером второго транзистора2. Мультивибратор по и. 1, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью обеспечения перестройки частоты световым потоком, в качествепервого эмиттерного резистора использован фоторезистор.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Буденов В.П. Релаксационныегенераторы-импульсные преобразователи неэлектрических величин, М.,Энергия, 1974, с. 108.2, Яковлев В.Н, Справочник поимпульсной технике. Киев "Гехника,1974, с. 205.1003 306 Составитель В. Ш Техред А.Бабинец ри р И. Шулла о оло ж Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная едактор А аказ 1588 Тираж 934ПИ Государственногоо делам изобретенийМосква, Ж, Раушс Подписикомитета СССРи открытийая наб., д. 4/5