Способ получения простых галоидметиловых эфиров ацетиленового ряда
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 387961
Автор: Авторы
Текст
:сОП И САНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 387961 Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21,Ч 1,1971 ( 1670467/23-4)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 22.Ч 1,1973, Бюллетень28Дата опубликования описания 12.П.1974 М, Кл, С 07 с 43/12 С 07 с 43(14сударотвенный комитетовета Министров СССРно делам изобретенийи открытий 47,37.07.07(088.8) Авторы изобретени, Манукя Институт органической химии АН Армянской ССР аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕ ЭфИРОПРОСТЫХ ГАЛОИД ЕТИЛЕНОВОГО РЯД ЛОВЫХ относится к способу получеалоидметиловых эфиров ацетикоторые могут найти применее промежуточных продуктов ого синтеза вследствие активязи.овые эфиры ацетиленового ряь получены взаимодействием овых эфиров с 1-галоген-виПри этом местом электростановится этиленовый, а не атом углерода, как это имеет е других производных винил 5.1),аК где Х - атомы галогена (С 1, Вг углеводородный радикал.Индивидуальность полученных доказывают данными газо-жидк матогра фин, а строение - данны тарного анализа, ИК-спектрооко цией окисления растворов Сц (1).Реакцию осуществляют смещен нентов в присутствии катализато ля-Крафтса (лучше хлористый продуктов остной хроми элемен пии и реакием компоров Фриде- цинк) при 3 Изобретение ния простых г ленового ряда, ние в качеств для органическ ной тройной свГалоидметил да могут быт а-галогенметил нил ацетиленом фильной атаки ацетиленовый место в случа ацетилена, КОСН,С 1+ температуре - 20 - 100 С (лучше 40 - 60 С) врастворителе или без него,П р и м е р 1. 1,3-Дихлор-метоксипентин.При перемешивании к 6,4 г (0,08 моль)хлорметилового эфира, 1 г хлористого цинка,15 мл серного эфира при температуре 40 Спо каплям прибавляют 7 г (0,08 моль)1-хлор-винилацетилена, При этой температуре смесь перемешивают 4 час, выливают вводу, экстрагируют эфиром и после отгонкиэфира перегоняют 4 г (30%) 1,3-дихлорметоксипентинас т. кип. 49 - 50 С/4 ммпо 1 4780 д 2 о 1 1747Найдено, %: С 1 42,50.СеНеС 1 зО. Вычислено, %: С 142,51.П р и м е р 2. 1-бром-хлор-пропоксипентин. По примеру 1 из 16 г (0,15 моль) хлорметилового эфира и 20 г (0,15 моль) 1-бром 2-винилацетилена получают 21,6 г (60%)1-бром-хлор-пропоксипентина. Т. кип,78 С/2 мм рт. ст., п 1,5105, д 4 1,3623.Найдено, %: С 1 14,45,СеН 2 ВгС 10,Вычислено, %: С 1 14,82. П р и м е р 3. 1-йод-хлор-метоксипентинПо примеру 1 из 17 г (0,1 моль) 1-йод-ви нилацетилена и 8 г (0,1 моль) хлорметиловоРедактор Г. Тимофеева Корректор Т, Гревцова Заказ 3318/7 Изд.1666 Тираж 523 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3го эфира получают 11,5 г (45)т. кип. 73 - 76 С мм рт. ст. п 2 од 2 о 1,6916,Найдено, ; С 1 14,25,С,Н,С 1,10.Вычислено, /о. С 1 13,73. Все синтезированные соединения тально окисляют Сц (1) в Сц (11) и очень интенсивное поглощение при 2220 см - . 1. Способ получения простых галоидметиловых эфиров ацетиленового ряда, отличаю иийся тем, что а-хлорметиловв 1 й 3 фир обрабатывают 1-галоген-,винилафййййбй при температуре от - 20 до +100 С в й 1 Мутствии катализатора Фриделя-Крафчеа, нафймер хлористого цинка, с последующим вв 1 деле нием целевого продукта известнывги способами. 2. Способ по п, 1, отличающийся тем, чтопроцесс ведут прои 40 - 60 С.
СмотретьЗаявка
1670467
А. А. Геворк Ш. О. Бадан, А. А. Манук Институт органической химии Арм нской ССР
Авторы изобретени
МПК / Метки
МПК: C07C 41/06, C07C 43/17
Метки: ацетиленового, галоидметиловых, простых, ряда, эфиров
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-387961-sposob-polucheniya-prostykh-galoidmetilovykh-ehfirov-acetilenovogo-ryada.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения простых галоидметиловых эфиров ацетиленового ряда</a>
Предыдущий патент: Способ получения моноацильных производных
Следующий патент: Способ получения альдегидов
Случайный патент: Способ изготовления ленточного магнитопровода