Установка для получения покрытий из газовой фазы

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 726212

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Королев, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/00

Метки: газовой, осаждения, фазы

...в смежных перегородках взаимно смещены по углу и/или дна метру.Предложенное устройство в двух вариантах выполнения представлено на фиг, 1 и 2. Устроиство состоит из вертикально расположенного цилиндрического корпуса 1 и двух съемных днищ 2, снабженных приспособлениями 3 для вертикального закрепле ния нескольких съемных обогреваемых подложек 4, причем последние равномерно расположены пс сечени 5 о рабочего объема таким образом, чтобы расстояние между ося ми смежных подложек было равным 2 - 4их диаметрам. 1-,апример, при наличии- б1.Л, 46подложек (фиг. 1), их равномерно распола: гают по- окружности дйаметром 0;55 - 0,65диаметра корпуса, равного 5 - 12 диаметрам подложки; при размещении одной подложки по оси корпуса остальные...

Номер патента: 618448

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Ваганов, Вербловский, Вигдорчик, Волков, Габенихтс, Иванов, Ивлев, Красильщик, Курицына, Мнухин, Родионов, Романенков, Стариков

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, лент, металлических, осаждением, фазы

...инер лых букс верстиями азоры, рас- поверхноречный разрез; на фиг. 2 - разрез А-А фиг. 1.В корпусе 1 устройства расположен барабан 2, связанный с приводом вращения 3, узел 4 подачи осаждаемого материала, узел 5 подачи инертного газа и механизм съема ленты 6 с барабана 2, выполненный в виде ножа 7, лезвие 8 которого установлено на рабочей поверхности 9 барабана 2. Нож 7 имеет полость 10 для охлаждения и трубы 11 для подачи и отвода хладагента. Узел 5 подачи инертного геза выполнен в виде полых букс 12 со щтуцерами 13 для подачи и отверстиями 14 для выхода инертного газа в торцовые зазоры 15, образованные15 стенками корпуса 1 и торцами барабана 2, Отверстия 14 расположены на уровне рабочей поверхности 9 барабана 2. Корпус 1 нмеет...

Номер патента: 827621

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Иванов, Николайкин, Павлов, Свинцов, Сигалов

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоевиз, фазы

...экс плуатяции и повьцпение надежности работы аппарата.Это достигается тем, что устройство содержит герметичную камеру со средствами подачи и отвода газа, внутри которой коаксиальцо смонтированы последовательно один в другом водоохлаждасмый индуктор, кВар цсВый КО 1 па к и по;ложкодержатель. Средство для отвода газа выполнено в виде осевого сквозного патрубка, црох)- ,ящсго через кварцевый колпак, внутри водоохлаждясмого индуктора и сообщающегося с рабочей полостью камеры.На чертеже показац общий ид устройстВа д;151 Осяждсция слосв из ГсЗОВОЙ фазы,УстрОЙство содержитсрмстггиую камеру 1, срс;ство струйной подачи 2 и отвода ) газов, полый дср)катель 4 подложек 5, внутренний Болэохлаждасмый д ктор б, От;слсниый От полости 7 камс- )ы 1...