Архив за 1993 год

Номер патента: 1806393

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Чистосердов

МПК: G01V 3/08

Метки: геоэлектроразведки

...Для получения значения В о при различных у необходимо сделать соответствующее количество пролетов с различной частотой поля в источни ке во, По полученным магнитограммам с помощью Фурье-анализа следует найти для каждой компоненты поля соответствующий ей Фурье-образ Вр, после чего по формуле В;= В- В," где В - а-компонента35 нормального поля, находтся аномальная часть а -компоненты магнитного поля. В предлагаемом способе регистрируется вертикальная компонента В и компонента поля, перпендикулярная большей оси аномалии Ву, Вычисляя модуль отношения Ду 1= Вд/В можно построить графикф 1,Для интерпретации экспериментальных результатовследуетзадаться геометри ческой моделью аномального тела, Ниже в качестве примера будет рассмотрен для...

Номер патента: 1806394

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Лимарев, Набиуллин, Реутов, Саидов

МПК: G01V 3/12

Метки: обнаружения, предвестников, радиолокационного, тектоактивности

...токовых импульсов на входы антенны возбуждения 4 определяют импульсами управления, которые подают синхронно с выхода управления и первого выхода блока автоматики 7 на соответствующие входы коммутатора 3 и формирователя опорной последовательности токовых импульсов 5, Прием вторичного электромагнитного поля в приемной установке 8 осуществляют с помощью приемной антенны 9, которую размещают на заданном расстоянии от антены возбуждения 4, соизмеримом с глубиной зондирования,Принимаемый в диапазоне очень низких до 30 кГц частот сигнал вторичного поля поступает по соответстьующим отводам приемной антенны на входы усилителя 10, после его усиления и последующего сравнения с опорным сигналом формируется сигнал - предвестник, который...

Номер патента: 1806395

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Драпеко, Третьяков

МПК: G01N 23/00, G01V 5/00

Метки: гамма-абсорбционного, опробования, руды

...относительно репера, например, фона (измеренного в йустой камере), судят оприсутствии полезного ископаемого в исследуемой горнорудной массе и его концентрации.Для повышения точности измерений камеру 2 разворачивают на 90-180 - 360 и посреднему из четырех измерений находят конечный результат, При необходимости камера 2 может быть съемной для переноса еек месту опробования (в забой, к транспортной ленте и пр,).Работоспособность устройства и его погрешность измерений оценены в полевыхусловиях на Чиганакском месторождениибаритов; при этом результаты опробованиякусковой руды в отбитом массиве сопоставлены с результатами химического анализатех же проб; концентрация барита в опробуемой горнорудной массе варьировала в пределах 1 - 93 О,...

Номер патента: 1806396

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Зайцев, Марчевская, Сотниченко

МПК: G01V 5/14

Метки: компонента, руде, содержания, ценного

...жестких гамма-квантов; подвижного поглощающего экрана 8, перемещение которого осуществляется с помощью привода и электродвигателя по сигналу с блока 9 силового управления: спектрометрического блока 10.детектирования гамма-излучения; блока 11 накопления и обработки информации с микроЭЙМ.Вагонетки 12 с рудой движутся справа налево, До подхода первой вагонетки к гамма-датчику, включающему гамма-облуча 30 35 ни прохождения ее мимо (и, у)-датчика про 40 личины,5 10 15 20 25 тель 6 и блок 10 детектирования, подвижный поглощающий экран 8 перекрывает коллимационный канал гамма-облучателя, и производится измерение интенсивности гамма-излучения 3 г, прошедшего через экран при отсутствии вагонетки. Величина 3 г сохраняется в памяти блока...

Номер патента: 1806397

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Бабаев, Золоташко, Потюкаев

МПК: G01V 9/00

Метки: куполов, поисков, соляных

...соответствует соотношению (1).Указанное соотношение на моделях выдерживается вплоть до поверхности Земли.Поскольку величина соотношения обуслов лена теплопроводностью каменной соли, соотношение является специфическим для соляных куполов и может служить признаком их идентификации. В то же время ни один из традиционных геофизических мето . дов разведки не может определить. кромеаномалии поля также и характер возмущаю-.щего объекта.Способ реализуют следующим образом,В пределах территории с выявленными ано малиями геофизических полей бурят скважины: При этом одну скважину располагают над геофизической (например, гравитаци, онной) аномалией, а другую за ее пределами, Глубина скважин обусловлена 45 вскрытием в данном районе слоя...

Номер патента: 1806398

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Васильков, Любарский, Химич

МПК: G02B 5/08

Метки: зеркала, меди, оптического, основе, силового, сплавов

...отжига на изменение топографии полированной медной оптической поверхности". - "Поверхность", 1985, М 9, с.117-123. Изобретение относится к области оптического приборостроения и может быть использовано при изготовлении силовых оптических зеркал.Цель изобретения - увеличение температурно-временной стабильности коэффициента диффузного отражения оптической поверхности зеркал из меди и сплавов на ее основе,Цель достигается тем, что при изготовлении силового оптического зеркала после отжига, снимающего остаточные напряжения, проводят механическую обработку после достижения уровня шероховатости(Яч=4-6 нм) проводят отжиг в вакууме притемпературе на 10-20 градусов выше температуры конца деформации микрорельефа в течение 0,5-.1 ч, затем...

Номер патента: 1806399

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Андреев, Васильков, Любарский, Химич

МПК: G02B 5/08

Метки: зеркала, оптического, силового

...лицевой стороны зеркала поддерживается равной Т 1, а температура тыльной стороны зеркала ( р поддерживается равной Т 2, где Т 1 - максимальная рабочая температура оптической поверхности зеркала; Т 2- минимальная рабочая температура тыльной стороны зеркала. - Время выдержки при каждой температуре составляет 1,0-1,5 ч, После каждого цикла проводится контроль формы .оптической поверхности зеркала, Градиент1806399 Изменение формы оптической поверхности медного силового зеркала после испытаний Составитель Н. КирееваТехред М. Моргентал Редактор А. Кол орректор С, Лиси Заказ 976 Тираж ПодписноВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откры113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ям при ГКНТ СССРвенно-издательский комбинат...

Номер патента: 1806400

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Лизунова, Сафонов, Тычкова

МПК: G02B 6/36

Метки: комбинированный, многоканальный, оптический, разъемный, соединитель

...сечение вилки оптического комбинированного соединителя; на фиг, 3 - сечение оптического комбинированного соединителя в сочлененном состоянии с изображением сечения оптической контактной пары.Розетка оптического комбинированного соединителя состоит из корпуса 1 а(корпус вилки 1 б), в котором закрепленыэлектрические контакты 2 и оптическиенаконечники Зб (наконечники вилки За) с 5замонтированными соответственно электрическим 4 и оптическим 5 кабелями, объединенными в едином зажиме - кожухе 6,Вилка и розетка соединителя и электрические контакты (гнезда и штыри) представляют собой электрический соединительтипа.СНЦ 23, Корпуса вилки 1 б и розетки 1 афиксируются байонетным замком 7. Приэтом оптический наконечник За штыря 8вилки входит в...

Номер патента: 1806401

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Безруков, Карпова

МПК: G02B 13/02, G02B 9/62

Метки: объектив, светосильный, фотографический

...объектива для широких наклонных пучков в пределах углового поля, большую или равную площади входного зрачка для осевого пучка. Зто позволяет получить Одинаковое относительное отверстие для всех широких пучков, а следовательно, и одинаковую светосилу в пределах линейного поля в пространстве изображения Объектива, При этом конструкция позВО ляет развить углОВое поле, увеличить задний фокальный отрезок и активно Влиять на все аберрации, в том числе и на хроматические аберрации широких наклонных пучков без их виньетирования,Четвертый компонент выполнен склеенным иэ двояковыпуклой линзы б и отрицательного мениска 7, обращенного Вогнутостью к пространству предметов. При этом показатель преломления материала мениска превышает тавровой...

Номер патента: 1806402

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Безруков, Карпова

МПК: G02B 17/08

Метки: зеркально-линзовый, объектив

...8 ннае Выпук лым сферическим, его вершина совпадает с вершиной второй поверхности отрицательного мениска коррекционного компонента и компенсатор аберраций 5 - двояковыпуклая линза, толщина. которой составляет 0,30- 35 0,36 фокусного расстояния объектива, а коэффициент дисперсии ее материала не менее чем в три раза превышает коэффициент дисперсии материала линз коррекцианкого компонента 1 и 2, 40 Световой поток по кольцу проходит каррекционнцй компонент 1,2 и, отразившись от первичного зеркала 3, затем от вторичного зеркала 4, проходит компенсатор аберраций 45 5 и собирается в плоскости изображения,В качестве примера конкретного выполнения рассчитан зеркально-линзовый Объектив (фиг.1), конструктивные параметрц которого приведены в...

Номер патента: 1806403

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Блюдников, Жуковский, Коробченко, Митин

МПК: G02B 26/10

Метки: зонного, оптическая, сканирования

...фазы диск 7 в сторону от приемника 3; но как рабочего цикла сканирования, только кружок 19 полностью выйдет наОптическая система содержит афокаль- грань 18, в это время диск 7 повернется, и ную насадку 1, зеркальный барабан 2 зон- одно из зеркал 10 войдет в ход лучей 21 ного сканирования, выполненный в виде 15 (см.доп. Фиг. 5 и 6), идущих от второй эоны двух усеченных конических многогранников . К 2, приемник в изображении кадра зафиксис разными двугранными углами, и объектив рует вторую зону. При полном выходе кружприемника 3, выполненный из первого ком- ка 17 на грань 22 (фиг. 6 и 3) снова включится понентабидвухвторыхкомпонентов 4 и 5. в работу компонент 5,. но теперь за счет За каждым дополнительным компонентом 20 изменения угла...

Номер патента: 1806404

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Блюдников, Жуковский, Кокорев, Коробченко, Митин

МПК: G02B 26/10

Метки: зонного, оптическая, сканирования

...из двух каналов.6 и 7 и второго компонента 8, между которыми размещено оптическое переключающее устройство 9, например в виде зеркального модулятора, и пЛоские зеркала 10 и 11. Переключающее устройство 9 выполнено в виде диска с отражающими зеркалами 12 и промежутками 13 между ними, а его привод жестко связан с приводом вращения барабана 1 (на фиг. не показан), Плоскость зеркал 12 размещена между каналами 6 и 7 первого компонента объектива в плоскости, проходящей через ось 3 вращения барабана 1, Оптические оси 14 и 15 каналов 6 и 7 размещены в плоскости оси 3 под углом 2 рз,а в плоскости сканирования. по строке - под углом 2 ф - относительно центра 16 входного зрачка объектива.Оптическая система работает следующим образом,При вращении...

Номер патента: 1806405

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кузнецов, Мозгалев

МПК: G03C 11/24

Метки: извлечения, основы, регенерацией, серебросодержащего, слоя

...природный газ. Процесс смыва производят следующим образом: в первую емкость 1 помещают устройство с закрепленными рамками 8; 9; 10; 11 состоящими из нержавеющей стали с ребром жесткости и капроновой сетки расположенной в три рада, между которыми заложены использованные фотоматериалы 19, вращают рукояткой 18 в течение 15-20 мин, Далее устройство перемещают во вторую емкость 2, где смыв продолжается и окончательно завершается смыв.в третьей емкости 3.Затем для удаления остатков влаги устройство с фотоматериалами устанавливают на центрифуге, Высохшую основу вынимают из рамок и упаковывают для повторного многократного использования;Дальнейший цикл заключается в следующих операциях: когда устройство из рамок с заложенными в них...

Номер патента: 1806406

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Алимов

МПК: G04C 11/02

Метки: времени, распределения

...частоту электросети,50 Гц напряжением 30 В).8 этом случае луч осциллографа произвел форму и амплитуду синусоиды промышленной частоты электросети - 50 Гц, и привключении постоянного напряжения - управляющего сигнала электрочасов - даннаясинусоида совершенно не изменяла своегоочертания,Возможная ошибка в замере осциллографа С 1-68 не превышает 5 (их техпаспорта последнего), значит, и возможнаяпомеха в радиосети при замере не превысила этого значения.Если даже предположить, что высокоомный радиодинамик включен без фильтра. и трансформатора - непосредственно в постоянное напряжение, изменяющееся пономиналу от 9 до 30 В за время 05 с, топомеху в этом случае можно заметить только визуально, наблюдая за диффузором радиоприемника, который...

Номер патента: 1806407

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Макаров, Перепелов

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, питания, регулируемый

...поступает на входВ конкретном примере выполнения блока 2,навыходекоторогоустанавливаетчисло выходов дешифратора 3 равно 9. ся код, поступающий на входы дешифратоБлок 1 формирований одиночных импуль- ра 3. Дешифратор производит дешифрацию сов содержит два одновибратора 8, 9 в 20 кода, т,е, открывается один из выводов деоднОм корпусе микросхемы К 155 АГЗ, токо- шифратора 3, соединяя при этом вывод одограничивающие резисторы 10, 11, конден- ного из переменных резисторов блока 5 с саторы 12, 13 для защиты от ложных общей шиной. Таким образом изменяется срабатываний одновибраторов 8:и 9 соот- отношение в делителе напряжения, образоветственно, резисторы 14, 15 и конденсато ванном цепочкой переменных резисторов ры 16, 17. блока 5 и переменным...

Номер патента: 1806408

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Брызжев, Гаврилкин, Евсеев, Маторин

МПК: G10D 11/00

Метки: гармони, клавиатура

...3, В клавише 2 выполнен продольный паз 4 для установки пружины 3. Паз 4 выполнен на внутренней поверхности клавиши 2, причем ширина и глубина его соответствует диаметру витка пружины 3.Один конец прклавише 2, а виток продольном пазу 4 клавиши 2, 3 мшу 2 устанавливают в гриф 1анная конструкция клавиатуры поет фиксировать пружину в центреши, благодаря чему при игре обеспе- Яся параллельность движения клави-пазу грифа и исключается перекосши, Кроме того, уменьшается толщина ют в клави Дормула иавиатура ганые на гриод ними прем, чтоц кле пазы, аьных пазах ужины 3 закрепляют на пружины 3 устанавливаГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(71) Тульское объединение по имузыкальных инструментов "М(73) Акционерное общество зак(56)...

Номер патента: 1806409

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Поликарпов

МПК: G10H 3/16

Метки: инструмент, электромузыкальный

...4 и 5 замыкаются и включают электронную схему инструмента, В варианте по фиг,З, 4 предусмотрена возможность регулировать давление и расход воздуха в зависимости от физических возможностей обучаемого (степени развития легких). Поворотом заслонки вокруг оси добиваются установки требуемого проходного сечения отверстия, образуемого пересечением отверстий 9 и 10. В вариантах по фиг. 2-4 громкость звучания инструМента регулируется или исполнителем при помощи регулятора громкости, установленного на инструменте; или руководителем ансамбля через микшерный пульт,При более сложном выполнении мундштука заявленного устройства (фиг,5) громкость звучания регулируется плавно путем изменения давления воздуха в полости мундштука с воздушным...

Номер патента: 1806410

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Блох, Кучин, Петров, Сюзев

МПК: G21C 7/12

Метки: органа, положения, реактора, ядерного

...по фазе ток на15 четверть периода. На вход компаратора 6поступает напряжение с, последовательновключенного в цепь питания катушек, резистора 11. Стробимпульсы, вырабатываемыекомпаратором 6, совпадают по фазе с то 20 ком, а следовательно, с активной составляющей Ог полного напряжения О 0 катушек.Стробимпупьсы запирают устройства выборки-хранения 5.1 - 5,п на время действияположительной полуволны активной состав 25 ляющей с момента времени, когда активнаясоставляющая Ог О. К этому времени напряжение О 0 на катушке успеет нараститолько до величины равной максимальномузначению индуктивной составляющей Оь30 При изменении температуры катушек датчика меняется их активное сопротивление, аследовательно, активная составляющая Ог,Однако из-за...

Номер патента: 1806411

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Копейкин

МПК: G21F 9/24

Метки: загрязнений, локализации, почв, радиоактивных

...временной ликвидации радиоактивных отходов (ПВЛРО) "Рыжий лес" в районе. Чернобыльской АЭС.П р и м е р 1. Водорастворимые реаген 35 ты сульфат натрия и нитрат бария использовали в виде 0,100 оных растворов при их мольном соотношении 1:1.Отбиралось 4 л загрязненной радионук лидами воды, весь объем делили на две равные части, в одной растворили 4 г нитрата бария, в другой части - 2,174 г сульфата натрия, Оба раствора сливали при перемешивании, при этом выпадал осадок сульфа та бария, вес осадка составил 3,572 г.200 млраствора отбирали на определение содержэния радионуклидов. Оставшиеся 3,8 л снова делили на две равные части, В первой части растворили 3,8 г нитрата бария, во второй - 2,068 г сульфата натрия. Оба раствора сливали при...

Номер патента: 1806412

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Жихарев

МПК: G21G 4/00

Метки: источника, позитронов

...пулевой линии и т.п.Использование пленок аморфных спла-.вов, полученных методом ионна-плазменного напыления, для изготовления источников позитронов неизвестно и соответствует критерию "новизна".Предлагаемый способ позволяет изготавливать источники на основе пленок практически любой необходимой толщины, т.к.не возникает проблем с манипуляцией и склеиванием даже при их толщине 0,1мкм. Поликристаллические фольги такойтолщины не поддаются манипуляции изза наличия сил молекулярного сцепления,5 поверхностного натяжения и т,д. Практически нереальной является задача обеспечения сплошности таких фольг при толщинеменее 1 мкм,Использование аморфного сплава вме 10 сте с,подножкой позволяет избежать отмеченных трудностей и получить не толькопрямой...

Номер патента: 1806413

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Головко

МПК: H01T 13/20

Метки: зажигания, свеча

...размещенный на наружной н чей поверхности свечи. Новым является то, что индикато пературы выполнен в виде тонкосл жидкого кристалла, меняющего свой зависимости от температуры.исталл, в качестве которого пользован холестерил-бензоложные эфиры холестерина, о непосредственно на нера- ость свечи, либо на подложформу кольца, которая затем свечу. Для защиты жидкокрислоя от воздействия различтельных факторов может вание: воспламенения амере сгорания пор щность изобретения очей поверхности св катор температуры о жидкого кристалла,использоваться прозрачный эащитнь слой, нанесенный на жидкий кристалл,Интервал рабочих температур жидкого кристалла подбирается для каждого конкретного типа двигателя и зависят от рабочих температур наружных...

Номер патента: 1806414

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Валеев, Маркун, Торгованов

МПК: H01Q 15/16

Метки: отражатель

...жесткости, при сохра диотехнических параметров, на выполнены протяженные радиаль говые углубления, ширина каждо торых больше рабочей полуволны много больше длины волны, а дн ложено по софокусной парэболич верхности с увеличенным на цел рабочей полуволны фокусным рэ ем. Изобретение относится к антенной технике, а именно к.параболическим отражателям антенн с большими электрическими размерами (десятки и сотни длин волн).Цель изобретения - повышение жесткости отражателя при сохранении радиотехнических параметров,Цель достигается благодаря тому, что на металлической оболочке отражателя выполнены протяженные радиальные и дуговые углубления (рифты), ширина каждого из которых больше рабочей полуволны, а длина много больше длины волны, дно...

Номер патента: 1806415

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Баистов, Панков, Чалый

МПК: H01H 23/16

Метки: выключатель

...- пластины фиг,З), в средней части которой образовано поперечное щелевое отверстие 12 с примыкающими к нему с обеих сторон пуклевками 9, причем указанное отверстие в процессе гибки пластины преобразуется в круглое отверстие, диаметр которого несколько меньше диаметра шарика, Размеры пластины и ее элементы выполняются в процессе одной операции - штамповки, Формовка ползуна производится поперечной гибкой заготовки, причем линия гибки совпадает с отверстием 12, в которое предварительно вставлен шарик 11, выступающий на 1/3 часть своего размера из ползуна 7 без возможности выпадания из него, но с возможностью вращения в гнезде, При этом образуется отдельный узел ползуна 7 с зафиксированными деталями, что упрощает сборку...

Номер патента: 1806416

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кравченко, Крюков, Николаев, Орлов

МПК: H01H 35/02

Метки: гравитационный, переключатель

...шар 11. Контакты 3 имеют достаточно большую высоту по отношению к внутренней поверхности полости так, чтобы шар 11 перекатывался по их вершинам, не касаясь этой поверхности. Контакты, присоединенныЕ к разным проводам б и 7 и входящие в разные группы 8 и 9, чередуются между собой так, чтобы в число трех контактов, на которые опирается проводящий шар 11, входили обязательно контакты из обеих групп (например, фиг,2).Гравитационный переключатель работает следующим образом, После посадки СА на поверхность планеты корпус переключателя занимает по отношению к вертикали произвольное положение. Под действием силы тяжести проводящий шар 11 скатывается с малым трением по вершинам контактов в нижнее положение и останавливается там в состоянии...

Номер патента: 1806417

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Абгарян

МПК: H01J 31/00

Метки: прибор, электровакуумный

...срока службы за участками 5,6 с радиусом В 2 и плоским уча- . счет обеспечения равномерности распредестком 7, причем сферический участок 5 и ления плотности тока на аноде, злектронноосесимметричный участок 3 с криволиней оптическая системаснабженаэлектрически ной поверхностью с радиусом В и цилинд- связанным с катодом полеобразующим прирический участок 4, фокусирующий катодным электродом; имеющим участок с электрод, образованный сферическими уча- плоской поверхностью, лежащей в плоскостками 5,6 с радиусом Вг и плоским участ-, сти торца катода, осесимметричный участок ком 7, причем сферический участок 5 и 25 с криволинейной поверхностью в виде сфеосесимметричный участок 3 имеют общий рического кольцевого сегмента и участок с центр, и...

Номер патента: 1806418

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Немцев, Орлова, Полякова, Тявловский, Яржембицкий

МПК: H01L 21/00

Метки: однородности, поверхности, полупроводниковых, потенциала, распределения, электрического

...нм и расстоянием между дефектами более 50 нм, На расстояния более нескольких десятков мкм поверхность является статистически однородной.П р и м е р 2, Указанная в примере 1 последовательность операций была повторена при использовании в качестве объекта измерения эпитаксиальной пленкивыращенной на кремниевой пластине с полностью удаленным нарушенным слоем, Получены следующие результаты измерения.При изменении расстояния от отсчетного электрода до поверхности от 0,37 до 1,2 мм минимальное и максимальное значения потенциала составили 268 и 276 мВ, а их полураэность 4 мВ. Микроморфология поверхности характеризовалась однороднымраспределением точечных микродефектов с регулярным пространственным распределением и средним расстоянием между...

Номер патента: 1806419

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления

...образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли...

Номер патента: 1806420

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ефименко, Леоненко, Прибыльский

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...фиг.З иллюстрируется повышейиекоэффициента усиления В изобретения по сравнению с прототипом. 40Работает интегральная схема следующим образом,Пусть и-р-и-транзистор находится в активном режиме работы. Коллекторный ток слоя 6 с п-р-п-транзистором, базой является область эпитаксиального слоя 6 и-типа проводимости, а коллектором - подложка 5 р-типа проводимости, Когда падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора достигает 0,7 В, открывается рп-р-транзистор, который увеличивает суммарный коэффициент усиления, 3 ил,создает падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора 3, При достаточно большом токе, когда.напряжение на резисторе достигает 0,7 В. р-и-ртранзистор 11 открывается. Его ток эмиттера складывается...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1806422

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Гусинский, Киптилый

МПК: H01L 27/14, H01L 31/02

Метки: видимого, излучений, инфракрасного, преобразования, ток, электрический, энергии

...основания выбрана лавсановая лента толщиной 1 мкм и шириной 100 мм. Дгина ленты не ограничена, Никелевые антенны в виде стержней диаметром 0,02 мкм расположены внутри основания иимеют длину от 1 до 1,5 мкм, На 1 м можетг быть образовано до 10 антенн,аНа рабочую поверхность ленты нанесен слой алюминия толщиной 0,1 мкм, прозрачный для видимого и инфракрасного излучения. На эту поверхность выходит один из торцов каждой антенны и электрически соединен с ней, Для уменьшения омических потерь вдоль ленты расположены токоведущие шины шириной 0,5 мм, расстояние между которыми 9,5 мм (не показаны)Противоположные торцы стержней, на которых расположена пленка окиси никеля толщиной 1 нм, соединены с другой поверхностью основания, при этом...