Патенты опубликованные 30.08.1992

Номер патента: 1395027

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Глубоков, Шипалов, Яблонский

МПК: H01J 17/49

Метки: временных, газоразрядной, люминофорной, характеристик, ячейки

...люминофора.Теоретическим подтверждением вышесказанного Является следующее.При подаче на ячейку импульса .напряжения длительностью й, (фиг. 1),спустя некоторое время запаздываниясе, в ячейке возникает разряд, приэтом в течение , - Ъ происходитпроцесс разгорания люминофора, а поокончании импульса - процесс зату хания. Кандел-секундная площадь,,светового импульса на участке разгорания люминофора3 1 т дй т (й -Т )и ст 20 фстХ 3,(е -е ) (1) а на участке затухания 15 Яе1 ОЕ 1 ее ( Ф 1 к(1-еъ)средняя яркость люминофорной ячейки36 при этомТСчитая перенапряжение на разрядном промежутке достаточно большим,1,Й= с в 3Ге6 0 Т т.е. 1,А -1 гце й,Другими слова начальном уча едняя ми ркость сти яр тке зависимости пропорруется наПараменкнии можно(1...

Номер патента: 1395071

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Козлов, Оськин, Сипайло

МПК: H01S 3/03

Метки: газовый, лазер

...цилиндрическимикраями, осуществжет жесткую связьконцов разрядных капилляров междусобой и поперечном сечении, в реэуль"та е чего исключается воэможность рассогласования оптических. осей капилляров в этом сечении при механоклиматических воздействиях. Мембраны 4, 5 жестко связывают разрыдные капилляры между собой в поперечном сечении, одновременно закрепляя их, в оболочке лазера 3. В то же время у капилляров сохраняется возможность перемещения в продольном направлении при температурных и механнческкя воздействиях. В результате повышается устойчивость лазера к механоклиматическим воздействиям. Электри, ческая связь катода с оболочкой лазера, находящемся под нулевым потенциалом, осуществляется токопроводящими покрытиями 13, 14,...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1452421

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гуделев, Поляков, Чуляев, Чуляева, Ясинский

МПК: H01S 3/13

Метки: излучения, лазера, стабилизации, частоты

...Так происходит девиация частоты, которая в центре контура имеет минимум. С выхода активного элемента с фазовнизотропиьм резонатором лазерное излучение, содержащее раэностную. 45 частоту Г , модулированную по часто" те с помощью низкочастотного генера" тора 13, подключенного к электромагниту 3, создающим пульсирующее поперечное магнитное поле, направля- Ьо ется иа фотоприеиник 4, где преобразуется в электрический сигнал. Усиленный в усилителе сигнал ивправлается в частотный детектор 5, ныП 1 элиеииый в виде когерентного детек тора с фазоной автоподстройкой частотн (ФАПЧ). После захвата разиостной частоты 8 частотиом детекторе генератор, управляемый током 8 частатного детектора 5, устанавливается на частоте Гя а на выходе фильтра низкой...

Номер патента: 906291

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Инкин, Киселев, Малинов, Москвичева, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 17/04, H01J 19/30

Метки: долговечных, искровых, материал, разрядников, электродов

...свойства сомпозиции Пластичность резко возрастает при измеокись сгпонция при следующем соот 1(ошег(1.1 комОгентогз, ма с, 4:О (:, и ;. , Г т)1 ц , я 2)0-5,5Г) (с:.1 ь 2,0-3,5ВО г(ьф а )"1 (ЗС та П ЫОР1 л -.о ) (и 1( вещес Гвами для полУОкись стронция - 3)54) вольфрамОстальное, в 600 мл дистиллированнОЙ воды растворяют 1(6,8 г азотнокислого сгронция Бз.(г 10 ) марки ЧДА3 2и 85 г азотнокислого никеля 11(110 з) л3)6 Н О марки 11 Лд, Е раствору добавляют при перемешивании порошок вольфрамового ангидрида УО, марки Чз(Д585 г,В полученную суспензлю прл непрерЫвном перемешивании вводят растворуглекислого аммония (1)1 Н,) СО марки4 2 3(1 Ю (107 г в 950 мл воды), ОсадокотделяЮт фильтрованием, сушат прио130-150 С, восстанавливают в водороде при...

Номер патента: 1403942

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Поляков, Чуляев, Чуляева

МПК: H01S 3/10

Метки: газовый, двухчастотный, лазер, стабилизированный

...напряжения с источников 19,20 и 21. При этом в момент времени 1, под влиянием напряжения, поданного на участок керамикипод электродом 12, керамика вспучивается, в следующий момент времекивспучивается участок керамики, находящийся под электродом 13, и т.д.В результате деформируется пьезоэлемент так, что его деформации образуют бегущую волну, и пьезоэлемент толкает зеркалоЗа счет силь трения между зеркалом и вакуумной оболочкой создается тангенциальная составляющая силы трения, стремящаяся развернуть зеркало в направлении движения волны, и зеркалоповорачивается вокруг своей оси. Этоприводит к появлению дополнительнойфазовой анизотропии резонатора и возрастанию разностной частоты, что расширяет диапазон управления разностнойчастотой,...

Номер патента: 1460977

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Голкин, Лебедев, Новосельцев

МПК: C08K 13/02, C08L 9/02

Метки: композиция, назначения, полимерная, фрикционного

...ситуации. Кроме того, при стендовыхиспытаниях накладок отмечено воз)пк. иовение вибраций тормоза.Изобретение иллюстрируют примеры, представленные в табл. 1. ПредложеннуЮ композицию изготавливаютюбкам Известным способом, например, изделия (тормозные накладки) и 1 шепложенной композиции изготовлчю ледуюО щим образом при темперлтург 1-35 С В пресс-форме изготовляют Г 1 рпгеть Йощ дэзвмеииеи ЙЭМ 1.я С, ; р: ирувЭ 146 шей сеткой). Затем брикеты помещают в пресс-форму, разогретую до 150- 200 С и выдерживают под давлейиЕМ 20-100 ИПа в течение 0,51,5 мнн на 1 мм толщины изделия. При необходимости изделия подвергают дополнительной термической обработке при 80 " 250 С в течение времени, достаточного для отверждения связующего. Появ" ление...

Номер патента: 1460985

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Засова, Кириллов, Курапова, Парменычева, Плеханова, Порошин, Прозоров, Савинский, Ширяева

МПК: C09K 3/10

Метки: герметизирующая, композиция

...СКТН-Г, метилфеннлднметнлполисилоксанднол СКТНФ"6 или метил- трифторпропилдиметилполисилоксандиол, в качестве этилсиликата " этилси" ликатили этилсилихат, в качестве харбоксилата диалкилолова -. дизтилдикаприйат или дибутилдиаце" твт олова. 1 табл. 2СКТНФ-б (ТУ 38.03129-77) или мстилтрифторпропилдиметипполисилоксандиол СКТНФТ.(ТУ 38.03124-80), в качестве этилсилнквтв - этилсилнкатипи этилсиликат, в качестве хар" 1 боксилатадиалкил олова - диэтилдикап рилат олова илн дибутилдиацетат олова, 8-охсихинолин соответствует.ГОСТ 5847 Уб.Композицию получают поной загрузкой всех компонекость, снвбаенную механичекалкой, к перемещиввнием в5-10 мин. Нанесение компоэЮ верхность прокладки осущесщЭ 14 каин, ракилсм, окунанием или при помющи...

Номер патента: 1405361

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Глушко, Кричков, Помазенко, Пушных, Савостиков, Сергеев

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, ионно-плазменной, подложек

...счет сил трения части нижней торцовой поверхности с рифленойповерхностью выступа приходят но вра -щательное движение вокруг собствен 140536115 20 25 30 35 40 50 ной оси и проходят через зону обработки ионным пучком как от верхнего,так и от бокового источника ионов.Таким обра зом, обработке поднергаются верхняя торцовая и боковая поверхности подложек 7. При необходимостина вращающиеся подложки 7 можно подать регулируемый (от 200 до 70000 В)эдектрический потенциал и, не снимаяего, переместить подложки 7 иэ однойпозиции обработки в другую.Во второй позиции 4 обработка осуществляется аналогичным образом (сосменой вида рабочего вещества - ионовв зависимости от требований техпроцесса).В позиции 3 обработки можно осуществить процесс...

Номер патента: 708924

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Демкин, Елесин

МПК: H01S 3/227

Метки: газового, излучения, лазера, металла, мощности, парах, стабилизации

...отклонения напряжения горения.Введением разлицных корректирующих звеньев также сложно добитьсяжелаемого результата, так как возмущающие воздействия различны по вели"чине, времени и скорости воздействия,Цель изобретения - повышение чувствительности и точности стабилизации З 5мощности излучения лазера,Поставленная цель достигаетсятем, что в зоне выхода источникапаров металла установлен терморезистор, соединенный с резистором дат- ,щчика напряжения горения.На чертеже представлена структурная схема устройства стабилизациимощности газового лазера.Устройство содержит источник питания 1, соединенный с лазером 2, источник 3 паров металла, вход которого соединен с выходом источника питания 4 нагревателя, управляемоговыходным сигналом устройства...

Номер патента: 1407345

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Аронов, Васильев, Десятов, Морозов, Родионов

МПК: H01L 29/73

Метки: свч-транзистор

...позволяет раменения СВЧ"тран0( Од.м(бобщл,и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базыи внешнюю индуктивностьмонтажа;импульсный ток эмиттерапосле завершения переходного процесса;максимальное обратное напряжение эмиттбр-база;требуемая длительностьФронта радиоимпульсов.:ьмекс Составитель Н. Гусельников Техред К,Дидык Корректор Э, Лончакова Редактор Н.Коляда Заказ 3475 Тираж Подписное ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5аеПроизводственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковой технике.Целью изобретения является снижение длительности Фронтов радиоимлульса усиливаемого...

Номер патента: 1407367

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Чуляева

МПК: H01S 3/13

Метки: газовый, лазер, частотно-стабилизированный

...наклонена, по крайней мере, одна иэ торцовых граней призмы к оптической оси резонатора выбирается из соотношенияяо Ь и М = 90 - агсз ьп - (и- пв )з 1 пфЙри этом 1 = - - --1 югде Ь - длина резонатора,и1, 2, 3;Ь - длина призмы;и- коэффициент преломления необыкновенного лучаи, - коэффициент преломления обыкновенного луча;- угол между оптической осьюпризмы и волновой нормальюлуча;% - длина волны излучения,Сигналы с фотоприемников, где световые лучи преобразуются в электрические сигналы, поступают на системуАПЧ 5, На выходе системы сигналы, вычитаясь и усиливаясь, поступают науправляющий элемент 2, вызывая изме"ленце частоты в направлении установ"ления равенства сигналов.Р: данном лазере достигается повышение стабильности частоты,...

Номер патента: 649273

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Власов, Перебякин, Тимошенко

МПК: H01S 3/038

Метки: газового, газоразрядная, лазера, трубка

...к электродам напряжение становится недостаточным для поддержания условия стационарности в окружающем точку пространстве, В нем образуется всеменьше ионов, чем нужно для сохра"нения плотности стационарного заряда,и она прогрессирующе уменьшается,Меньшая плотность тем более не можетостаться стационарной, Разряд кон"центрируется, т,е. на некоторых участках поверхности катода плотностьтока увеличивается до величины, соответствующей установившемуся минимальному напряжению, а на других участках уменьшается до нуля, а этоприводит к интенсивному распылениюкатода и изменению параметров рабочейсреды,Цель изобретения - повышениестабильности разряда.Это достигается тем, что на рабочую поверхность анода нанесена полу- проводящая пленка с удельным...

Номер патента: 538649

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Виневич, Красуцкий, Печенин, Соллогуб

МПК: H01S 3/081

Метки: генератор, квантовый, оптический

...из двухвзаимно перпендикулярных зеркал,Для повышения деформационной устойчивости известного ОКГ в качестве несущей конструкции использована гранитная плита, В результатеустройство усложняется и увеличивается его вес.Цель изобретения - повышение леформационной устойчивости многоэлементных ОКГ без усложнения конструкции,занная цель достигаеглы между промежуточи, расположенными наи того же активного э180ы , гре щ - числоШ ементов в соседнем рНа фиг.1 схематично показан предложенный ОКГ с пятью активными элементами, где 1 - активные элементы, 2 - попарно расположенные промежу" точные зеркала; 3 - концевые зеркала,На фиг. 2 приведена схема ОКГ в поперечной плоскости, на которой кружками обозначены активные эле" 1 О менты, сплошными и...

Номер патента: 1468293

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Печенкин, Сметанин, Толмачева

МПК: H01J 1/30

Метки: взрывоэмиссионный, катод

...После этого необходима длительная 300 мкс пауза, в течение которой плазма рекомбинирует а зазорвосстанавливает свой первоначальныйимпенданс.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Он содержит криогенное устройство1, внутри которого установлена про водящая, герметичная камера 2, эаполненная водой 3, торец катода закрыткрьппкой 4, выполненной нэ пористогопроводящего материала слой льда 5,намороженный на крьппке.Устройство работает следукщим образом.Криогенное устройство 1 включается.и вода 3, находящаяся в герметичной камере 2, замерзает, а посколькупри переходе воды из жидкого состоя" 45ния в твердое происходит увеличениеобъема, то часть воды в виде слояльда 5 оказывается намороженной наповерхности пористой крышки 4....

Номер патента: 1416005

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Базилев, Кодылев, Медведева, Трусов, Холопова

МПК: H01S 3/034

Метки: активного, газового, лазера, элемента

...состоянии. При температуре, меньшей 250 С, происходит неполное удаление пленки с поверхности окна. В этом отношении оптимальным вариантом конструкции являются узлы со сварным соединением окон, которые можно подвергнуть обработке при максимальной температуре с целью удаления пленки с внутренней поверхности окна.1416005 5 10 15 20 25 30 35 40 45 БО формула иэ обретения Дальнейшее повышение температуры нагрева, например, до 540 С для ЛК позволяет снять напряжения в окнах, .Время выдержки 15-90 мин определяется, с одной стороны, временем,достаточным для удаления пленки(15 мин), с другой сторонй, временем,исключающим разрушение узла и дополнительное гаэовыделение для всех типов соединений (90 мин) (участок 4,фиг. 6). Для цельносварных...

Номер патента: 1475438

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Базилев, Бельский, Кодылев, Степанов, Трусов

МПК: H01S 3/034

Метки: активный, газового, лазера, элемент

...в выходндм узле с двойным кварцевостекляниым окном. Затем с помощью алмазного сверла в наконечниках выполняют углубление б, ось которого пересекается с . осью разрядного капилляра 1, смещенное вдоль большой оси эллипса отверстия капилляра 1 на рекомендуемую величину Ь, обеспечивающую пересечение оси капилляра с центром внутренней поверхности кварцевого окна, что позволяет максимально использовать его оптическую поверхность. После промывки разрядного капилляра 1 и сборки с электродами 2 и,З перед герметизацией основного окна 5 с полусФерическим наконечником 4 в углубление б устанав-ливают кольцевую гофрированную пружину 8 и кварцевое окно 7, которое после установления и поджатия к основному окну плотно контак 1 ирует с его...

Номер патента: 1419054

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Губа, Коржак, Крюков, Кучмий, Походенко

МПК: C01B 3/16

Метки: водорода, молекулярного, фотокаталитического

...1 мин и облучаютпри псремещивании видимым светомртутной лампы высокого лавгения ЛРШ1000 (длина нолны 310 нм, стеклянный фильтр). Количество образованщегося водорода определяют методом гаэоной хроматографии (хроматограф ЛЖ 18 И). Интенсивность падающего на композицию света измеряют Аерриоксалатнымактиноме 1 ром. Квантовый выход образования водорода определяют в условиях Сс стан композиции, мас.Х Са 8 1 С 1 С Н О 1 1 0,58 0,046 310 стаионарн 1 го р жима Фотор. вции,который лс стигается персз 0-15 минпос пачала 1 блучения. Ич гсинносттналанчего на кмпозипию света 9"ф 10 зйнщт. /ч. Кнантоный яыхол образования нолорола 397. В таблице прелставпены данные о влиянии добавкигилроокиси натрия на квантовый выходводорода. Формула изобретения...

Номер патента: 1419494

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Арбузов, Быстрицкий, Петров, Толмачева

МПК: H04H 5/00

Метки: ионная, пушка

...ларморовским окружностям, так что огибающая поверхность электронного пучка оказывается по диаметру несколько большей, чем диаметр отверстия в сетке 5. В результате часть электронного тока поп дающая на сетку (Фактически это ток потерь 1 я), протекает по спира" ли 6.Ток потерь (1 ) обычно составляюет 5" 103 от полного тока электронов.1419494 4 Для энергий электронов в диапазоне аноде ионной пушки это со:тавчяет 0,5-1 МэВ, ведущих магнитньгх попей " (О, 1-0, 2 ) д, Р а с е ты и о к;. э ь в а и т10 - и г(- О ) Гс и средних углов рас- что эквипотенциаль с потенциалом, втсеяния 10-20 срелние ларморовские личашимся от 4 на значение я у- радиусы для рассеянных на эти углы" (0,1-0,2)у 4 провисает внутрь отэлектронов лежат в диапазоне...

Номер патента: 1358736

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гречищев, Покидина, Сибирев

МПК: H02M 3/337

Метки: постоянного, постоянное

...ключа. Заряд конденсаторов1.С-фильтра происходит при выключенВ цом тнристоре 14 через резистор 17.ФТаким образом, изобретение поэволяе) испольэовать в качестве конденсаторов Фильтра энергоемкие конденИзобретение отцосцтгя к электро- тЕХЦИКЕ, В ЧаетЦОСтн,х ИСтОЧНИКаМ ицтапия радиоэлектронной аппаратуры.Цель. цзобретецця - упучшение эк 5 сплудтацпоццых характеристик, повышения КПД ц ца)тежцости преобраэова" тез)яПреобразователь содержит трехобмоточцыЛ трансформатор 1, регулирующий) транзистор 2, который включенцоследоватепьцо с первичной обмоткой3 трансформатора 1. Выпрямительподкл)Г)чац к вторичной обмотке трансфо).матора 1, к третьей. обмотке 5которого подключен модулятор 6, Входгенератора тактовых импульсов 7 сое-д це со с хе...

Номер патента: 1477205

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бельский, Власов, Привалов

МПК: H01S 3/083

Метки: газовый, кольцевой, лазер

...направлениях, Поэтому встречные волны одного индекса с совпадающими или близкими частотами взаимодействуют с одними и теми же атомами активного элемента. В этом случае генерация встречньо волн на одной и той же частоте становится невозможной как в случае одноизотопной, так и в случае двухиэотопной газовой147 У 205 формула изобретения Составитель О. НанийТехред А.Кравчук Корректор Т. Малец актор каэ 347 б аж одписно сударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ ССС 1130 ЭЭ, Москва, Ж-ЗЭ, Раушская наб., д. 4/Э Производственно-издательский комбинат "Патент", г,Ужгород, Ул, дглрнна, 1 О активной среды, из-за их сильной конкуренции.В то же время в кольцевом лазере при устранении параэитной амплитудной невзаимности и...

Номер патента: 1421207

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Васильева, Меркулов

МПК: H01T 2/00

Метки: газонаполненный, разрядник, управляемый

...1 и управляющим электродом 3 и промежутка между управляющим электродом 3 и основным электродом 2,Кривые изменения разброса времени запаздывания срабатывания в процессе наработки даны для управляемого разрядника для четырех значений 01 - %,01 - Ог О 2 010 О 3% Й- 0,6; 4 - О - О-= - О,7. Пробой зазора между управляюгцим электродом 3 и основным электродом 2 происходит между точками, чежагцими на поверхности управляюгцего электрода 3 вблизи кромки, обращенной в сторону основного разрядного промежутка, и точками, лежащими на поверхности конуса основного электрода,Увеличение рабочей поверхности электродов снижает эрозию материалов на единицу поверхности. Интенсивность эрозии приэтом в процессе наработки значительно снижается.Повьцценнс...

Номер патента: 1478570

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Губа, Коржак, Крюков, Кучмий, Походенко

МПК: C01B 3/00

Метки: водорода, молекулярного, фотокаталитического

...величину,равную 453.Влияние варьирования содержаниягетерогенного Фотокатализатора - сульФида кадмия в суспензии на выход молекулярного водорода приведено втабл.1,Влияние варьирования содержаниявводимого в суспензию четыреххлористого титана на выход молекулярного 20водорода приведено в табл.2.Влияние варьирования содержанияникеля Рэнея в композиции иа выходмолекулярного водорода приведено втабл.З. 25Влияние варьирования содержанияв композиции донора электрона " этилового спирта на выход водорода приведено в табл.4,Влияние варьирования содержания 30модификатора - гндроокиси натрия вкомпозиции на выход молекулярного водорода приведено в табл.5,Бланке варьирования содержаниямодификатора додецилсульфата натрия в композиции на выход...

Номер патента: 1478571

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Губа, Коржак, Кошечко, Крюков, Кучмий, Походенко

МПК: C01B 3/06

Метки: водорода, композиция, фотокаталитическая

...остальное. Восле этого суспензию дегазируют с помощью форвакуумного насоса в течение 1 мин и при переме 1 виваиии облучают светом ртутной лампы высокого давления ДРШ(400 нм 4 Я 6500 нм, комбинация светофильтров ИСи СС). Количество образовавшегося водорода определяют методом газовой хроматографии (хроматограф ЖИ-ВИД). Интенсивность падающего на композицию света составляет 1,44 к Ч 0 Эйншт/ч. Квантовый выход образования водорода определяют в услови" ях стационарного режима фотореакции, который достигается через 20-30 мин после начала облучения. Квантовый выход образования водорода имеет вели ииуф равную 70 масВлияние содержания металлического палладия в бифункциональном гетерогенном фотокаталиэаторе иа выход молекулярного водброда...

Номер патента: 317331

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Киселев, Пожарская, Пожарский

МПК: H01J 17/20

Метки: газоразрядный, прибор

...к уменьшению коэффициента, Это связано с тем, что в смеси водород-ксенон вследствие перезарядки на катод приходят ионы ксенона, имеющие меньшую по 1 ен еаееациальную энергию, чем ионы водорода, , Таким образом, при добавлении к водоРоду ксенона коэФфициент О данкен.еоэ- а растать (что способствует снижению напряжения горения), а коэффициент ф должен уменьшаться (что способствует повышению напряжения горения). При малых процентных содержаниях ксенона основное влияние на напряжение горения оказывает уменьшение коэф317331 ЛОО 200 фициента, так как даже небольшоипримеси ксенона ( 1 В) достаточнодля того, чтобы на катод приходилитолько ионы ксенона, тогда как коэффициентпри этом возрастает ещенезначительно. При высоких процентных...

Номер патента: 1074370

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Зенин, Мазур, Шапиро, Янчевская

МПК: H03K 5/153

Метки: импульсной, опережающего, последовательности, сдвига

...с информационнымивходами первого счетчика 2, Информационные выходы первого счетчика2 поразрядно соединены с информационными входами второго счетчика 3,а выход обратного переноса второгосчетцика 3 подключен к выходу 10устройства,Устройство работает следующимобразом,К-й импульс входной последовательности поступает на вход 8 устройства и через элемент 4 подаетсяна вход разрешения параллельной записи (Ч) счетчика 2 и переводит егов режим записи, В счетчик 2 заносится число Р, хранящееся в эле"менте 1, Первый тактовый импульс,приходящий после окончания К-тогоимпульса входной последовательности,на вход прямого счета +) счетчика2, переводит его в режим прямогосчета. Счетчик 2 начинает сложениечисла приходящих тактовых импульсовс числом...