Вакуумная электронно-плазменная установка

Номер патента: 1786692

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гнатенко, Ефименко, Ливитан, Меркин

МПК: H05B 7/22

Метки: анод, плазмотрона, электродугового

...Конфигурация проточек и их взаимное расположение способствует образованию вдоль стенок анодной части дугового канала, самой теплонапряженной его части, своевременной динамической газовой завесы, отстраняющей центральный высокотемпературный поток от стенок анода, в связи с чем снижаются тепловые потери в одной из самых ответственных конструктивных частей плазмотрона, снижается уровень эрозии стенок анода. Кроме того, привязка дуги в таком аноде осущестизвестных плазмотронах, Это способствует стабилизации длины дуги и условий ее горешению стабильности горения дуги и как следствие - повышению стабильности генерируемого газоплазменного потока вают оптимальные условия для достижения поставленной в изобретении цели,Действительно, если...

Номер патента: 1839875

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Бельченко, Костромин, Кошко, Кулешов, Лебедев, Любарский, Шмелев

МПК: B64G 7/00

Метки: вакуумная, исследования, оптико-электронных, устройств

Вакуумная установка для исследования оптико-электронных устройств, содержащая вакуумную камеру с размещенными в ней теплозащитными и криогенными экранами, криосорбционный насос, вакуумную систему предварительной откачки, соединенную с камерой посредством вакуумной арматуры, контрольно-измерительные приборы, отличающаяся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний путем уменьшения вероятности загрязнения легкоконденсирующимися веществами оптико-электронных устройств, а также экономии расхода криогенного теплоносителя, она снабжена приставкой, соединенной с вакуумной камерой в ее верхней части, причем криосорбционный насос расположен в указанной приставке, а переливные концы трубопроводов для подачи криогенного теплоносителя к...

Номер патента: 929332

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гулый, Иванов, Тихомиров, Шитов

МПК: B23B 1/00

Метки: механической

...мгновенного значения нагрузки на резец от средней величины 10 будет представлять собой сумму колебаний однократной и тройной частоты относительно нулевого уровня 11. Средняя по времени величина произведения при этом равна нулю,При отклонении среднего положения пятна нагрева в какую-либо сторону точек 6 или 8 нагрузка на резец будут уменьшаться при приближении пятна нагрева к положению 7, при этом колебания нагрузки на резец при отклонении в разные стороны имеют противоположные фазы, а частоты этих колебаний совпадают с частотой колебаний пятна нагрева, Произведения мгновенных значений отклонения нагрузки от средней величины 12 (13) при отклонении среднего положения пятна нагрева в сторону 6 (8) и мгновенные значения отклонения места...

Номер патента: 1797629

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Альфред, Антон, Гонде, Грегор, Даниэл, Клаус, Макс, Райнер, Роберт, Рольф, Фридрих, Ханс

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...с помощью ионного илиразличныхсортовионовполучаютсяразлич-, электронного луча не требуется высокого 20 ныеЛарморовские:.радиусы,с которымиотнапряжения (типичное напряжение источ- дельные сорта ионов":вращаются вокруг ника 80 В, типичное напряжение на мишени магнитных силовыхлинйй (напрймер; Аг = 4 700 В),:см, С см; принапряженности матнитПлазменный поток можно получать ного поля 100 Гс), Это позволяет разделять больших размеров и любой формы; Скайи различйыесорта.ионов металлов."рующее устройствоне требуется. БлагодаряСледует такжедобавить,"что"в;устройсттому, что плазменный поток сам по себе ве по ФигЛ, предусмотрен штуцер 38;черезвляется квазинейтральным, то управление который, вводится газ"в область между мим значительно...

Номер патента: 1782996

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Воеводин, Любимов, Романов, Тимофеев, Чмир

МПК: C23C 14/34

Метки: антифрикционного, ионно-плазменного, кольца, многослойного, нанесения, покрытия, поршневые

...величина искажений кристаллической решетки определяется соотношением радиусов атома примеси и поры, в которую он внедряется. В области упругих деформаций при малых концентрациях примеси внедрения (менее 0,81 ат.о. где с 1 и с 2- произвольные постоянные, определяемые из граничныхусловийО(I г-о=О Ог/(-ь =- Р, (18)где Ог =ОГ +оР,р-давление, сказываемоестенками цилиндра на кольцо.Используя формулы (11),(12)(18), имеемдля с и сздва уравненияС 1(1 + )Уо) С 2(1")Ио ) - 2 = 0110 а 2С 1(1 ;По ) С 2(1 - Яо ) - ж -р +1 1 Р 2 ооЬ 2 ЕоЬо - 2 Х Т(йг (1915 Ь аРешая проблему (19), получим6"о)(а)г,)(, (- .оТангенциальные напряжения имеютмаксимальное значение на рабочей поверх 2 б ности кольца, т.е. при г= Ь. Используя(17)и(20), имеем:.Е .6ярД а 4)1 Е...