Ржанов

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 480147

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Волков, Голубятников, Кузнецов, Ржанов

МПК: H01R 5/10

Метки: неразъемное, соединение, тонкостенных, трубчатых

...контакта между соединительной трубкой и оболочкой кабеля с помощью упруго-пластически деформируемой втулки.На чертеже изображено предлагаемо ройство, где: 1 - алюминиевые оболочк диняемых концов кабелей; 2 - алюмин соединительная гильза; 3 - опорная в (стальная); 4 - зона опрессова в лыми и вдавленными поясками;зивно-защитная паста.Соединение осуществляется следующим образом. В концы соединяемых кабелей под оболочку вводятся стальные опорные втулкидлиной, примерно равной длине зоны опрессования с толщиной стенок, равной примерно1,5 толщины стенок оболочки кабеля, затем5 на сросток надвигается алюминиевая соединительная гильза. Контактирующие поверхности предварительно зачищаются и смазываются абразивно-защитной пастой, после чего...

Номер патента: 320225

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Гаряинов, Ржанов, Хренов, Шергольд

МПК: H01L 3/00

Метки: матрица, полупроводниковая

...образованы в полосках монокристаллического кремния, предварительно покрытых пленкой диэлектрика. Это 30 позволяет выполнить и е межсоединепия (разводку) без паяных или сварных соединений и, таким образом, повысить надежность диодных матриц. Создание диодных структур в полосках монокристаллического кремния с малой плотностью дислокаций позволяет получить хорошую воспроизводимость параметров диодов в матрице. Низкоомный слой снижает рассеиваемые мощности, а уменьшение значений паразитных емкостей увеличивает быстродействие матрицы.На чертеже изображена предлагаемая матрица в разрезе,Матрица состоиг из диэлектрической подложки 1, например, из стекла, имеющей углубления, например полоски, заполненные моно- кристаллическим полупроводником...

Номер патента: 350176

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гор, Климашин, Мансуров, Ржанов, Талибов, Филиппов, Якушев

МПК: H03K 19/088

Метки: «и—или-не», логический, элемент

...в обратном направлении.Работа логического элемента, выполняющего функцию И - ИЛИ - НЕ Г=аб+сг 1, когда 1 высокому уровню, происходит следу 10- щпм образом.Прп отпирании входного транзистора 1, когда а=1, Ь 0, уровень открытого транзистора 1 недостаточен для отпирания выходного транзистора 3, поэтому ца выходе логического элемента появляется высокий уровень - 1. Уровни оа входах с и д це окажут влцянпя ца уровень выхода логического элемента. Аналогично прп с=О ц д=О открывается транзистор 2, ц ца выходе логического элемента возникает высокий уровень - 1.При всех друп 1 х сочетаниях логических уровней на входах а, Ь, с, д транзистор 3 открыт, и ца выходе логического элемента возсцикает низкий уровень 0, Диоды 4 и 5 смещения...

Номер патента: 347959

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Боков, Климашин, Кошель, Пожарский, Ржанов, Шкуропат

МПК: H05K 3/10

Метки: агрессивных, локального, металлов, осаждения, сред

...др., через однупользовать электрбавками, положитетуру осаждаемых10 я пов аску по час пр ет про ак ни ту же олпты с льно впленок нческо олимер ажденне о, медь акже исими доа струкдмет изобретения 1. Спосоо локального осаждения металловиз агрессивных сред через фоторезистивную 15 маску, сформированную на поверхности подложки, от.гичаюигийся тем, что, с целью обеспечения возможности последовательного электрохимического осаждения металлов в широком диапазоне рН электролитов при повышен ной температуре, перед нанесен:ем фоторезиста на поверхность подложки наносят пленку полимера, удаляемую в местах проявления фоторезиста.2. Способ локального осаждения металлов 25 из агрессивных сред по и. 1, отличаюгиийсятем, что в качестве полимерной...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/322

Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...

Номер патента: 232390

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/223

Метки: 232390

...исходной полупроводниковой пластины создается известными методами базовый слой, Затем на поверхности его создается пассивирующий слой, например окисла. Методами фотолитографии в пассивирующем слое открываются окна для выделения активной области. Затем выделяется область активной базы, и методами фотолитографии открываются эмиттерные окна.Эти операции сами по себе новизны не представляют, так как являются обычными, широко используемыми в диффузионнойтехнологии и применяемыми в той ке последовательности (меза-планарная технология). Далее идет операция одновременной диффузии примеси в эмиттер и обнаженные участки меза-столика базы, В результате такой диффузии получается планарная структура, так как на боковой поверхности меза-столика...

Номер патента: 146870

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Мамонов, Ржанов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающих, матричных, проверки, устройств

...через открытый ключ 17 типа И поступит на формирующий одновибратор 18 (переключатель 19 находится в положении 20). После возвращения одновибратора 4 в исходное положение ключ 2Ло 146870открывается, а ключ 3 закрывается. При этом импульсы через ключ 8 поступают на одновибратор 21 и на вход триггера 9. Процесс коммутации повторяется.Импульсы, полученные на выходах одновибраторов 8 и 21 и одновибраторов 22 и 18, подаются на схемы 23 и 24 типа ИЛИ. В результате обьединения импульсов схемами 23 и 24 на шинах 25 и 2 б получают две серни импульсов чередующейся полярности. Перек;почателем 19 полярность импульсов на шинах 25 и 2 б может быть изменена на обратную, Амплитуды импульсов, снимаемых с выходов одновибраторов 8, 22, 21 и 18...