H01L 3/00 — H01L 3/00

Номер патента: 320225

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Гаряинов, Ржанов, Хренов, Шергольд

МПК: H01L 3/00

Метки: матрица, полупроводниковая

...образованы в полосках монокристаллического кремния, предварительно покрытых пленкой диэлектрика. Это 30 позволяет выполнить и е межсоединепия (разводку) без паяных или сварных соединений и, таким образом, повысить надежность диодных матриц. Создание диодных структур в полосках монокристаллического кремния с малой плотностью дислокаций позволяет получить хорошую воспроизводимость параметров диодов в матрице. Низкоомный слой снижает рассеиваемые мощности, а уменьшение значений паразитных емкостей увеличивает быстродействие матрицы.На чертеже изображена предлагаемая матрица в разрезе,Матрица состоиг из диэлектрической подложки 1, например, из стекла, имеющей углубления, например полоски, заполненные моно- кристаллическим полупроводником...