Полупроводниковая матрица

Номер патента: 320225

Авторы: Гаряинов, Ржанов, Хренов, Шергольд

ZIP архив

Текст

Союз Советских Сониапистических Республик1) Зависимое от авт. свидетельств Заявлено 28.06.68 (21) 1253763(26-25 1) М. Кл. Н 011 3/00 с присоединением заявки Мд(32) ПриоритетОпубликовано 25,02.75. Боллстень МгДата опубликования описания 18.07.7 осуларственныи комитет овета Министров СССР по левам изобретенийи открытий(54) П Изобретение относится к вычислительнойтехнике и может использоваться в дешифраторах и в элементах постоянной памяти вычислительных машин,Известна кремниевая диодная матрица на 5сапфировой подложке. Однако эта матрицаимеет большой разброс параметров диодов,как следствие невозможности получения воспроизводимой по всей площади сапфировойподложки пленки монокристаллического кремния, большие рассеиваемые мощности, значительные паразитные емкости в местах пересечения токоведущих дорожек, ухудшающиебыстродействие матрицы, низкую надежностьиз-за большого числа сварок при коммутации 15диодов в требуемую схему и сложна в изготовлении.Цель изобретения - повысить быстродействие и надежность матрицы.Это достигается тем, что приборы коммутируются через низкоомный слой, расположенный на диэлектрической подложке и части полупроводника, из которого эти приборы изготовлены.В диэлектрическую подложку матрицы 25утоплены полости монокристаллического кремния заподлицо с верхней плоскостью подложки. Диодные структуры образованы в полосках монокристаллического кремния, предварительно покрытых пленкой диэлектрика. Это 30 позволяет выполнить и е межсоединепия (разводку) без паяных или сварных соединений и, таким образом, повысить надежность диодных матриц. Создание диодных структур в полосках монокристаллического кремния с малой плотностью дислокаций позволяет получить хорошую воспроизводимость параметров диодов в матрице. Низкоомный слой снижает рассеиваемые мощности, а уменьшение значений паразитных емкостей увеличивает быстродействие матрицы.На чертеже изображена предлагаемая матрица в разрезе,Матрица состоиг из диэлектрической подложки 1, например, из стекла, имеющей углубления, например полоски, заполненные моно- кристаллическим полупроводником 2, в частности кремнием. При этом стекло и кремний имеют близкие коэффициенты термического расширения. Лицевая сторона подложки и полоски монокристаллического кремния покрыты диэлектрической пленкой 3, например двуокисью кремния. В полосках кремния (строках) образованы диоды 4, которые связаны металлическими шинами 5. Диоды в строке соединяются по толщине полосок кремния, имеющих по краям контактные площадки 6, Для уменьшения сопротивления толщи полоски кремния отделены от подложки низкоомным слоем, например металлом,320225 Составитель А. Кот Техред О. Гуменюк Редактор В. Дибобес Корректор Н. Стельмах Заказ 1622/1 Изд.651 Тираж 833 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3Плотность компонОВки диОдОВ в предлагаемой матрице составляет 800 - 1 000 000 диодов в 1 см,Принцип работы предлагаемой матрицы не отличается от известной. Предмет изобретения Полупроводниковая матрица, содержащаядиэлектрическую подложку с выполненными в ней полупроводниковыми приборами, о тл ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повы 1 пения быстродействия и надежности матрицы, коммутация приборов осуществлена через низкоомный слой, расположенный на диэлектрической подложке и части полупроводника, из которого эти приборы изготовлены,

Смотреть

Заявка

1253763, 28.06.1968

Е. Н. Хренов, С. А. Гар инов, В. Г. Ржаное, Е. К. Шергольд

ХРЕНОВ Е. Н, ГАРЯИНОВ С. А, РЖАНОВ В. Г, ШЕРГОЛЬД Е. К

МПК / Метки

МПК: H01L 3/00

Метки: матрица, полупроводниковая

Опубликовано: 25.02.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-320225-poluprovodnikovaya-matrica.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковая матрица</a>

Похожие патенты