Пожела

Номер патента: 425097

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Бразис, Бурнейна, Ордена, Пожела

МПК: G01N 24/00

Метки: анизотропных, концентрацииносителей, полуметаллах, полупроводниках

...перпендикулярными этому направлению.20 Если зонная структура неизвестна, томожно провести измерения размерных гели- конных резонансов для различных кристаллографических направлений и определить концентрацию по тому кристаллографическо му направлению, для которого средняя циклотронная подвижность максимальна, а зависимость между резонансными значениями частоты и магнитной индукции прямолинейна,Таким образом, для измерения концентрации электронов в висмуте и его сплавах (на/ Ю Составитель В, ВощанкииТехред Е, Борисова Корректор И. Симкнна Редактор А. Батыгин Заказ 1713/472 Изд. Ма 782 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип, Харьк....

Номер патента: 420083

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Левитас, Молдавский, Пожела, Сащук

МПК: H03C 1/22

Метки: амплитудный, модулятор, сеточный

...напряжения.На чертеже показана схема предлагаемого модулятора.Модулятор содержит модулирующий каскад 1, к управляющему входу которого подключены задающий генератор 2, источник 3 модулирующего сигнала и источник 4 постоянного напряжения; магнитопровод с катушкой 5 индуктивности, гальваномагниторекомбинационный датчик б, ограничительный резистор 7 и разпязывающую катушку 8 индуктивности. Датчик, расположенный в зазоре магнитопровода с катушкой 5 индуктивности, включен между выходом источника модулирующего сигнала и управляющим входом модулирующего каскада. Одновременно датчик подключен к источнику постоянного напряжения.Ток модулирующего сигна,ча протекает по 5 катушке 5 нндуктивности, намотанной на магьитопровод, в зазоре которого...

Номер патента: 418817

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Вальтас, Левитас, Пожела

МПК: G01R 33/07

Метки: полей, постоянныхмагнитных, слабых

...качестве потокочувствительного элемента датчик э.д. с. Холла, помещенный в зазор концентратора, выполненного из материала с высокой магнитной проницаемостью. Концентратор снабжен периодически изменяющим его магнитную проницаемость замкнутым магнитопроводом с модуляционной обмоткой, подключенной к источнику переменного тока.Предложенное устройство отличается от известных тем, что грани с холловскими электродами потокочувствительного элемента имеют различные скорости поверхностной рекомбинации носителей тока. Концентратор выполнен с отверстием, в котором размещена модуляционная обмотка. Это позволяет увеличить чувствительность устройства и упростить его конструкцию.На чертеже представлена принципиальная схема предложенного...

Номер патента: 363043

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вители, Геч, Елизаров, Институт, Калинин, Литовской, Пожела

МПК: G01R 25/00, G01R 27/28

Метки: измеритель, невзаимных, сдвигов, фазовых, четырехполюсников

...через четырехполюсник, 7 - 10 - высокочастотные переключатели, 11 - испытуемый невзаимный четырехполюсник, 12 - тройники, 13 - квадратурный (90) восьмиполюсник, 14 - противофазный (180) восьмиполюсник, 15 - безынерционные измерители мощности высокого уровня, 1 б - согласованные нагрузки, 17 и 18 - схемы вычитания, 19 и 20 - синхронные детекторы, 21 и 22 - индикаторы с нулем в середине шкалы.Рассмотрим работу измерителя при измерении Ор (переключатели 10 и 11 находятся в положениях а и б соответственно).Сигнал СВЧ-геператора 1 подается через делитель 3 мощности в кольцевую схему, образованную элементами 4 - 8 и четырехполюсником 11, С выходов вторичных каналов левого ответвителя 5 и правого ответвителя б сигналы СВЧ, содержащие...

Номер патента: 362250

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Геч, Пожела, Репшас

МПК: G01R 21/06

Метки: мощности, свч-колебаний

...расположенная ца широкой стенке волновода в плоскости, перпендикулярной продольной оси волновода, а входы усилителя, выполненного по двухканальной схеме с общей нагрузкой, соединены с полупроводниковыми пластинами.Иа чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства.В волповоде 1 на его широких стенках симметрично смонтированы полупроводниковые пластины 2 с градиентом концентрации носителей тока и электродами 3. Один из электродов каждой пластины 2 соединен со стенкой 2волновода 1, а с другого снимается вцдеосцгнал, поступающий на вход двухканальногоусилителя 4, цмеюц 1 его непоказанную на чертеже общую нагрузку, к которой подсоединен 5 измерительный прибор 5.Работа устроцства заключается в следующем.Благодаря...

Номер патента: 356601

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Адомайтис, Гутерманас, Левитас, Пожела

МПК: G01R 33/00

Метки: осцйллографический, феррометр

...к осциллографическим феррометрам для определения магнитных характеристик веществ по петле гистерезиса.5Известны осциллографические феррометры, в которых развертка сигнала индукции или намагниченности для получения петли гистерезиса осуществляется напряжением, падающим на образцовом сопротивлении, включен ном в цепь тока, создающего перемагничивающее поле.При использовании в таких приборах леремагничивающих устройств, содержащих ферромагнитные сердечники, возникают трудно 1 компенсируемые фазовые искажения, резко снижающие точность определения коэрцитивной силы.Для уменьшения фазовых искажений и повьвшения точности определения коэрцитив ной силы предлагаемый феррометр снабжен датчиком, выполненным в виде полупроводниковой пластины,...

Номер патента: 355707

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 43/02

Метки: балансный, смеситель

...схема устройства.Балансный смеситель состоит из намагничивающей обмотки 1, намотанной на магнитопровод 2, в зазоре которого расположены полупроводниковые датчики 3 и 4, резисторов 5и б, источника постоянного тока 7, резонансного индикатора 8, источников переменноготока 9 и 10, разделительного конденсатора 11,ограничительного резистора 12 и входноготрансформатора 13.Полупроводниковые датчики 3 и 4 и резисторы 5 и б образуют мост.Сигнал от источника переменного тока 9 через входной трансформатор 13 подается на 3 диагональ моста, На другую диагональ подается постоянный ток от источника 7. Для балансировки моста изменяют соотношение резисторов 5 и б.Переменный ток от источника 10, протекая по намагничивающей обмотке 1, создает в...

Номер патента: 345948

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Нтно, Пожела, Топутис, Ука

МПК: G01N 27/04

Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках

...отличающийся тем, что, с целью стабилизации электрических параметров датчика и осуществления быстрой смены исследуемых образцов без отключения датчика от измерительной аппаратуры, индикационная катушка выполнена в виде держакоаксцальными тсабеляхтгт, а катушка возбуждения выполнена в виде съемной части датчика с контактной колодкой,25 явлено 09.1.1970 ( 1402 ата опубликования опи нститут физики полупроводн ДАТЧИК ДЛЯ БЕСКОНТОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам, предназначенным для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках.Известны датчики для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках, в которы.с исследуемый образец...

Номер патента: 339883

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4...

Номер патента: 318141

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H03B 15/00

Метки: генератор, низкочастотный

...при конструировании генераторов, предназначенных для измерительных целей.Известны низкочастотные генераторы, содержащие мапнитопровод с катушкой индуктивности, полупроводниковый датчик, расположенный в зазоре магнитопровода и соединенный с катушкой индуктивности, конденсатор, ограничительный резистор, фазосдвигающий конденсатор и источник постоянного тока,Однако эти генераторы имеют малый выходной ситнал,Целью изобретения является увеличение амплитуды выходного сигнала.С этой целью полупроводниковый датчик выполнен в виде пластинки, две противоположные грани которой имеют различные скорости рекомбинации носителей тока.На чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства.Генератор составит из катушки 1 индуктивности,...

Номер патента: 308390

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуога, Кальвенас, Климка, Пожела

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, потенциала

...полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, по следнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы 15 экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и одно значно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.Цель изобретения заключается в повыше нии чувствительности измерения, в возможности...

Номер патента: 304594

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жебрюнайте, Изобрете, Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела

МПК: G06G 7/162

Метки: иблиогека

...11.Одно из умножаемых напряжений подается на катушку 1 через выводы 2 и 3. Второе умножаемое переменное напряжение подается на модуляционные пластины 8 и 9, расположенные перпендикулярно направлению прохождения тока .ерез потокочувствительный ГМР датчик и параллельно направлению магнитного поля. Напряжение источника постоянного тока подается на цепь, состоящую из нагрузочного сопротивления б и потокочувствительного ГМР датчика гочерез контакты 10 и 11.Электрический сигнал, выражающий результат умножения, снимается с конденсато 5 ра 6. Под воздействием магнитного поля к- тушки индуктпвности в потокочувствнтельномгальваномагниторекомбннационном датчикепроисходит изменение скорости рекомбинации носителей тока на поверхности полупро 0...

Номер патента: 321925

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H03H 9/24

Метки: фильтр, электрический

...в предлагаемом устройстве полупроводниковый датчик выполнен в виде пл астины, противоположные плоскости которой имеют различные скорости рекомбинации носителей тока, а катушка индуктивности связана с полупроводниковым датчиком через дополнительный тсонденсатор,На чертеже дано предлагаемое устройство.Катушка 1 индуктивностипараллельно которой подсоединен конденсатор 2, размещена на магнитном сердечнике 3, выполненном,с зазором 4. В последнем установлен полупроводниковый датчик 5, выполненный в виде пластины, противоположные плоскости которой имеют раносителей токстор 5 с исМежду кату5 конденсаторконденсатораксхтбинацииложных плосдобротность ф0 упрощении. зличные а. Датч точникох шкой 1 рекомбинации ан через резиоянного тока. ом 5...

Номер патента: 280664

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитометра, трехкомпонентного, чувствительный, элемент

...рекомбинации носителей тока, расположеных па гранях держателя, выполненногов виде куба, причем грани датчиков с большей рекомбинацией параллельны граням куба, а направление электрического тока всех трех компонентов взаимно перпендикулярно.На чертеже представлена схема описываемого чувствительного элемента.Чувствительный элемент состоит из шести гальваномагниторекомбинационых датчиков 1 - б, имеющих различную скорость поверхностной рекомбинации носителей тока и расположенных на гранях держателя 7, выполненного в виде куба. Заштрихованные поверхности изображают датчики с большей скоростью рекомбинации.Сопротивление гальваномагниторе ционных датчиков зависит от напря магнитного поля и от ориентации в последнем датчика.Максимальное...

Номер патента: 254601

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Пожела, Толутис

МПК: H01F 19/04

Метки: высокочастотный, трансформатор

...отличающийся тем, что, с целью придания вентильных свойств, сердечник выполнен в виде квадратной полупроводниковой пластинки из монокристалла Хп% п-типа, установленной между полюсами постоянного магнита, а входная и выходная обмотки расположены под углом, близким к прямому, причем их начальные выводы соединены одни с другими через сопротивление, а конечные - накоротко,Изобретение относится к высокочастотнои технике передачи сигналов, в частности к устройствам высокочастотных трансформаторов.Известны высокочастотные трансформаторы, содержащие сердечник, входную и выходную обмотки.С целью придания вентильных свойств в предлагаемом высокочастотном трансформаторе сердечник выполнен в виде квадратной полупроводниковой пластинки из...

Номер патента: 247406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 3 и нулевой индикатор 4. Трансформатор 3 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичноц обмоткой трансформатора 1 и первичноц обм откой тр анс форм атор а 3.Напряжение, поданное на...

Номер патента: 244435

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Банис, Математики, Пожела

МПК: G01R 19/00

Метки: амплитуды, второй, гармоники

Номер патента: 232374

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Геч, Пожела, Репшас

МПК: G01R 21/04

Метки: 232374

...непы или стеПредмет из о б электри ленных ни кает рая пр воду мо ключае пластин тени рисоедииением заявки М Известное устройство для измерения мощности СВЧ-колебаний, содержащее полупроводниковый датчик, установленный в волноводе, по которому распространяются измеряемые СВЧ-колебания, и подключенный к датчику измерительный прибор, требует применения источника питания датчика, нестабильность напряжения которого приводит к снижению точности измерения.Предлагаемое устройство отличается тем, что в качестве полупроводникового датчика используют полупроводниковую пластину с градиентом концентрации носителей тока, снабженную на концах электродами, служащими для непосредственного подключения к ним измерительного прибора.Это позволяет упростить...

Номер патента: 219870

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Валацка, Левитас, Пожела

МПК: G06K 7/14

Метки: изображений, оптических, преобразования, сигналы, электрические

...изображени м тени Устройство для прео изображений в электри жащее источник света чающееся тем, что, с ствительности и упрощ ройства, в нем в кач пользован полупрозрач никовый датчик, распол ником света и преобра вания оптическихсигналы, содеротодатчи к, отлиповышения чувконструкции устфотодатчика ис- фотополупроводный между источм изображением. ВХОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ публтсковано 14,71,1968. Бюллетень1 Известны устройства для преобразования оптических изображений в электрические сигналы, содержащие источник света и фотодатчик.Предложенное устройство отличается тем, что в нем в качестве фотодатчика использован полупрозрачный фотополупроводниковый датчик, расположенный между источником света и преобразуемым изображением.Это...

Номер патента: 176611

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Левитас, Могильницкий, Найденов, Пожела

МПК: H03H 7/18

Метки: фазовращательное

...ния исполщательн фаз ем тем, ч кач ест зуется5 ЗМЕНЕ- ии, От 1-1 апря электром определяПропорци женностьгнита 5,тся управонально 1 агнитно поля в зазоре щен датчик 1, пряжением Ьь кен ности изм екуда поме ляющим н той пап ря 1 Я КОН отивлеацион 7 одпаснпя группа рисоединением заявки М В известных конструкциях фазовращательных устройств для электрического управления изменением сдвига фаз требуются сложные электронные схемы.В целях упрощения конструкции, предлагается фазовращательное устройство для электрически управляемого изменения сдвига фаз на основе емкостно-омической цепи, причем в качестве омического сопротивления используется магнитно-концентрационный-рекомбинационный датчик - полупроводник, поверхности которого имеют различную...

Номер патента: 175535

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вар, Левитас, Математики, Пожела

МПК: H03C 7/02

Метки: излучения, инфракрасного, модулятор, свч

...составПодписная группа М 89 с присоединением заявки ЖПриоритет Известен магцитно-концентрационный модулятор, в котором глубина модуляции зависит от степени изменения электропроводцости полупроводника путем создания ца его поверхностях, и.,1 еющих различную скорость поверхностной рекомбинации носителей тока, поперечной разности поте 1 щиалов с помощью магнитного поля.Предлагается янизотропцо-концентрационный модулятор, в котором модуляцию уровня мощности в сверхвысокочастотцом и инфракрасном диапазоне производят, используя ацизотропцые свойства проводимости полу. проводника в сильном электрическом поле.Полупроводниковая пластина модулятора 1:зготавливается, например. из моцокристалла германия в Н- или П-образной форме так, что широкие...

Номер патента: 175267

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Левитас, Могильницкий, Пожела

МПК: G11B 5/33

Метки: головка, магнитная, потокочувствительная

...напряжения на контактах полупроводникового датчика. Потокочувствительная отличающаяся тем, что, чувствительности, в ней щнй свое сопротивление концентрационному эфф вый датчик, две противо ные магнитному полю г различную скорость пове ции носителей тока. магнитная головка, с целью увеличения скол.,зован изменяю- благодаря магннтоекту полупроводннкоположные параллель- рани которого имеют рхностной рекомбина 0 одписная груггга Лэ 1 Известны потокочувствительные магнитные головки с полупроводниковыми датчиками.В предложенной головке для повышения чувствительности использован изменяющий свое сопротивление благодаря магнитоконцентрационному эффекту полупроводниковый датчик, противоположные параллельные магнитному полю грани которого имеют...

Номер патента: 146806

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вебра, Пожела

МПК: H03C 7/02

Метки: импульсов, несущей, свч, удвоением, частоты

...разогревания электронов полупроводника в электрических полях. Эффект разогревания электронов приводит к практически безынерционному увеличению сопротивления полупроводника с ростом электрического поля, Сопротивление полупроводника в СВЧ поле меняется дважды за один период колебаний, так как эффект разогревания электронов не зависит от направления изменения поля. Если к полупроводнику прикладывается еще постоянное поле, то он оказывается источником излучения СВЧ колебаний с двойной частотой относительно частоты возбуждающего поля СВЧ, Прикладывая к полупроводнику напряжение в виде коротких импульсов, получают СВЧ импульсы с точно двойной частотой по отношению к основному сигналу.Предложенный способ был проверен экспериментально на...

Номер патента: 141521

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вебра, Пожела

МПК: G01R 17/02, G01R 21/10

Метки: волноводный, измеритель, импульсной, мощности, проходящей, свч

...через сопротивление 4. Делительность этих импульсов превышает паузу между измеряемыми импульсами. Импульсный вольтметр 5 с ограничителем снизу пропускает только импульсы, вызванные СВЧ мощностью.Для поддержания постоянной температуры расположенного в волноводе полупроводника через него пропускают постоянный ток, выра. батываемый источником б и регулируемый с помощью мостовой схемы, в одно из плеч которой включен исследуемый полупроводник. Регулирование температуры осуществляют автоматически.Регулятор температуры позволяет производить измерения мощно. сти от температуры жидкого азота до температуры 50 и выше, если использовать полупроводниковые датчики, выполненные из кремния.До 141521 Ог(исанн(Й волноводныЙ измсритсль мОже( наЙти...

Номер патента: 136799

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вебра, Пожела

МПК: G01R 21/12

Метки: импульсной, мощности, полупроводника, помощью, проходящей, свч

...рокой стенке волно соб измерения импульснои п полупроводника, О т л и ч а ю щ гости измерений, расширения я процесса измерения, монино ом поле сопротивления вале ведения через отверстие в ш чупроводника. Спо мощью ния точ рощени трическ путем в ного по Для измерения больших мощпользуются в основном два спосоческий, Оба они не являются дческий - громоздок.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет увеличить точность измерений, расширяет рабочий диапазон частот и упрощает процесс измерения, Это достигается тем, что мощность измеряют по изменению в электрическом ноле сопротивления валентного полупроводника, например, иглообразной формы, вводимого в волновод через отверстие в его широкой стенке.Сущность способа основана...

Номер патента: 123351

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Пожела, Толутис

МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02 ...

Метки: диодов, матриц, пленочных

...алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена...