Валацка

Номер патента: 1241120

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Базилянский, Валацка, Веркялис, Левченко, Мажейкис, Фесенко, Шарнопольский

МПК: G01N 27/72

Метки: газоанализатор, компенсационный, магнитомеханический

...находится в таком положении, что свет источника 4 света проходит окно 7, отражается от поверхности сферического зеркала 3 и через окно 7 подается на Фотоприемники 6, освещая примерно половину площади каждого (фиг.1 и 2). При наличии в анализируемой газовой смеси парамагнитных компонентов, например кислорода, возникает момент вращения, воздействующий на ротор 1. В результате ротор 1 начинает поворачиваться вокруг оси подвеса О и луч света излучателя 4, отраженный от зеркала 3, начинает перемещаться по поверхности фотоприемников 6, На выходе ранее сбалансированного усилителя 8 возникает сигнал, который через выходную схему 11 поступает на компенсационную обмотку 2. Созданный в результате магнитоэлектрического. взаимодействия...

Номер патента: 940025

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Валацка, Венгалис, Лидейкис

МПК: G01N 25/02

Метки: превращений, температур, фазовых

...пластинами до образования теплового контакта меж ду образцом и пластинами. К образцу прижимают слой термопары 2. Корпус помещают в печь и, нагревая, либо охлаждая его, измеряют ЭДС между внешними контактами полупроводниковых пластин. При медленном нагревании, либо охлаждении температуры образца и полупроводниковых пластин практически одинаковы и градиент температуры в них отсутствует, вследствие чего ЭДС на выходе равна нулю, В момент фазового превращения в образце выделяется, 30 либо поглощается теплота превращения, которая приводит к появлению разницы температур между внутренними и внешними сторонами полупроводниковых пластин и возникновению в них объемной термо-ЭДС, Поскольку в полупроводниках различного з 5 типа проводимости объемные...

Номер патента: 862228

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Бакутис, Валацка, Книшевский, Скробот, Шприц

МПК: G11B 27/00

Метки: информации, маркирования, носителе

...шахматном порядке первым прозрачным (непрозрачным) участком одной из синхродорожек отмечают начальную границу зоны синхроси гнала, а последним прозрачным (непрозрачным) участком другой отмечают конечную границу зоны синхросигнала.На чертеже изображен отрезок носителя и показано размещение дорожек на носителе,Для реализации предлагаемого способа на носитель 1 наносят две синхродорожки 2 и основные дорожки 3, на которых единицыи нули, информации записывают в виде прозрачных и непрозрачных участков 4. Информацию записывают на носитель зонами 5, между которыми оставляют межзонные промежутки 6. Прозрачные и непрозрачные участки синхродорожек 2 размещают в шахматном порядке; при этом прозрачным (непрозрачным) участком одной из дорожек 2...

Номер патента: 777415

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Валацка, Книшевский, Левитас, Минцерис

МПК: G01B 21/00

Метки: измерительный, перемещений, фотоэлектрический

...пластин, расположены между источником 2 света и измерительной решеткой 7, смещены друг относительно друга на четверть шага решетки и соединены с источником питания / и блоком обработки б.Преобразователь работает следующйм образом,Параллельный световой поток от источника 2 света и конденсора 3 направляется на полупрозрачные полупроводниковые фоточувствительные элементы 4 и б, Пройдя через них, световой поток падает на штри/Составитель Б. ПотаповЗаказ 1470/1477 Озд.р 45 ТНПО Поиск Государственното комитета СССР по113035, Москва, Ж 35, РаушскаяФТип. харьк, фил, 6 ред" ,Па+ЪА 4 М й Щ ".," -К. ьЬгс; дй.Й. . мюжффсайдагЛЙ уаь Корректор И, Осинввскаяираж 810 . Подписноеделам изобреи открытий"наб, д. 4/5 тении еить1 1. г., -, ф хи...

Номер патента: 736133

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Бакутис, Валацка, Леонас, Патеюнас, Скробот, Шприц

МПК: G06K 7/14

Метки: считывающее, фотоэлектрическое

...положение, при котором на ключи 8 поступает уровень напряжения, открывающий ключи 8, и средние точки делителей напряжения оказываются подключенными к шине нулевого потенциала, а в элементах 2 И-ИЛИ 6 разрешается прохождение сигнала непосредственно с выходов усилителей 5.Перфокарта 2 устанавли вается между осветителем 1 и блоком 3 фотоприемников и поочередно с помощью коммутатора 4 сканируются ее позиции или колонки, при этом уровень сигналов с выходов фотоприемников определяется той частью делителя напряжения 9, которая включена между входом усилителя 5 и шиной нулевого потенциала, и этот уровень выбирается таким, чтобы обеспечить надежное фиксирование нулевого и единичного сигнала, считанного с перфокарты. Далее информационные...

Номер патента: 645098

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Валацка, Гарбаравичюс, Мачюлайтис, Мишкинис

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости

...(С =- О).Процесс измерения емкости происходит 5следующим образом.При нарастании тока (ветвь 1) до значения У,л конденсатор, к которому подключен полупроводниковый прибор, заряжается до напряжения включения У,л указанного прибора. После включения полупроводникового прибора (ветвь 2) конденсаторчерез него разряжается и напряжение наобоих элементах становится равным остаточному напряжению Уост В случае уменьщения тока, т, с. по обратному ходу петлигистерезиса (ветвь 3), происходят выключение прибора и скачкообразное увеличениенапряжения на нем.Измеряя ток выключения при подключении указанного полупроводникового прибора к измеряемой емкости и зная зависимость 7 выкл. -- 1 С), можно определить значение этой емкости,При измерении емкости...

Номер патента: 582518

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Бакутис, Валацка, Леонас, Патеюнас, Скробот, Шприц

МПК: G06K 7/14

Метки: информации, перфокарт, считывания

...к источнику 2 питания и оптическисвязанный через призматический световод 3,отражатель 4, рассеиватель 5 света, апертур 10 ные пластины б, 7 с блоком 8 фотоприемников. Перфокарта 9 устанавливается междуапертурными пластинами б, 7.Работает устройство следующим образом,При включении источника 2 питания вклю 15 чается осветитель 1 и световые лучи распространяются по призматическому световоду 3,гретерпевая многократное отражение как ототражателя 4, так и от плоскости, соприкасающейся с рассеивателем 5 света, до тех пор,пока угол падения световых лучей на этуплоскость не достигает определенного критического значения и лучи под определеннымуглом выходят из призматического световода3. Рассеиватель 5 рассеивает световые лучи,образуя...

Номер патента: 502301

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Бакутис, Барейкене, Валацка, Венисловене

МПК: G01N 25/16

Метки: герметического, коэффициента, линейного, расширения

...ла изобретсн Способ опреде циента линейног го слоя матери 20 подложку с из деформации изги ка, возникающег отличающий щения точности,25 ложки с равным сти, но с различи чины деформацического коэффия (ТКЛР) тонкоанесения его наР и регистрации образец-подложнии температуры, с целью повыриал на две под модуля упруго- и измеряют велиих систем. ления терми о расширени ала путем н вестным ТКЛ ба системы о при измене ся тем, что наносят мате и значениям ыми ТКЛР и изгиба обо Изобретение относится к способам и вания материалов с помощью те средств, Оно применимо к объектам тонких слоев и пленок.Известен способ определения терми коэффициента линейного расширения тонкого слоя, нанесенного на подлож вестным ТКЛР, основанный на реги изгиба...

Номер патента: 398847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Валацка, Мачюлайтис, Мишкинис

МПК: G01L 9/06

Метки: переключатель, полупроводниковый, тензочувствительный

...пр. слой Я типа. Образуется седловина профиля напряженности электрического поля. Генерация носителей происходит в двух областях, где электрическое поле максимально, а между ними образуется шнур тока высокой плотности. Напряжение на структуре падает скачком.При дальнейшем увеличении напряжения смещения увеличивае 1 ся диаметр шнура и плотность тока в нем (участок малого по модулю значения ОДС), Таким образом, ток шнура является током лавинного умножения аналогично случаю структуры р+ - Я - л, Рабочая точка задается на участке ВАХ прибора, соответствующем его включенному состоянию. Давление прикладывается перпендикулярно к плоскостям переходов. Так как ток шнура является лавинного происхождения, то его значение зависит от величины...

Номер патента: 326700

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бразис, Валацка, Институт, Мачюлайтис

МПК: H03C 1/48

Метки: амплитудный, модулятор

...сигналами в диапазоне частот несущей от 1 - 1000 Мгц.Известны амплитудные модуляторы, содержащие полупроводниковую пластину, помещенную в магнитное поле, и источники модулирующего и модулируемого сигналов. Однако известшле модуляторы не обеспечивают модуляции быстропеременным сигналом.Целью изобретения является увеличение быстродействия.Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например, р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения. На чертеже показан п тудный модулятор. Основой модулятора я пиковая пластина 1 с п р-п типа, помещенная в пое поле электромагнита кие плоскости перпендик виям...

Номер патента: 283429

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бакутис, Валацка, Левитас

МПК: H01J 31/50

Метки: изображения, онтического, преобразования, сигнал, электрический

...света и полупрозроводниковый элемент, расподу источником света и поверхражением объекта,На чертеже изображена схема ного устройства.Устройство содержит источник тополупроводниковый элемент 2 на прозрачную диэлектрическую и выходной измерительный при проводниковый элемент состоит несенных при,помощи последова парения в вакууме слоев, .из кото гирован соответствующей примес ды 5 наносятся также в вакуум испарения серебра или золота. АЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКОГОТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ Устройство работает следующим образом.Свет от источника 1 проходит через прозрачную подложку 3 и через полупроводниковый элемент 2. При этом на электродах б суммируются фотонапряжения, возникающие в нижнем и верхнем слоях, и поскольку эти фотона пряжения противоположной...

Номер патента: 262978

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Валацка, Левитас, Могильницкий, Хазанр, Шикудит

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее

...одниковоготолщиной особностью малы. При менно считени ет изо на люмине иния растр Изобретение относится к вычислительнои технике.Известны запоминающие устройства, состоящие из люминесцентной панели с растром, кодовой маски с нанесенной на нее информацией и фотопреобразователя.Цель изобретения - уменьшение габаритов запоминающего устройства, Она достигается тем, что фотопреобразователь, помещенный параллельно люминесцентной панели, выполнен в виде пластинки, покрытой тонкой полупроводниковой пленкой, на которую нанесен растр, расположенный перпендикулярно растру люминесцентной панели.Устройство схематически изображено на чертеже. Оно состоит из люминесцентной панели 1 с растром, кодовой маски 2 с нанесенной на нее информацией, и...

Номер патента: 219870

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Валацка, Левитас, Пожела

МПК: G06K 7/14

Метки: изображений, оптических, преобразования, сигналы, электрические

...изображени м тени Устройство для прео изображений в электри жащее источник света чающееся тем, что, с ствительности и упрощ ройства, в нем в кач пользован полупрозрач никовый датчик, распол ником света и преобра вания оптическихсигналы, содеротодатчи к, отлиповышения чувконструкции устфотодатчика ис- фотополупроводный между источм изображением. ВХОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ публтсковано 14,71,1968. Бюллетень1 Известны устройства для преобразования оптических изображений в электрические сигналы, содержащие источник света и фотодатчик.Предложенное устройство отличается тем, что в нем в качестве фотодатчика использован полупрозрачный фотополупроводниковый датчик, расположенный между источником света и преобразуемым изображением.Это...