Бразис

Номер патента: 1122279

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Бразис, Лабоцкий, Селезнев, Шаравин

МПК: A01K 5/00

Метки: дозированной, подачи

...1 изображено устройство для дозированной подачи материала; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. на фиг, 3 - разрез Б-Б на фиг, 1.Устройство для дозированной подачи материала включает связанный с бункером (не показан) ленточный транспортер 1 с приводным 2 и натяжным 3 барабанами, с загрузочным 4 и выгруэочным 5 лотками, а также средство разравнивания материала, выполненное в виде установленной с возможностью перемещения в вертикальной плоскости посредством ролика 6 холостой ветви 7 ленты 8 транспортера 1, приводной 2 барабан которого, связанный с механизмом 9 привода, закреплен вертикально.Транспортер 1 заключен в охваты вающий его цилиндрический кожух 10.Ролик 6 закреплен в пазах 11 цилиндрического кожуха 10 и пластинах 12 с. возможностью...

Номер патента: 1054231

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Бразис, Лабоцкий, Песецкас, Селезнев, Шаравин

МПК: B65D 88/64

Метки: бункерах, сводообрушения

...звкреппена на ввпу 1, Ротор 4смонтирован на валу 1 с возможностьюповорота и поцпружинен носрецствомпружины 9, которая оцним концом закреп-"0пена на валу, а вторым опирается на ротор 4. Пружину 9 при сборке устройствамонтируют в нескопько напряженном(закрученном) состоянииЭто цостигаеъся путем поворота ротора относитепьно 55вапа. После этого попожение ротора отьноситепьно вапа фиксируют посрецствомпальца 10, который звлрессовывают в 31 2вап 1 через пазы, выполненные в роторе 4, Благодаря наличию пазов в рого ре 4 он имеет возможность проворачиваться топько лишь в напрввпенни аовпапающем с нвправпением закручивания пружйны в прецепах, опрецепяемых цпиной паза. Далее нв вап крепят крестови ну 8,прецваритепьно поместив в пазы...

Номер патента: 496623

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Бразис, Миронас

МПК: H01P 1/20

Метки: интерференционный, фильтр

...величины магнитной индукции.При подаче на вход интерференционного фины ра электромагнитной волны с круговой Изобретение относится к сверхвысокьчастотной (СВЧ) радиотехнике.Известен интерференционный фильтр, содержащий отрезок круглого волновода с установленными в нем чередующимися пластинами из диэлектрического и полупроводникового материала, плоскости которых перпендикунярны к оси волновода, и соленоид,Цель изобретения - уменьшение прямыхи увеличение обратных потерь, 10Для этого пластины выполнены с отверсьтиями по оси волновода, в которые установлен диэлектрический стержень,На чертеже схематически изображен интерференци онный фильтр, 1 бВ отрезке круглого волновода 1, перпендикулярно к его оси, установлены пластины2 и 3 из...

Номер патента: 425097

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Бразис, Бурнейна, Ордена, Пожела

МПК: G01N 24/00

Метки: анизотропных, концентрацииносителей, полуметаллах, полупроводниках

...перпендикулярными этому направлению.20 Если зонная структура неизвестна, томожно провести измерения размерных гели- конных резонансов для различных кристаллографических направлений и определить концентрацию по тому кристаллографическо му направлению, для которого средняя циклотронная подвижность максимальна, а зависимость между резонансными значениями частоты и магнитной индукции прямолинейна,Таким образом, для измерения концентрации электронов в висмуте и его сплавах (на/ Ю Составитель В, ВощанкииТехред Е, Борисова Корректор И. Симкнна Редактор А. Батыгин Заказ 1713/472 Изд. Ма 782 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип, Харьк....

Номер патента: 326700

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бразис, Валацка, Институт, Мачюлайтис

МПК: H03C 1/48

Метки: амплитудный, модулятор

...сигналами в диапазоне частот несущей от 1 - 1000 Мгц.Известны амплитудные модуляторы, содержащие полупроводниковую пластину, помещенную в магнитное поле, и источники модулирующего и модулируемого сигналов. Однако известшле модуляторы не обеспечивают модуляции быстропеременным сигналом.Целью изобретения является увеличение быстродействия.Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например, р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения. На чертеже показан п тудный модулятор. Основой модулятора я пиковая пластина 1 с п р-п типа, помещенная в пое поле электромагнита кие плоскости перпендик виям...