Патенты с меткой «плазмой»

Номер патента: 172411

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аскарь, Рабинович

МПК: H05H 1/00

Метки: горячей, заполнения, ловушек, магнитных, плазмой

...целью повышения эффективно вания лазера для получения р высокотемпературной плазмы,10 нагрев порции вещества в фоку шестнляюг в магнитном поле рое удерживает быстрые ионы,при газодинамнческом разлете самым увеличивают эффектив 15 действия ионов, ускоренных эле лением.н ышение эфгх ловушек путем ионна в фокусе обу повмагнитньвляетсявеществловушки.и удерж агаемому спозаполненияазмой осущесгрена порциигнитном полее поле ловуш фективност горячей пл зации и на лазера в маМагнитно ивает оыс одггисная гругггга9 г Известен спосоо заполнения магнитных ловушек горячей плазмой, Однако его использование требует достаточно больших токов ускоренных частиц и трудно осуществимого сильного диссоциирующего или ионизующего воздействия на них...

Номер патента: 533268

Опубликовано: 25.06.1977

Автор: Демин

МПК: G01J 3/22

Метки: анализатор, многоканальный, плазмой, рассеянного, света, спектра

...в наклонные, сходящиеся на поеерхности узкополоного ингерференционного светофильтра (УПИСФ) 7. УПИСФ, имеющий центральную длину волны пропускания Хо, соответствующую длине волны лазерного излучения, располагается в фокальной плоскости линзы 6. Для того, чтобы основные параметры светофильтра такие, как коэффициент пропускания в полосе пропускания заметно не отличались лля каждого из наклонных лучей, радиус Я и фокусное расстояние линзы 6 Р избираются такими, чтобы что соответствует отклонению центральной длины волны пропускания лля крайнего из наклонных лучей от Х на величинуЬ= 001 1 о,20 25 30 35 40 45 50 С другой стороны, угол схолимости каждого из лучей на поверхности светофильтра не должен превышать 3, при этом осповпы параметры...

Номер патента: 1492247

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Дудников, Карташева

МПК: G01N 21/73

Метки: введения, индуктивно, плазмой, порошковой, пробы, разряд, связанной, установках

...Соста Техре едакто ркове Заказ 3ВНИИПИ Т 789а но изобретени Ж5, Раушская одписноеи открытияб., д. 4/5 дарственного коми 113035, Моск при ГКНТ ССС Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина 101е лать ламинарным. На оси горелки изза наличия трубки создается разрежение, поэтому ламинарный газовый поток сжимает облако пробы, что обеспечивает ее поступление в аналитическую зону точно по оси горелки, а также исключает попадание пробы на стенки горелки.Время анализа определяется временем испарения оболочки, которое составляет доли секунды, это обеспечивает экспрессность анализа. 5 Формула изобретения Способ введения порошковой пробыв разряд на установках с-индуктив 1 О но связанной плазмой, заключающийсяво...

Номер патента: 1601244

Опубликовано: 23.10.1990

Автор: Гончаров

МПК: D06B 19/00

Метки: низкотемпературной, плазмой, процессом

...соединена с соответствующей секцией электрода 2, а другой вьвод заземлен. Входные обмотки 23 высоковольтного трансформатора 20 соединены последовательно между собой и подключены к выходу генератора 3 импульсов,Такая конструкция устройства обеспечивает равномерное дозирование энергии на каждый электрод и, соответственно, равномерную плотность плазмы по всей ширине зоны обработки, Кроме того, электроды 1 и 2 имеют непосредственный контакт с материалом, в результате чего достигается более интенсивная обработка его поверхностии до минимума снижаются потери энерг и вокружающую среду.Выполнениеустрдйства(фиг, 3) возмож 5 но также с использованием верхнего электрода в виде заземленного металлическогоэкрана 6, изготовленного из...

Номер патента: 1648669

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Алиханов, Умрихин

МПК: B23K 10/00, H05H 1/00

Метки: импульсной, плазмой, поверхностной

...в основном, в виде излученияа также за счет теплопроводности плазмы, Так как разряд в пристеночной плазме является основным источником диссипации энергии, а пристеночный слой плазмы тонкий. практически вся энергия, 1648669)переданная в разряд, поступит на обрабатываемую поверхность как в случае радиационного, так и теплопроводностногоканала передачи энергии,Таким образом КПД передачи энергии 5от источника в модифицируемый слой оказывается достаточно высоким,Для того, чтобы магнитоприжатый разряд(МПР) в плазме мог существовать в коаксиальной камере с металлическими 10поверхностями, необходимо, чтобы толщина МПР была меньше зазора между обрабатываемыми поверхностями и времядиффузии тока иэ слоя в металле должнобыть больше времени...

Номер патента: 1712325

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бражник, Захарова, Кистенев, Лелеков, Малышев, Мостовой, Никитин, Солинов

МПК: C03B 29/00

Метки: высокочастотной, индукционной, плазмой, поверхности, стеклоизделий, термополировки

...лия. Как установлено, оптимальный тепло 5000 Квосевом сечении,.повторяющейфар- вой поток и максимальная площадь1712325 Таблица 1 Выхо го ных,Ви б ака 0 2010010050 5 10 30 50 эффективного контакта факела с изделием наблюдаются, если последний установлен в зону факела с изотермой 5000 К. При угле раскрытия факела 30 - 40, вего периферийных областях преобладающей является тангенциальная составляющая скорости плазмы. Поэтому периферийные зоны стеклоизделия, установленного перпендикулярно оси факела, испытывают тепловое воздействие потока плазмы, набегающего под острым углом к поверхности. В этом случае тепловой поток на краях не превышает оптимальной величины. Для этой же цели в предлагаемом способе ввод стеклоизделия в факел и вывод после...

Номер патента: 1407384

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ляшенко, Скворцов, Церевитинов

МПК: H05H 1/00

Метки: импульсной, металлических, плазмой

...Электроды 1запитываются от импульсного источникаэнергии, например конденсаторной батареи.Обработка металлических деталей производится следующим образом.Через сквозное отверстие 3 с помощьюзакимных элементов обрабатываемую деталь 4 помещают в полость изолятора 2,Откачку воздуха прекращают и через отверстие 5 напускают рабочий газ, напримерводород, азот, гелий, Производят зарядку Формула изобретения Способ обработки металлических деталей импульсной плазмой, заключающийся в размещение детали в полости изоляционного цилиндрического корпуса, в торцах которого установлены электроды, вакуумировании объема полости с последующим напуском газа и подачей напряжения на электроды, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,источника питания электродов...