349052
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 349052
Авторы: Дураев, Ильина, Родченкова
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗаявлено 06,Х.1966 ( 1107094/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 23.Ч 11.1972. Бюллетень25Дата опубликования описания 7.1 Х.1972 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете ввинистрое СССРУДК 621.375.8(088.8) 621.793.14 (088.8) Авторыизобретения В, П, Дураев, 3. В, Ильина и Л. А. Родченкова-1=;, т т.ОМЛЕТг." "т, т.г.т,ч 1 жФЙ Заявитель СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН Изобретение относится к технолопш изготовления лазерных диодов и других квантовых приборов.Известны способы металлизации диэлектрических пластин, например кварцевых, заключающиеся в том, что металлические пленки наносят на диэлектрические подложки при 300 С и низком вакууме -10 -- 10 -мм рт. ст. для изготовления на их основе пленочных сопротивлений. В процессе нанесения пленок на подложки детали подвергаются термическому окислению, которое улучшает адгезию пленки с подложкой и увеличивает электрическое и тепловое сопротивление пленки. При изготовлении лазерных диодов после металлизации подложки из сапфира или алмаза необходимо получить максимальную теплопроводность и минимальное электрическое сопротивление металлизирующей пленки, поэтому термическое окисление исключается.Предложен новый способ металлизацип диэлектрических пластин, Способ заключается в следующем. Диэлектрические пластины, например сапфировые, промывают в хромовой смеси 2 - 3 мин при комнатной температуре, затем в дистиллированной воде при 100 С в течение 3 - 5 мин, после промывки пластины сушат в термостате около 10 мин при температуре 120 - 150 С, Высушенные пластины загружают в вакуумную камеру и очищают в поле тлеющего разряда в течение 10 - 15 мин при вакууме 1 10- - 1 10 - - мм рт. ст. Затем камера откачпвается до 1 10 -- 1 10 - т мм рт. ст., пластины нагревают до температуры 5 не выше 800 С и напыляют хром толщиной неболее 2 мк. Затем наносят пленку никеля, например, в электрохимпческой ванне, толщиной не более 2 мк и отжпгают ее в вакууме при температуре 750"С. Потом пластины вновь ни келируюг и покрыьают припоем. Описанныйспособ металлизацпи обеспечивает хорошую адгезшо металлической пленки с изолирующей подложкой, сохраяст теплопроводность электропроводпость как пленки, так и под ложки, что очень важно при изготовлении лазерных диодов.Описанный способ металлпзации изолирующих пласпш используется при изготовлении лазерных диодов, работающих как при темпе ратуре 77 - 300=К в импульсном режиме, таки при комнатной температуре в непрерывном режиме. Предмет изобретения 25Способ металлпзгцпп диэлектрических пластин, например сапфировых, включающий в себя промывку пластин в хромовой смеси, очистку пластин в поле тлеющего разряда и 30 нанесение одним из известных способов меЗаказ 2879/18 Изд.1194 1 ираж 406 Пдписи.еЦНИИПИ Комитета ио делам изобретений и отк 1 илтии при Соиле Мииистров СССРМосква, Ж-з 5, Раугиская иаб., д. 4 5 Типография, пр, Сапунова, 2.ллизации пленок хрома и никеля на нагрею подложку, отличающийся тем, что, с .лью повышения теплопроводности покрытий, 1 астину нагревают в вакууме при давлении не выше 1 10 - в мм рт. ст. до температуры не выше 800 С, и после нанесения на пластину никеля производят отжиг при температуре 700 - 800 С, затем вторично наносят никель.
СмотретьЗаявка
1107094
В. П. Дураев, В. Ильина, Л. А. Родченкова
МПК / Метки
МПК: H01S 5/00
Метки: 349052
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-349052-349052.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">349052</a>
Способ получения гелеобразного полимера-носителя в форме пластин, пленок, цилиндров, гранул
Номер патента: 1407012
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Бобров, Ворожейкин, Кабанов, Коцага, Лиакумович, Прудников, Савельев, Сахапов, Сметанюк
МПК: C08F 255/06, C08F 4/02
Метки: гелеобразного, гранул, пластин, пленок, полимера-носителя, форме, цилиндров
...диаметром 2 мм. Получают184,3 г полимера-носителя, содержащего по анализу, мас.%: ПВП 19,7,ПМЛК 19,9, остальное - СКЭПТ, массовое отношение 1 И 1:1 МА: О, 99, степеньнабухания 4,8 г раствориселя на 1 гполимера-носителя,П р и м е р 2. В реактор иэ нержавеющей с.тали объемом 8,0 л снабженный якорной мешалкой, рубашкой дляобогрева, заливают 5,0 кг экстракци"онного бензина, продувают азотом втечение 2 ч, при перемешивании загружают 0,75 кг иромышленного СКЗПТ,включают обогрев и перемешивают подазотной подушкой при 50 С до полногорастворения каучука, вводят 7,5 гДИНИИЗ, перемешивают в течение 1 ч,затем добавляют еще 15,0 г ДИНИИЗ,перемешивают 30 мин, после чего вводят 37,5 г МАК и ведут прививочнуюсополимериэацию при 60 С в течение5 ч....
Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин
Номер патента: 1666992
Опубликовано: 30.07.1991
Автор: Иванов
МПК: G01R 33/05
Метки: параметров, пластин, пленок, ферритовых
...устройство измерения параметров ферритовых пленок и пластин.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 микрополосковые преобразователи МСВ на диэлектрических платах 3 и 4, Платы 3 и 4 закреплены на станине 5 и стойке 6, которая может перемещаться в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями 1 и 2 регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 10 концы плат 3 и 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12. Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями 1 и 2 микрополосковыми линиями 15 и 16. Устройство работает...
Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины
Номер патента: 1563485
Опубликовано: 15.06.1992
Авторы: Александров, Денисов, Лещиков, Смирнов
МПК: H01J 9/12
Метки: барьерной, закрепления, микроканальной, пластины, пленки, поверхности
...до полного совмещееЕя поверхностей ИКП 6 и слоя 7 исходного материала двухслойной пленки,1 еобходимость вертикального перемеще" опя столика 5 вызвана возможным появлением морщин на двухслойной пленке при ее неточном опускащ 1 и на поверхность МКП 6. Исходное расстояние межДу столиком 5 и Двухслойной плеякой может быть любьпч. Например, при рас"стоянии 20-30 мкм можно в случаенеобходимости производить ионную чистку в разряде соприкасающихся поверхностей исходного материала и поверхности МКП 6.После совмещения поверхностей МКП6 и слоя исходного материала двух-.слойной пленки в зазоре между держа"телем 4 и катодом 3 зажигают нормаль-ный тлею 5 ций разряд с плотностью тока0,5-2,0 мЛ/см и областью отрицательного тлеющего свечения в...
Способ измерения температуры пластин
Номер патента: 463874
Опубликовано: 15.03.1975
МПК: G01K 7/02
Метки: пластин, температуры
...затем термопару приводят в тепловой контакт с пластиной и, регулируя величину переменного тока через термопару, добиваются прежней яркостной температуры, после чего, измеряя э.д,с. термопары, определяют действительную температуру,На чертеже приведена схема практическойреализации предложенного способа.Оптически )нрометр 1 измеряет 5 ркостцуютемпературу Т пластины 2, когда термопа ра 3 не контактирует с цей. Зятем термопаруприводят в тепловой контакт с пластиной и, изменяя переменный ток через термоцяру регулятором 4 от источникя 5, добиваются, чтобы показание оптическом о пц;)ометря Т сов падало с прежм значепем Т В условсцяхсоприкосновенця, когда Т - Т измеряют э.д.с. термопары потенциометром 6 и определяют действительную температуру...
Способ измерения разности температур между противоположными поверхностями пластин
Номер патента: 477315
Опубликовано: 15.07.1975
Авторы: Егоров, Килессо, Комаров
МПК: G01K 7/00
Метки: между, пластин, поверхностями, противоположными, разности, температур
...разность темисртур между )Сслсдусмой и доиоли)ггсльной поверхностями будет постояииой, и по исй ихо;)ят )ккомую рягиюсть темпера гур.Ня чертеже показана схема устройства, позволяо)цсго реализовать предложсииый сиоотяст устройство следующим аритсльцо датчик 1 покрывают ленкой 2, затем датчшс 1 и 3 в и мостовой схемы и помещают в которую прокачивают жидкость Ой скоростью течения. Мощиос В 11 тсл 51 у дятчикз 1 (1)иксиру)от, з иервоц)чзль цую мощность изгрсвятеля датчика 3 устаиав.ливают такой, чтобы температура датчика 1 была выше температуры датчика 3. После этого, сохряияя превышение температуры д)г и)- кз 1, умсиьиЯ)от 1(оэ(1)ф)щиеить) тег),)оотд;)чи с иоверхиостей датчиков 1 и 3 путем умсиьшеиия скорости движеиия исидкости и...
Предыдущий патент: Акустический модулятор света
Следующий патент: Распределительное устройство высокого напряжения
Случайный патент: Двухкомпонентная форсунка