Малхозов

Номер патента: 1686997

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Кучеров, Малхозов

МПК: H01S 5/00

Метки: лазер, полупроводниковый

...нс получа от энергии, достаточной для ионизации полупроводника с образованием вторичных электроцоо и дырок, и непосредственно инжсктируются о зону проводимости полупроводника р-типа и, цакоплиоаясь вблизи дна зоны проводимости, совместно с дырками полупроводника р-типа образуют активную область полупроводникового лазера. Благодаря сттижеттию напряжения ниже 3 Етт/е уменьшэтотся тепловые потери и возрастает УПД лазера. При этом напряжение между катодом и анодом це прсвыцтаст 3 Ец/е о том случае, если межзлектродное расстояние д выбирают из следующего соотношеният/ , 6 ЧГ "Я(1),пте 2где гп и е - лтэсса и заряд электрона, ) -плотность тока, протекающего через лазер,необходимого для генерации излучения.Формула (1) получается из хорошо...

Номер патента: 1020887

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Левчук, Малхозов

МПК: H01P 1/00

Метки: подачи, свч, смещения, тракт

...соответствующегоконденсатора и к соответствующему ис- ЗОточиику напряжения смещения (2).Недостатками известного устройства являются ограниченная полоса рабочих частот, а также значительные технологические трудности при обеспечении необходимой развязки цепей низкойи высокой частот,Цель изобретения - расширение полосы рабочих частот при обеспеченииразвязки по постоянному току, 4 ОПоставленная цель достигается тем,что в устройство для подачи напряжения смещения в СВЧ-тракт, содержащеетрехдецибельный направленный ответвитель, входное и выходное плечи которого включены в СВЧ-тракт, а два других развязаны, два конденсатора, дваисточника напряжения смещения и общуюземляную шину, дополнительно введеныдва идентичных отрезка линии передачи,...

Номер патента: 919042

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Батура, Гладышев, Журухин, Малхозов

МПК: H03D 9/06

Метки: делитель, частоты

...ЗО ч а ю щ и й с я тем,что,с цельюповышения коэффициента преобразования приупрощении конструкции, элемент с нелинейной емкостью р-и перехода, выполнен в виде транзистора и включенпо схеме с общей базой, а в цепь базы дополнительно включена индуктивность,коллекторного р-и перехода транзистора 1.Убтройство работает следующим образом.Резонансный элемент 5 представляет собой разомкнутый шлейф с длиной равной половине длины волнывходной делимой) частоты, а резонасный элемент 6 - короткозамкнутый шлейф с длиной равной половине длины волны входной частоты. Тогда для входной частоты схема делителя частоты (фиг,2) преобразуется вэквивалентную ей схему (фиг.3 ). При этом сигнал на входной частоте закорачивается на землю и не поступает на выход...

Номер патента: 720694

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Батура, Малхозов

МПК: H03H 7/00

Метки: сверхвысокочастотное, связи

...на верхней частоте необходимо обеспечение условия.вх вых, 1в вгде Еи 2"ы - соответственно вход- р 0ное и комплексно-сопряженное выходномусопротивления на верхней частоте,По мере уменьшения частоты электрическая длина отрезка 2 линии передачистановится отличной от длины всаны текущей частоты и появляется разностьпотенциалов, благодаря чему начинаетпротекать ток через сопротивление элемента 1 согласования. Кроме того, входное сопротивление повышается из-ва возрастания влияния разомкнутого шлейфа 3,что способствует увеличению доли сигнала, проходящего через элемент 1 согласования.При уменьшении частоты в два раза 35электрические длины отрезка 2 и разомкнутого шлейфа 3 становятся равнымисоответственно половине и четверти цлины волны...