Фоторезистор

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 434488(51) М.Ь;л. Н 01 с 708Н О15/00 Гасударственный комитет Совета Министров СССР оо делам изаоретений и открытий(71) Заявитель Инсптут полупроводников АН Украинской ССР(54) ФОТОРЕЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приборам и может использоваться в лазерной технике.Известен фоторезистор, цредставляюцпнй сооой 1 олупроводниковую пластинку с тол 1 ци юй, сравнимой с диффузионной длиной носителей, обработанную с целью получения минимальной скорости поверхностной рекомбинации ца всех гранях и снабженную двумя омическими контактами. 10Однако постояьцая времени такого фоторс. зистора це регулируется, так как оца определяегся технологическими условиями;зготовлеция (коццецтрацией рекомбццаццонцых центров в объеме кристалла и качеством обра 15 ботки поверхности). Поэтому, например, для приема сигналов, различающихся по частоте следования или длительности, необходимо иметь набор фоторезисторов с различными цо 2 о стоянпыми времени.Целью предлагаемого изобретеьия является регулирование постоявой времени (инерционности) фоторезистора.Это достигается тем, что предлагаемый фо торезистор восполнен на основе пластины, изготовленной из полупроводника с биполярной фотопроводимостью, помещенной в скрещенные элекгрическое и магнитное поля, вторая пирокая грань которой имеет максимально зо возможную скорость поверхностной рекомбинации.На чертеже показан предлагаемый фоторезистор.Пластину 1 помещают в магнитое и электрическое поля так, чтобы направления магнитных силовых линючий 2, полного электрического тока 3 и потока сильно поглощаемого излучения 4 составляли между собой углы, равные или близкие 90, излучение направ. ляют на широкую грань (на чертеже позиция 5 - омические контакты).При включении фоторезистора в электриче. скую цепь на неравновесные носители, генери. ровацпые светом на грани приемника с мало ; скоростью поверхностной рекомбинации, дей. ствует сила Лоренца Р=е 1 Е Х О (где О - напряженность магнитного поля, и - подвижность носителей, Е - напряженность электри. ческого поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх но. сителей к задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации, либо повышен. цую концентрацию их у освещеной грани: малой скоростью поверхностной рекомбьн. ции.Если под действием силы,1 оре;ща цосцтел:; дрейфуют к грани с большой скоростью по.434488 чувствительных чистых полупроводников без намеренного легировация с одновременным сохрацецием большой скорости рассасывация неравновесных носителей заряда, свойственцой примесцым полупроводникам; расширяются функциональные возможности фотоприемника (5 апример, выполнение операций селективной регистрации импульсов и их ицтегрировация).1 О Фоторезистор па основе полуроводциковойпластицы с толщиной, сравнимой с диффу зиоццой длиной носителей, сцабжеццой двумяомическими коцтактами, одна из широких граней которой имеет минимально возможную скорость поверхностной рекохбицации, отличаюшийся тем, что, с целью регулирова вия постоянной времени фоторезистора, оцвыполнен ца основе пластины, изготовленной пз полупроводцика с биполярной фотопроводимостью, помещеццой в скрещенные электрическое и магнитное поля, вторая широкая 25 грань которой имеет хаксимагьцо возможнуюскорость поверхпостпой рекомбинации. Сосгавитсль Г. ТесленкоРедактор Е. Караулова Техред Н, Куклина орректор А, Дзесов ПОДГИ 1 СПОСГираж 760 митета Совета Л 15 п 1 истров СССтений и открытий ская цаб., д го управления издательств, полиграфии и книжной торовли п. Костроме Верхцосп 01 рекохбицациц то Врем 1 жизни их, а следовательно, и постоянная времени фоторезистора, олределяется временем дрейфа электроццо-дырочцых пар к этой поверхцости и спадает с ростом цапряжецпости электрического и магнитного полей.При противоноложцом направлении полного электрического тока веравцовесцые пары концецтрцруются вблизи оовещаемой грани с малой скоростью поверхпостцой рекомбинации, в результате вклад в рекомбицацию от задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации уменьшается, а постояццая времеци фоторезистора возрастает с ростом Е и Н и практически до объемного времени жизни носителей.Преимуществом предлагаемого фоторезистора является то, что исходную постоянную времени его можно увеличивать и уменьшать обратимо в широких пределах путем изменения величины и цаправлепия электрического и магцитного полей,Б результате такой регулировки возможно использование одцого фоторезистора вместо набора их для регистрации сигцалов различной частоты; возможно использование фото 1 к 1 з32 Изд. М 1958 ЦНИИПИ Государственного к по делам изобр Л 1 осква, Ж, Р