H01L 31/08 — в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы

Номер патента: 1104607

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Клименко, Тихонов, Шахиджанов

МПК: H01L 31/08

Метки: варианты, его, координатно-чувствительный, фоторезистор

...универсальной конструкцией,применимой для всех полупроводниковыхпластин как и-, так и р-типа проводимости, является конструкция с сеточным электродом. Но последняя требуетдополнительных двух внешних контактов по сравнению с двумя другими конструкциями. Характеристики трех конструкций фоторезистора - величина выходного сигнала, чувствительность,потребляемая мощность и отношение сигнал/шум - равноценны,На фиг. 1 - 3 изображены варианты1-Ш координатно"чувствительного фоторезистора соответственно.Координатно-чувствительный фоторезистор (фиг. 1) содержит фоточувствительную полупроводниковую пластину 1, к противоположным концам кото-.рой присоединены омические контакты2 и 3. Омический контакт 4 расположен на боковой стороне...

Номер патента: 606475

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вул, Петросян, Сайдашев, Шмарцев

МПК: H01L 31/08, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...полупроводника (например п-типа), помещеннойв магнитное поле, со стороны широкозонной области на контактах, располо 5 женных в плоскости, перпендикулярнойнаправлению изменения ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитнаяЭДС,Использование в качестве фотогальваномагнитного датчика пластиныполупроводника с переменной ширинойзапрещенной зоны расширяет функциональные возможности датчика, поскольку в этом случае амплитуда и знак фотомагнитной ЭДС зависят от длины волны падающего света,Действительно, при варизоннойструктуре датчика свет разных частотпоглощается в разных точках полупроводниковой пластины. Так, например,свет с энергией фотонов Ь), 3 Ео(Е, - максимальная ширина запрещенной зоны полупроводниковой пластиныу передней,...

Номер патента: 1176794

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Андрийчук, Васильцив, Захарко, Цветкова, Шейнкман

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, материал, приемников, ультрафиолетового, фоторезистивных

...Раушская наб д, 4/5 Заказ 4358 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,Изобретение относится к области электротехники и электроники, в част" ности, может быть использовано дпя изготовления простых малогабаритных приемников ультрафиолетового (УФ) излучения, чувствительных в диапазоне длин волн 230-320 нм, с целью применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве и других областях.Целью изобретения является расширение области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм.П р и м е р 1, Просушенные окислы галлия и индия берут в количестве 3,65 г Са О, и 1,35 г Хп О, что соответствует 80 мол,% Са О и 20 мол.% Хп О в расчете на 5 г твердого раствора Са, Хп 40...

Номер патента: 890906

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Неустроев, Осипов, Стафеев

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...1 расположен чувствительный элемент в виде полупроводниковой пластины 2, имеющей слоистуюструктуру. Электрические контакты 3 .40расположены на торцах полупроводниковой пластины 2. Свет, падающий на чувствительный элемент, пластину 2, генерирует в его объеме электроны и дырки, которые .пространственно разделяются электрическим полем, образованным контактной разностью потенциалов между слоями. Вследствие этого .время жизни фотоносителей возрастает,следовательно, возрастает величина концентрации фотоносителей, которая пропорциональна времени жизни. В . свою очередь, чувствительность фото- резистора пропорциональна числу возникающих фотоносителей, а значит, увеличение времени жизни из-за пространственного разделения электронов и дырок...

Номер патента: 1200798

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ливенцов-Ковнеристов, Тверетнев, Трошкин, Ященко

МПК: H01L 31/08

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...веточувст вител ьных площадках1 и 2 нанесены контакты 6, к которымприварены токосъемные проводники,припаянные к ножкам цоколя. Проводники, идущие от четырех малых внутренних секторных площадок 2, прокладываются в радиальных зазорах 3 между кольцевыми периферийными площадками, Это необходимо для того, чтобыне затенять светочувствительные коль"цевые площадки и не создавать ложныхизменений (падений) фотоэлеКтрическихсигналов при пересечении проводниковветовым пятном - изображением ориентира малого размера,В центре светочувствительнойплощадки большого размера (диаметра)10-60 мм, определяемого необходимымнаибольшим полем зрения, при помощиольцевого зазора 4 на светочувствиельной поверхности выделяется фоторлвктриквоки изолированная...

Номер патента: 1263151

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ракитин, Сафонов, Седунов, Тишин

МПК: H01L 31/08

Метки: координатно-чувствительное

...пар, электроны двигаются к блоку7 считывания и вызывают изменение потенциала и+-областей. Выбранная дешифратором строка соединяется черезИЦП-транзистор с входом усилителя 10и происходит считывание информациис данной строки. Перебор кодов навходах дешифрагора позволяет вывести информацию со всех строк, Приэтом другой дешифратор не работает.Для считывания информации по столбцам ключи 9 замыкаются, что приводитк образованию каналов переноса заряда между электродами 3 к блоку 6считывания. Таким образом фиксирует:ся информация о световом сигнале подвум координатами что позволяет опре-делить основной его параметр - координаты центра тяжестиУпрощение блока управления позволяет разместить его на одном кристалле с матрицей,. что по крайней мерев...

Номер патента: 1371475

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Вербицкая, Еремин, Клячкин, Маляренко, Строкан, Суханов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02, H01L 31/08 ...

Метки: детектор, заряженных, короткопробежных, частиц

1. Детектор короткопробежных заряженных частиц, состоящий из p+ - n - n+-структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+-область, и контактов, отличающийся тем, что, с целью улучшения разрешающей способности детектора, подложка выполнена из кремния с удельным сопротивлением 100 Ом см , и толщиной l, удовлетворяющей соотношению / S( l - b - W )

Номер патента: 1160899

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Беломестнов, Тояков

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, источником, светового, слежения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЛЕЖЕНИЯ ЗА ИСТОЧНИКОМ СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, включающее полупроводниковую пластину с нанесенными на нее проводящим кольцом, выводами и n парами контактов, где n равно 1 или 2, расположенных внутри зоны, ограниченной проводящим кольцом, причем в каждой паре контакты расположены относительно друг друга по дуге 180o с центром в центре пластины, при этом при n 2 вторая пара контактов развернута относительно первой на 90o, отличающееся тем, что, с целью увеличения диапазона измеряемых координат, на поверхность пластины, заключенной между парами контактов, нанесен управляющий электрод, изолированный от пластины и контактов слоем диэлектрика и выполненный центрально-симметричным.

Номер патента: 1816166

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Залетаев, Койфман, Кочеров

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоприемник

...один от нии, обеспечивающем обьемного заряда. При жиме между элемента управляемый песта цио объеме полупроводника нов ьппению коэффицие ского усиления при с значения квантовой эфф но в фотоприемных ации инфракрасного в фотоприемнике напенсированного по- двух контактов выи более элементов, другого на расстоясмыкание областей этом в рабочем реми протекает ток, парным зарядом вчто приводит к нта фотоэлектричеохранении высокогоективности, 3 ил,1816166 т1 с=А - = 7,110,. и Формула изобретения ФОТОПРИЕМНИК на основе примесного компенсированного полупроводника, содержащий . активный слой и два контакта с электрическими выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента фотоэлектрического Коэффициент усиления...

Номер патента: 986244

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бондарос, Проскуряков

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоэлектронный

Фотоэлектронный преобразователь, содержащий прямоугольную матрицу фотоприемников с двумя выводами, предусилители, нагрузки, источник питания, отличающийся тем, что, с целью его упрощения, матрица имеет две строки фотоприемников, каждая из которых состоит из n столбцов, протяженность каждого фотоприемника по строке в n/2 раза меньше, чем по столбцу, по линии разделения верхней и нижней строк первые выводы всех четырех фотоприемников в строке соединены вместе и подключены к шине питания, первые выводы всех нечетных фотоприемников соединены также вместе и подключены к шине нулевого потенциала, а все вторые выводы фотоприемников в строке соединены последовательно попарно, служат нагрузкой друг...

Номер патента: 1140653

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Брилевский, Веденин, Досюкова, Ковган, Нестерович, Осинский, Трофимов, Ширинский

МПК: H01L 31/08

Метки: модулятор, фоторезисторный

Фоторезисторный модулятор, содержащий светодиод, узел оптической связи и фоторезистор с растровой контактной металлизацией, отличающийся тем, что, с целью устранения паразитных фото- и термоЭДС при одновременном снижении выходного сопротивления модулятора, растровая контактная металлизация фоторезистора выполнена с центральной осью симметрии n-го порядка (n 3), причем ширина электродов прямо пропорциональна расстоянию от оси симметрии.