Материал для изготовления фоторезисторов

ОПИСАНИЕИ З О Б Р ЕЕ Н И Я р 11 642799К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскиз Сециаиистическки Республик(51) М. Кл,Н 01 Ь 31/08 Государственный комитет СССР йо делам изобретений и открытийпубликовано 1501.79. Бюллетень2 ата опубликования описания 150179 21. 383.0888)(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВм спектра, включающий сеи йод, содержит указанты в следующих количест му диапазонленид кадмнные компоневах, вес.Ъ:СеленидЙод адми я 93,378-99,0Остальное; отовленияый к инзонамкадмия,щем состму из при 990,016О, 634 18 Остальное Я . Изобретение относится к материалам для изготовления фоторезисторов, которые используются в радиоэлектронной промышленности.Ь Известен материал для изфоторезисторов, чувствительфракрасному и красному диапспектра, включающий селенидйод, медь и серу при следуюношении компонентов (по однмеров), вес.ъСйбеСи3 Недостатком известного материала является то, что фоторезисторы, изготовлениые из него, имеют узкую область спектральной чувствительности (0,68-1,12 мкм) и работают при высоких напряжениях порядка 400 В.Целью изобретения является расширение области спектральной чувствительности фоторезисторов.Цель достигается тем, что материал для изготовления фоторезисторов, чувствительный к инфракрасному и красно- ЗО Фоторезисторы, изготовленные из предлагаемого материала, по сравнению с прототипом имеют более широкую область спектральной чувствительности (0,54-1,30 мкм), работают при напряжениях 0,5 В и имеют номинальное значение чувствительности 8 10 лк (значения номинальной чувствительности фоторезисторов, изготовленных из материала-прототипа, в цитируемом патенте не указаны); П р и м е р. Предлагаемый материал получают сплавленном исходных компонентов (лигатуры СЙЬе и кристаллического йода), взятых в стехиометричйских соотношениях в вакуумированных до 10 мм рт.ст. кварцевых ампулах при 1250 оС в течение 2 ч с последующей ,выдержкой при 300"С в течение 5 ч.Тонкие слои для оптических измерений приготавливают путем холодного прессования под давлением 100 т/смд. Об6,4 для Сд Ь ф 1 0 мкА нет даНаи ства и 98,658 рмула изобрете альной ма- ненты раэцы в виде таблеток отжигают при,200 С в течение 1 нед, после чегошлиФуют уо толщины 1 мм и полируют.1 Приготовленные таким образом образцы (пп. 3, 4, 5, 6 таблицы) подвергают оптическим измерениям, результаты которых в сопоставлении с Сдбе и прототипом приводятся в таблице и на чертеже. Как видно из данных таблицы и чертежа исследуемые образцы чув 36Рствительны в пределах длин волн 0,54-1,30 мкм при значительно более низких значениях рабочего напряжения и освещенности (0,5 В и 0,08 лм соответственно),чем у СД 5 В и прототипа, 40 у которых чувствительность-соответственно лежит в пределах 0,40-0,96 мкм И 0,68-1,12 мкм при напряжении 400 В и освещенности 200 лм, т,е. предлагаемый материал экономически более выгоден, чем прототип.45 Следует отметить, что максимальное значение интегральной чувствительности предлагаемого материала в области длин, волн 0,75-0,80 мкм колеблется в пределах 0,4 10 е -3,6 10 мкА/лм В и 6% 1,57-362 эВ, когда эти же значения Оптические параметры поликристаллнческнх образцов материалов на основе Сд Ье представлены в таблице. ветственно равны 3 х, и 1,55 зВ (у прототипа ных).учшие фоточувствительныеоявляет образец состава Свес.% + е 1,342 вес.Ъ. я изготовления фоторетвительный к инфракрасму диапазонам спектра,енид кадмия и йод, о тй с я, тем, что, сия области спектрти фоторезисторов,т укаэанные комполичествах, вес.Ъдмия 93,378-99,046Остальное.нформации, принятыеи экспертизе:США Р 3598760,971. Материал дл зисторов, чув ному и красно включающий сел л и ч а ю щ и целью расшире чувствительно териал содерж в следующих к Селенид ка Йод Источники во вниманиеп 1. Патент кл, 252-501,64 799Составитель А. Круглов Редактор Т, Девятко Техред Н,Андрейчук Корректор Т.Вашкович Заказ 7772/51 Тираж И Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4