Фоторезистор

о аеиаи изееретеиий ия 25.12.8 Да рыти ликования оп) Авторыизобретени Зыков и Н. Т. Юнд Научно-исследовательский институт электроннопри Томском ордена Октябрьской Революции и оКрасного Знамени политехническом институте им Заявител РУ,. М. Киро(54) ФОТОРЕЗИСТ Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления фоторезисторов.Известен фоторезистор, содержащий изолирующую подложку, на которой расположен фотопроводяший слой и электроды 111.Недостатком данного фоторезистора является низкая радиационная стойкость,Наиболее близким к изобретению техническим решением является фоторезистор, содержащий фоточувствительный элемент в виде изолирующей подложки, на которой то размещен фотопроводящий слой и два собирающих электрода, и управляющий электрод, расположенные в корпусе 12.Недостаток известного фото резистора заключается в низкой радиационной стойкости. 15Цель изобретения - повышение радиационной стойкости.Цель достигается тем, что в фоторезисторе, содержащем фоточувствительный элемент в виде изолирующей подложки, на которой размещен фотопроводящий . слой и 20 два собирающих электрода, и управляющий электрод, расположенные в корпусе, управляющий электрод выполнен в виде диэлектрической пластины, расположенной напротив изолирующей подложки, с нанесенным на нее со стороны фотопроводящего слоя слоем окиси олова и двумя дополнительными собирающими электродами, которые размещены симметрично собирающим электродам фоточувствительного элемента и электрически соединены с ними.На чертеже схематически изображен фоторезистор, общий вид, разрез.Фоторезистор содержит закрепленные в корпусе 1 фоточувствительный элемент, выполненный в виде изолирующей подложки 2 из кварца, сапфира или стекла, на которой размешен фотопроводящий слой 3 из сульфида свинца и два низкоомных собирающих электрода 4, и управляющий электрод, выполненный в виде диэлектрическои пластины 5 из кварца, сапфира или стекла, расположенной напротив изолирующей подложки 2, с нанесенным на нее со стороны фотопроводящего слоя 3 слоем окиси олова 6 и двумя дополнительными собирающими электродами 7, которые размещены симметрично собирающим электродам 4 фоточувствительного элемента и электрически соединены с ними выводами 8. Кор890486 Формула изобретения Составитель Ю. Герасичкнн Редактор М. Дылын Техред А. Бойкас Корректор А. Ференц Заказ 11017/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43пус 1 снабжен изоляторами 9, внутри которых размещены тоководы 1 О. В корпусе 1 выполнено окно 11 для пропускания потока излучения.Работа фоторезистора осуществляется следуюшим образом.Поток регистрируемого излучения, обозначенного на чертеже стрелкой, проходит в окно 1 в корпусе 1, попадает через диэлектрическую пластину 5 и слой окиси олова 6 (прозрачные в ИК-области диапазона спектра фоточувствительного элемента), и после подключения тоководов 10 в электрическую цепь через фотопроводящий слой 3 и слой окиси олова 6 протекает электрический ток, создающий градиент потенциала на каждом из слоев 3 и 6. Поскольку каждая из пар электрически соединенных и между собой собирающих электродов 4 и 7 находится соответственно под одним потенциалом, а расстояния между собирающими электродами 4 фоточувствительного элемента и собирающими электродами 7 управляющего электрода "равны, градиент потенциала на фотопроводящем слое 3 и слое окиси олова 6 одинаков, В результате электрическое поле в зазоре между фотопроводящим слоем 3 и слоем окиси олова 6 оказывается скомпенсированным и равным ну- д лю, поэтому молекулы газа, ионизированные в этом зазоре радиационным излучением, уже не разделяются, а участвуя лишь в диффузионных процессах, рекомбинируют преимущественно в зазоре и не влияют на поверхность фотопроводящего слоя 3, и фоторезистор работает в поле ионизирующего излучения без существенных изменений фотоэлектрических параметров,Простота устройства фоторезистора и его высокая радиационная стойкость расширяют область применения фоторезисторов в приборах, подвергаемых воздействию ионизирую 1 цего излучения. Фоторезистор, содержащий фоточувствительный элемент в виде изолирующей подложки, на которой размещен фотопроводящий слой и два собирающих электрода, иуправляющий электрод, расположенные вкорпусе, отличающийся тем, что, с цельюповышения радиационной стойкости, управляющий электрод выполнен в виде диэлектрической пластины, расположенной напротив изолирующей подложки, с нанесеннымна нее со стороны фотопроводящего слоя слоем окиси олова и двумя дополнительнымисобирающими электродами, которые размещены симметрично собирающим электродамфоточувствительного элемента и электрически соединены с ними.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР451130, кл. Н 01 1. 31/08, 1972,2, Патент ПНР77502, кл. Н 01 1. 31/08,1973 (прототип).